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SB820FCT_05

产品描述8 A, 20 V, SILICON, RECTIFIER DIODE, TO-220AB
产品类别半导体    分立半导体   
文件大小421KB,共2页
制造商强茂(PANJIT)
官网地址http://www.panjit.com.tw/

PANJIT 是一家全球 IDM,提供广泛的产品组合,包括 MOSFET、肖特基二极管、SiC 器件、双极结型晶体管和电桥等。公司旨在满足客户在汽车、电源、工业、计算、消费和通信等各种应用领域的需求。他们的愿景是通过质量可靠、节能高效的产品为世界提供电源,为人们带来更绿色、更智能的未来。公司核心价值观包括创新、责任、以客户为中心、学习与成长、相互信任和协作。

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SB820FCT_05概述

8 A, 20 V, SILICON, RECTIFIER DIODE, TO-220AB

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DATA SHEET
SB820FCT~SB8150FCT
ISOLATION SCHOTTKY BARRIER RECTIFIERS
8 Amperes
CURRENT
VOLTAGE
20 to 150 Volts
FEATURES
.112(2.85)
.100(2.55)
.272(6.9)
.248(6.3)
ITO-220AB
Unit : inch (mm)
• Plastic package has Underwriters Laboratory
Flammability Classification 94V-O utilizing
Flame Retardant Epoxy Molding Compound.
• Exceeds environmental standards of MIL-S-19500/228
• Low power loss, high efficiency.
• Low forwrd voltge, high current capability
• High surge capacity.
• For use in low voltage,high frequency inverters free wheeling , and polarlity
protection applications.
• Both normal and Pb free product are available :
Normal : 80~95% Sn, 5~20% Pb
Pb free: 99% Sn above
.406(10.3)
.381(9.7)
.134(3.4)
.118(3.0)
.189(4.8)
.165(4.2)
.130(3.3)
.114(2.9)
.606(15.4)
.583(14.8)
MECHANICALDATA
Case: ITO-220AB full molded plastic package
Terminals: Lead solderable per MIL-STD-202G, Method 208
Polarity: As marked.
Mounting Position: Any
Weight: 0.08 ounces, 2.24grams.
.055(1.4)
.039(1.0)
.035(0.9)
.011(0.3)
.1
(2.55)
.1
(2.55)
.161(4.1)MAX
.543(13.8)
.512(13.0)
.071(1.8)
.055(1.4)
.114(2.9)
.098(2.5)
.032(.8)
MAX
AC
Positive CT
AC
MAXIMUM RATINGS AND ELECTRICAL CHARACTERISTICS
Ratings at 25°C ambient temperature unless otherwise specified. Single phase, half wave, 60 Hz, resistive or inductive load.
For capacitive load, derate current by 20%
PAR AME T E R
M a xi m um R e c ur r e nt P e a k R e ve r s e V o l t a g e
M a xi m um R M S V o l t a g e
M a xi m um D C B l o c k i ng V o l t a g e
M a xi m um A ve r a g e F o r w a r d C ur r e nt . 3 7 5 " ( 9 . 5 m m )
l e a d l e ng t h a t T c = 1 0 0
O
C
P e a k F o r w a r d S ur g e C ur r e nt : 8 . 3 m s s i ng l e ha l f s i ne -
w a ve s up e r i m p o s e d o n r a t e d l o a d ( J E D E C m e t ho d )
M a xi m um F o r w a r d V o l t a g e a t 4 . 0 A
M a x i m u m D C R e v e r s e C u r r e n t TA = 2 5
O
C
a t R a t e d D C B l o c k i n g V o l t a g e TA = 1 0 0
O
C
Ty p i c a l T h e r m a l R e s i s t a n c e
O p e r a t i n g J u n c t i o n Te m p e r a t u r e R a n g
S t o r a g e Te m p e r a t u r e R a n g
S YM B OL
V
RRM
V
RMS
V
DC
I
AV
I
F S M
V
F
0 .5 5
SB820
FCT
20
14
20
SB830
FCT
30
21
30
SB840
FCT
40
28
40
SB850
FCT
50
35
50
8
150
0 .7 5
0 .5
50
6
-5 0 to +1 2 5
-5 0 to +1 5 0
O
SB860
FCT
60
42
60
SB880
FCT
80
56
80
SB8100
FCT
100
70
100
SB8150
FCT
150
105
150
U N IT S
V
V
V
A
A
0 .8 5
0.92
V
I
R
mA
RθJ C
T
J
T
J
, T
S TG
C / W
O
C
C
O
Note.
Both Bonding and Chip structure are available.
STAD-FEB.21.2005
PAGE . 1
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