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MMBD770W

产品描述0.25 A, 70 V, SILICON, SIGNAL DIODE
产品类别分立半导体    二极管   
文件大小151KB,共3页
制造商强茂(PANJIT)
官网地址http://www.panjit.com.tw/
标准

PANJIT 是一家全球 IDM,提供广泛的产品组合,包括 MOSFET、肖特基二极管、SiC 器件、双极结型晶体管和电桥等。公司旨在满足客户在汽车、电源、工业、计算、消费和通信等各种应用领域的需求。他们的愿景是通过质量可靠、节能高效的产品为世界提供电源,为人们带来更绿色、更智能的未来。公司核心价值观包括创新、责任、以客户为中心、学习与成长、相互信任和协作。

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MMBD770W概述

0.25 A, 70 V, SILICON, SIGNAL DIODE

MMBD770W规格参数

参数名称属性值
是否无铅不含铅
是否Rohs认证符合
厂商名称强茂(PANJIT)
Objectid1009793250
包装说明ROHS COMPLIANT, PLASTIC PACKAGE-3
针数3
Reach Compliance Codecompli
ECCN代码EAR99
compound_id5640848
配置SINGLE
二极管元件材料SILICON
二极管类型RECTIFIER DIODE
JESD-30 代码R-PDSO-G3
元件数量1
端子数量3
最高工作温度125 °C
最低工作温度-50 °C
最大输出电流0.25 A
封装主体材料PLASTIC/EPOXY
封装形状RECTANGULAR
封装形式SMALL OUTLINE
峰值回流温度(摄氏度)NOT SPECIFIED
最大功率耗散0.18 W
认证状态Not Qualified
最大重复峰值反向电压70 V
表面贴装YES
技术SCHOTTKY
端子形式GULL WING
端子位置DUAL
处于峰值回流温度下的最长时间NOT SPECIFIED

MMBD770W文档预览

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DATA SHEET
MMBD770W
SURFACE MOUNT SCHOTTKY
DIODES
.004(.10)MIN.
SOT-323
Unit: inch (mm)
VOLTAGE
FEATURES
70
Volts
POWER
200mA
.087(2.2)
.070(1.8)
.054(1.35)
.045(1.15)
Extremely low minority carrier lifetime
Low capacitance ( 0.4pF @ 20V typical )
Low reverse leakage ( 30nA @ 35V typical )
Surface mount package ideally suited for automatic insertion
.
.056(1.40)
.047(1.20)
.006(.15)
.002(.05)
Both normal and Pb free product are available :
Normal : 80~95% Sn, 5~20%% Pb
Pb free: 99% Sn above
.004(.10)MAX.
MECHANICAL DATA
Case: SOT-323, Plastic
Terminals: Solderable per MIL-STD-202G, Method 208
Approx. Weight: 0.0048 gram
.016(.40)
.078(.20)
Marking : 770
MAXIMUM RATINGS
Ratings at 25
O
C ambient temperature unless otherwise specified.
PARAMETER
Maximum Reverse Voltage
Peak Reverse Voltage
Continuous Forward Current
Power Dissipation
(1)
SYMBOL
V
R
V
RRM
I
F
P
TOT
R
ΘJ
A
T
J
T
STG
VALUE
70
70
0.25
180
556
-50 to 125
-50 to 150
.044(1.1)
.035(0.9)
Thermal Resistance , Junction to Ambient
(1)
Junction Temperature
Storage Temperature
Notes : 1. FR-5 Board = 1.0 × 0.75 × 0.062 in.
ELECTRICAL CHARACTERISTICS (T
A
=25
O
C, unless otherwise noted)
PARAMETER
Reverse Breakdown Voltage
Reverse Current
Forward Voltage
Total Capacitance
SYMBOL
V
(BR)
I
R
V
F
C
T
TEST CONDITION
I
R
=10uA
V
F
=35V
I
F
=1mA
I
F
=10mA
V
R
=20V, f =1MHz
MIN.
70
-
-
-
-
TYP.
-
-
-
-
-
MAX.
-
0.2
0.5
1.0
1.0
UNIT
V
uA
V
pF
.087(2.2)
.078(2.0)
UNIT
V
V
A
mW
O
C/W
O
C
C
O
STAD-JAN.22.2005
PAGE . 1
一步一步教你用mbed开发UFUN
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