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PG100RS

产品描述1 A, 50 V, SILICON, SIGNAL DIODE
产品类别分立半导体    二极管   
文件大小38KB,共2页
制造商强茂(PANJIT)
官网地址http://www.panjit.com.tw/
标准

PANJIT 是一家全球 IDM,提供广泛的产品组合,包括 MOSFET、肖特基二极管、SiC 器件、双极结型晶体管和电桥等。公司旨在满足客户在汽车、电源、工业、计算、消费和通信等各种应用领域的需求。他们的愿景是通过质量可靠、节能高效的产品为世界提供电源,为人们带来更绿色、更智能的未来。公司核心价值观包括创新、责任、以客户为中心、学习与成长、相互信任和协作。

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PG100RS概述

1 A, 50 V, SILICON, SIGNAL DIODE

PG100RS规格参数

参数名称属性值
是否Rohs认证符合
包装说明ROHS COMPLIANT, PLASTIC, A-405, 2 PIN
针数2
Reach Compliance Code_compli
ECCN代码EAR99
外壳连接ISOLATED
配置SINGLE
二极管元件材料SILICON
二极管类型RECTIFIER DIODE
最大正向电压 (VF)1.3 V
JESD-30 代码O-PALF-W2
最大非重复峰值正向电流30 A
元件数量1
端子数量2
最高工作温度150 °C
最低工作温度-55 °C
最大输出电流1 A
封装主体材料PLASTIC/EPOXY
封装形状ROUND
封装形式LONG FORM
峰值回流温度(摄氏度)NOT SPECIFIED
认证状态Not Qualified
最大重复峰值反向电压50 V
最大反向恢复时间0.15 µs
表面贴装NO
端子形式WIRE
端子位置AXIAL
处于峰值回流温度下的最长时间NOT SPECIFIED
Base Number Matches1

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DATA SHEET
PG100RS~PG108RS
GLASS PASSIVATED JUNCTION FAST RECOVERY RECTIFIERS
VOLTAGE
FEATURES
• High current capability.
.025(.64)
50 to 800 Volts
CURRENT
1.0 Amperes
A-405
Unit: inch(mm)
• Low leakage.
• Fast switching for high efficiency.
• Exceeds environmental standards of MIL-S-19500/228
.205(5.2)
MECHANICALDATA
Case: Molded plastic, A-405
Terminals: Axial leads, solderable per MIL-STD-202,Method 208
Polarity: Band denotes cathode
Mounting Position: Any
Weight: 0.008 ounce, 0.22 gram
1.0(25.4)MIN.
.160(4.1)
• Both normal and Pb free product are available :
Normal : 80~95% Sn, 5~20% Pb
Pb free: 98.5% Sn above
1.0(25.4)MIN.
• Plastic package has Underwriters Laboratories
Flammability Classification 94V-O utilizing
Flame Retardant Epoxy Molding Compound.
.021(.53)
.107(2.7)
.080(2.0)
MAXIMUM RATINGS AND ELECTRICAL CHARACTERISTICS
Ratings at 25°C ambient temperature unless otherwise specified. Resistive or inductive load, 60Hz.
P A R A M E TE R
M a xim um R e curre nt P e a k R e ve rse V o l a g e
t
M a xim um R M S V o l a g e
t
M a xim um D C B l cking V o l a g e
o
t
M a xim um A ve ra g e F o rw a rd C urre nt .3 7 5 "(9 .5 m m )
l a d l ng th a t T
A
= 5 5
O
C
e
e
P e a k F o rw a rd S urg e C urre nt : 8 .3 m s sing l ha l sine -
e
f
w a ve sup e rim p o se d o n ra te d l a d (JE D E C m e tho d )
o
M a xim um F o rw a rd V o l a g e a t 1 .0 A
t
M a xim um D C R e ve rse C urre nt T
A
= 2 5
O
C
a t R a te d D C B l cking V o l a g e T
A
= 1 0 0
O
C
o
t
Typ ica l Junctio n ca p a cita nce (N o te 1 )
M a xim um R e ve rse R e co ve ry Tim e
Typ ica l T he rm a l R e sista nce
O p e ra ting Junctio n a nd S to ra g e Te m p e ra ture R a ng e
S YM B O L P G 100R S P G 101R S P G 102R S P G 104R S P G 106R S P G 108R S U N I S
T
V
RRM
V
RM S
V
DC
I
V
A
I
SM
F
V
F
R
I
50
35
50
100
70
100
200
140
200
1 .0
30
1 .3
5 .0
150
12
150
67
400
280
400
600
420
600
800
560
800
V
V
V
A
A
V
uA
pF
C
J
T
R R
R
θ
JA
T
J
,T
S TG
250
500
O
ns
C /W
O
-5 5 T O + 1 5 0
C
NOTES:1. Reverse Recovery Test Conditions: I
F
=.5A, I
R
=1A, I
rr
=.25A
2. Measured at 1 MHz and applied reverse voltage of 4.0 VDC
3. Thermal resistance from junction to ambient and from junction to lead length 0.375"(9.5mm) P.C.B. mounted
STAD-SEP.12.2004
PAGE . 1
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