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MMBD3004BRM

产品描述0.225 A, 350 V, 4 ELEMENT, SILICON, SIGNAL DIODE
产品类别半导体    分立半导体   
文件大小133KB,共3页
制造商强茂(PANJIT)
官网地址http://www.panjit.com.tw/

PANJIT 是一家全球 IDM,提供广泛的产品组合,包括 MOSFET、肖特基二极管、SiC 器件、双极结型晶体管和电桥等。公司旨在满足客户在汽车、电源、工业、计算、消费和通信等各种应用领域的需求。他们的愿景是通过质量可靠、节能高效的产品为世界提供电源,为人们带来更绿色、更智能的未来。公司核心价值观包括创新、责任、以客户为中心、学习与成长、相互信任和协作。

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MMBD3004BRM概述

0.225 A, 350 V, 4 ELEMENT, SILICON, SIGNAL DIODE

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MMBD3004BRM
SURFACE MOUNT HIGH VOLTAGE SWITCHING DIODE ARRAY
This device features two series-connected diode pairs which can be
connected to form a full-wave bridge. It is housed in a very small SOT23-6L
surface mount package.
SOT23-6L
FEATURES
High Reverse Voltage Rating
Fast Switching Speed
Low Capacitance
100% Matte Tin Finish (LEAD-FREE PRODUCT)
4
5
6
2
1
3
APPLICATIONS
Power Supplies
High Speed Rectification
6
5
4
1
Marking Code: 304
2
3
MAXIMUM RATINGS (Per Diode)
T
J
= 25°C Unless otherwise noted
Rating
Repetitive Peak Reverse Voltage
Continuous Reverse Voltage
RMS Reverse Voltage
Continuous Forward Current (Note 1)
Peak Repetitive Forward Current (Note 1)
Non-repetitive Peak Forward Current, t = 1sec, Square Wave
Total Power Dissipation (Note 1)
Operating Junction Temperature Range
Storage Temperature Range
Symbol
V
RRM
V
R
V
RMS
I
F
I
FRM
I
FSM
P
tot
T
J
T
stg
Value
350
300
212
225
625
1.0
350
-55 to +150
-55 to +150
Units
V
V
V
mA
mA
A
mW
°C
°C
THERMAL CHARACTERISTICS
Characteristic
Thermal Resistance, Junction to Ambient (Note 1)
Note 1. FR-5 Board 1.0 x 0.75 x 0.062 in.
Symbol
R
thja
Value
357
Units
°C/W
12/7/2005
Page 1
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