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MMBD330W

产品描述0.2 A, 30 V, SILICON, SIGNAL DIODE
产品类别分立半导体    二极管   
文件大小51KB,共4页
制造商强茂(PANJIT)
官网地址http://www.panjit.com.tw/
标准

PANJIT 是一家全球 IDM,提供广泛的产品组合,包括 MOSFET、肖特基二极管、SiC 器件、双极结型晶体管和电桥等。公司旨在满足客户在汽车、电源、工业、计算、消费和通信等各种应用领域的需求。他们的愿景是通过质量可靠、节能高效的产品为世界提供电源,为人们带来更绿色、更智能的未来。公司核心价值观包括创新、责任、以客户为中心、学习与成长、相互信任和协作。

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MMBD330W概述

0.2 A, 30 V, SILICON, SIGNAL DIODE

MMBD330W规格参数

参数名称属性值
是否Rohs认证符合
厂商名称强茂(PANJIT)
包装说明ROHS COMPLIANT, PLASTIC PACKAGE-3
针数3
Reach Compliance Codecompli
ECCN代码EAR99
配置SINGLE
二极管元件材料SILICON
二极管类型RECTIFIER DIODE
JESD-30 代码R-PDSO-G3
元件数量1
端子数量3
最高工作温度125 °C
最低工作温度-55 °C
最大输出电流0.2 A
封装主体材料PLASTIC/EPOXY
封装形状RECTANGULAR
封装形式SMALL OUTLINE
峰值回流温度(摄氏度)NOT SPECIFIED
最大功率耗散0.2 W
认证状态Not Qualified
最大重复峰值反向电压30 V
表面贴装YES
技术SCHOTTKY
端子形式GULL WING
端子位置DUAL
处于峰值回流温度下的最长时间NOT SPECIFIED

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DATA SHEET
MMBD330W
SURFACE MOUNT SCHOTTKY DIODE
VOLTAGE
FEATURES
.004(.10)MIN.
30 Volts
POWER
200 mWatts
SOT-323
Unit: inch (mm)
• Low Capacitance: 1.5 pF (Max) at V
R
=15V
• Very Low V
F
: 0.36V (Typ) at I
F
= 1mA
• Extremely Fast Switching Speed
.087(2.2)
.070(1.8)
.054(1.35)
.045(1.15)
MECHANICAL DATA
Case: SOT-323 plastic
Terminals: Solderable per MIL-STD-202, Method 208
Approx Weight: 0.008 gram
Marking: 330
.056(1.40)
.047(1.20)
.006(.15)
.002(.05)
.004(.10)MAX.
.016(.40)
.078(.20)
ABSOLUTE RATINGS
PARAMETER
Maximum Reverse Voltage
Peak Reverse Voltage
Maximum Forward Current
SYMBOL
V
R
V
RRM
I
F
Value
30
30
0.2
UNIT
V
V
A
THERMAL CHARACTERISTICS
PARAMETER
Power Dissipation (Note 1)
Thermal Resistance , Junction to Ambient (Note 1)
Junction Temperature
Storage Temperature
SYMBOL
Ptot
RθJ A
Tj
Tstg
Value
200
625
-55 to 125
-55 to 150
O
.044(1.1)
.035(0.9)
UNIT
mW
C/ W
O
Note
1. FR-5 Board = 1.0 x 0.75 x 0.062 in.
SINGLE
STAD-SEP.29.2003
.087(2.2)
.078(2.0)
C
C
O
PAGE . 1
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