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MMBTH10-T/R7

产品描述UHF BAND, Si, NPN, RF SMALL SIGNAL TRANSISTOR
产品类别半导体    分立半导体   
文件大小123KB,共3页
制造商强茂(PANJIT)
官网地址http://www.panjit.com.tw/

PANJIT 是一家全球 IDM,提供广泛的产品组合,包括 MOSFET、肖特基二极管、SiC 器件、双极结型晶体管和电桥等。公司旨在满足客户在汽车、电源、工业、计算、消费和通信等各种应用领域的需求。他们的愿景是通过质量可靠、节能高效的产品为世界提供电源,为人们带来更绿色、更智能的未来。公司核心价值观包括创新、责任、以客户为中心、学习与成长、相互信任和协作。

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MMBTH10-T/R7概述

UHF BAND, Si, NPN, RF SMALL SIGNAL TRANSISTOR

超高频波段, 硅, NPN, 射频小信号晶体管

MMBTH10-T/R7规格参数

参数名称属性值
端子数量3
晶体管极性NPN
最大集电极电流0.0500 A
最大集电极发射极电压25 V
无铅Yes
欧盟RoHS规范Yes
状态ACTIVE
包装形状RECTANGULAR
包装尺寸SMALL OUTLINE
表面贴装Yes
端子形式GULL WING
端子涂层MATTE TIN
端子位置DUAL
包装材料PLASTIC/EPOXY
结构SINGLE
元件数量1
晶体管应用AMPLIFIER
晶体管元件材料SILICON
晶体管类型RF SMALL SIGNAL
最高频带ULTRA HIGH FREQUENCY BAND
额定交叉频率650 MHz
最大集电极基极电容0.7000 pF

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MMBTH10
NPN HIGH FREQUENCY TRANSISTOR
This device is designed for VHF/UHF amplifier applications and high output
VHF oscillators.
3
COLLECTOR
1
BASE
SPECIFICATION FEATURES
Guaranteed Minimum Current Gain-Bandwidth Product of 650 MHz
Collector Currents up to 50mA
Industry Standard SOT-23 Package
1
2
2
EMITTER
APPLICATIONS
Low Noise VHF/UHF Amplifiers and Mixers
Low Frequency Drift, High Output Oscillators
SOT-23
3
MAXIMUM RATINGS
Rating
Collector-Emitter Voltage
Collector-Base Voltage
Emitter-Base Voltage
T
J
= 25°C
Symbol
V
CE0
V
CB0
V
EB0
I
C
P
D
TJ
T
stg
Value
25
30
3.0
50
225
-55 to 150
-55 to 150
Units
V
V
V
mA
mW
°C
°C
Collector Current - Continuous (Note 1)
Power Dissipation (Note 1)
Operating Temperature Range
Storage Temperature Range
THERMAL CHARACTERISTICS
CHARACTERISTIC
Thermal Resistance - Junction to Ambient (Note 1)
Symbol
R
th JA
Value
556
Units
°C/W
Note 1: Device mounted on FR-5 board 1.0 x 0.75 x 0.062 in. with recommended minimum pad layout
4/18/2006
Page
1
www.panjit.com
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