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UF150

产品描述1.5 A, 50 V, SILICON, RECTIFIER DIODE, DO-15
产品类别分立半导体    二极管   
文件大小47KB,共2页
制造商强茂(PANJIT)
官网地址http://www.panjit.com.tw/
标准

PANJIT 是一家全球 IDM,提供广泛的产品组合,包括 MOSFET、肖特基二极管、SiC 器件、双极结型晶体管和电桥等。公司旨在满足客户在汽车、电源、工业、计算、消费和通信等各种应用领域的需求。他们的愿景是通过质量可靠、节能高效的产品为世界提供电源,为人们带来更绿色、更智能的未来。公司核心价值观包括创新、责任、以客户为中心、学习与成长、相互信任和协作。

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UF150概述

1.5 A, 50 V, SILICON, RECTIFIER DIODE, DO-15

UF150规格参数

参数名称属性值
是否Rohs认证符合
厂商名称强茂(PANJIT)
零件包装代码DO-15
包装说明O-PALF-W2
针数2
Reach Compliance Code_compli
ECCN代码EAR99
应用EFFICIENCY
外壳连接ISOLATED
配置SINGLE
二极管元件材料SILICON
二极管类型RECTIFIER DIODE
最大正向电压 (VF)1 V
JEDEC-95代码DO-15
JESD-30 代码O-PALF-W2
最大非重复峰值正向电流50 A
元件数量1
相数1
端子数量2
最高工作温度150 °C
最低工作温度-55 °C
最大输出电流1.5 A
封装主体材料PLASTIC/EPOXY
封装形状ROUND
封装形式LONG FORM
峰值回流温度(摄氏度)NOT SPECIFIED
最大重复峰值反向电压50 V
最大反向恢复时间0.05 µs
表面贴装NO
端子形式WIRE
端子位置AXIAL
处于峰值回流温度下的最长时间NOT SPECIFIED

UF150文档预览

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DATA SHEET
UF150 thru UF1510
ULTRAFAST RECOVERY RECTIFIERS
CURRENT
VOLTAGE
50 to 1000 Volts
FEATURES
1.0(25.4)MIN.
1.5 Amperes
DO-15
Unit: inch(mm)
• Plastic package has Underwriters Laboratory
Flammability Classification 94V-O utilizing
Flame Retardant Epoxy Molding Compound
• Exceeds environmental standards of MIL-S-19500/228.
• Ultra Fast recovery for high efficiency.
• Pb free product are available : 99% Sn above can meet Rohs environment
substance directive request
.034(.86)
.028(.71)
.300(7.6)
MECHANICALDATA
Case: Molded plastic, DO-15
Terminals: Axial leads, solderable per MIL-STD-202G,Method 208
Polarity: Band denotes cathode
Mounting Position: Any
Weight: 0.015 ounce, 0.4 gram
1.0(25.4)MIN.
.140(3.6)
.104(2.6)
MAXIMUM RATINGS AND ELECTRICAL CHARACTERISTICS
Ratings at 25°C ambient temperature unless otherwise specified. Single phase, half wave, 60 Hz, resistive or inductive load.
PA R A M E TE R
M a xi um R e curre nt P e a k R e ve rse V o l a g e
m
t
M a xi um R M S V o l a g e
m
t
M a xi um D C B l cki g V o l a g e
m
o
n
t
M a xi um A ve ra g e F o rw a rd C urre nt . 7 5 "(9 . m m )
m
3
5
l a d l ng t a t T
A
= 5 5
O
C
e
e
h
P e a k F o rw a rd S urg e C urre nt : 8 . m s si g l ha l si e -w a ve
3
n e
f n
sup e ri p o se d o n ra t d l a d (JE D E C m e t o d )
m
e o
h
M a xi um F o rw a rd V o l a g e a t 1 . A
m
t
5
M a xi um D C R e ve rse C urre nt TA = 2 5
O
C
m
a t R a t d D C B l cki g V o l a g e TA = 1 0 0
O
C
e
o
n
t
Typ i a l Junct o n ca p a ci a nce (N o t 1 )
c
i
t
e
Typ i a l T he rm a l R e si t nce (N o t 2 )
c
sa
e
M a xi um R e ve rse R e co ve ry Ti e (N o t 3 )
m
m
e
O p e ra t ng Junct o n a nd S t ra g e Te m p e ra t re R a ng e
i
i
o
u
S Y M B O L U F 150
V
RRM
V
RM S
V
DC
I
V
A
I
SM
F
V
F
1.
0
50
35
50
U F 151
100
70
100
U F 152
200
140
200
U F 154
400
280
400
1.
5
50
1.
1
10.
0
150
25
50
50
-5 5 T O + 1 5 0
75
O
.230(5.8)
U F 156
600
420
600
U F 158
800
560
800
T
U F 1510 U N I S
1000
700
1000
V
V
V
A
A
1.
7
V
I
R
uA
C
J
R
θ
JA
T
R R
T
J
,
S TG
T
pF
C /W
ns
O
C
NOTES:
1. Measured at 1 MHz and applied reverse voltage of 4.0 VDC.
2. Thermal Resistance from Junction to Ambient.
3. Reverse Recovery Time I
F
=.5A ,I
R
=1A , I
rr
=.25A
STAD-MAR.17.2004
PAGE . 1
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