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SB620CT_04

产品描述6 A, 30 V, SILICON, RECTIFIER DIODE, TO-220AB
产品类别半导体    分立半导体   
文件大小41KB,共2页
制造商强茂(PANJIT)
官网地址http://www.panjit.com.tw/

PANJIT 是一家全球 IDM,提供广泛的产品组合,包括 MOSFET、肖特基二极管、SiC 器件、双极结型晶体管和电桥等。公司旨在满足客户在汽车、电源、工业、计算、消费和通信等各种应用领域的需求。他们的愿景是通过质量可靠、节能高效的产品为世界提供电源,为人们带来更绿色、更智能的未来。公司核心价值观包括创新、责任、以客户为中心、学习与成长、相互信任和协作。

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SB620CT_04概述

6 A, 30 V, SILICON, RECTIFIER DIODE, TO-220AB

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DATA SHEET
SB620CT~SB660CT
SCHOTTKY BARRIER RECTIFIERS
VOLTAGE
FEATURES
• Plastic package has Underwriters Laboratory
Flammability Classification 94V-O utilizing
Flame Retardant Epoxy Molding Compound.
• Exceeds environmental standards of MIL-S-19500/228
• Low power loss, high efficiency.
• Low forwrd voltge, high current capability
• High surge capacity.
• For use in low voltage,high frequency inverters
free wheeling , and polarlity protection applications.
• Both normal and Pb free product are available :
Normal : 80~95% Sn, 5~20% Pb
.177(4.5)MAX
.419(10.66)
.387(9.85)
.139(3.55)
MIN
20 to 60 Volts
CURRENT
6.0 Amperes
TO-220AB
Unit : inch (mm)
.196(5.00)
.163(4.16)
.054(1.39)
.045(1.15)
.269(6.85)
.226(5.75)
.624(15.87)
.50(12.7)MIN
Pb free: 98.5% Sn above
.038(0.96)
.019(0.50)
.548(13.93)
.025(0.65)MAX
MECHANICALDATA
Case: TO-220AB full molded plastic package
Terminals: Lead solderable per MIL-STD-202, Method 208
Polarity: As marked.
Mounting Position: Any
Weight: 0.08 ounces, 2.24grams.
.1(2.54)
.1(2.54)
AC
Positive CT
AC
MAXIMUM RATING AND ELECTRICAL CHARACTERISTICS
Ratings at 25°C ambient temperature unless otherwise specified. Single phase, half wave, 60 Hz, resistive or inductive load.
For capacitive load, derate current by 20%
PA R A M E TE R
M a xi um R e curre nt P e a k R e ve rse V o l a g e
m
t
M a xi um R M S V o l a g e
m
t
M a xi um D C B l cki g V o l a g e
m
o
n
t
M a xi um A ve ra g e F o rw a rd C urre nt . 7 5 "(9 . m m )
m
3
5
l a d l ng t a t T c = 7 5
O
C
e
e
h
P e a k F o rw a rd S urg e C urre nt : . m s si g l ha l si e -w a ve
8 3
n e
f n
sup e ri p o se d o n ra t d l a d (JE D E C m e t o d )
m
e o
h
M a xi um F o rw a rd V o l a g e a t 3 . A
m
t
0
M a xi um D C R e ve rse C urre nt T
C
= 2 5
O
C
m
a t R a t d D C B l cki g V o l a g e T
C
= 1 0 0
O
C
e
o
n
t
Typ i a l T he rm a l R e si t nce
c
sa
O p e ra t ng Junct o n Te m p e ra t re R a ng e
i
i
u
S t ra g e Te m p e ra t re R a ng e
o
u
S Y M B O L S B 620C T S B 630C T S B 640C T S B 650C T S B 660C T U N I S
T
V
RRM
V
RM S
V
DC
I
V
A
F
I
SM
20
14
20
30
21
30
40
28
40
6.
0
75
50
35
50
60
42
60
V
V
V
A
A
V
F
0. 5
5
0.
2
15
6
80
-5 0 t + 1 2 5
o
-5 0 t + 1 5 0
o
0. 0
7
V
I
R
R
θ
JC
R
θ
JA
T
J
T
J
,
S TG
T
mA
O
C /W
O
C
C
O
NOTES:
Both Bonding and Chip structure are available.
STAD-AUG.09.2004
PAGE . 1
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