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MBR3030CT

产品描述30 A, 30 V, SILICON, RECTIFIER DIODE, TO-220AB
产品类别分立半导体    二极管   
文件大小46KB,共2页
制造商强茂(PANJIT)
官网地址http://www.panjit.com.tw/

PANJIT 是一家全球 IDM,提供广泛的产品组合,包括 MOSFET、肖特基二极管、SiC 器件、双极结型晶体管和电桥等。公司旨在满足客户在汽车、电源、工业、计算、消费和通信等各种应用领域的需求。他们的愿景是通过质量可靠、节能高效的产品为世界提供电源,为人们带来更绿色、更智能的未来。公司核心价值观包括创新、责任、以客户为中心、学习与成长、相互信任和协作。

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MBR3030CT概述

30 A, 30 V, SILICON, RECTIFIER DIODE, TO-220AB

MBR3030CT规格参数

参数名称属性值
厂商名称强茂(PANJIT)
Reach Compliance Codecompli

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MBR3020CT~MBR30100CT
SCHOTTKY BARRIER RECTIFIERS
VOLTAGE
FEATURES
• Plastic package has Underwriters Laboratory
Flammability Classification 94V-O.
Flame Retardant Epoxy Molding Compound.
• Exceeds environmental standards of
MIL-S-19500/228
• Low power loss, high efficiency.
• Low forwrd voltge, high current capability
• High surge capacity.
• For use in low voltage,high frequency inverters
free wheeling , and polarlity protection applications.
• In compliance with EU RoHS 2002/95/EC directives
.50(12.7)MIN
.419(10.66)
.387(9.85)
.139(3.55)
MIN
20 to 100 Volts
CURRENT
30.0 Amperes
TO-220AB
Unit : inch (mm)
.196(5.00)
.163(4.16)
.054(1.39)
.045(1.15)
.269(6.85)
.226(5.75)
.624(15.87)
MECHANICAL DATA
• Case: TO-220AB Molded plastic
• Terminals: Solder plated, solderable per MIL-STD-750, Method 2026
• Polarity: As marked.
• Standard packaging: Any
• Weight: 0.083 ounces, 2.24grams.
.038(0.96)
.019(0.50)
.177(4.5)MAX
.548(13.93)
.025(0.65)MAX
.1(2.54)
.1(2.54)
AC
Positive CT
AC
MAXIMUM RATINGS AND ELECTRICAL CHARACTERISTICS
Ratings at 25°C ambient temperature unless otherwise specified. Single phase, half wave, 60 Hz, resistive or inductive load.
For capacitive load, derate current by 20%
PA RA M E TE R
M a xi m um R e c ur r e nt P e a k R e ve r s e V o l t a g e
M a xi m um R M S V o l t a g e
M a xi m um D C B l o c k i ng V o l t a g e
M a xi m um A ve r a g e F o r w a r d C ur r e nt l e a d l e ng t h a t
T
C
= 9 0
O
C
P e a k F o r w a r d S ur g e C ur r e nt : 8 . 3 m s s i ng l e ha l f s i ne -
w a ve s up e r i m p o s e d o n r a t e d l o a d ( J E D E C m e t ho d )
M a xi m um F o r w a r d V o l t a g e a t 1 5 A , p e r l e g
M a xi m um D C R e ve r s e C ur r e nt T
J
= 2 5
O
C
a t R a t e d D C B l o c k i ng V o l t a g e T
J
= 1 0 0
O
C
Ty p i c a l T h e r m a l R e s i s t a n c e
O p e r a t i n g J u n c t i o n a n d S t o r a g e Te m p e r a t u r e R a n g e
S YM B O L M B R 3 0 2 0 C T M B R 3 0 3 0 C T M B R 3 0 3 5 C T M B R 3 0 4 0 C T M B R 3 0 4 5 C T M B R 3 0 4 5 C T M B R 3 0 5 0 C T M B R 3 0 6 0 C T M B R 3 0 8 0 C T M B R 3 0 1 0 0 C T U N I T S
V
RRM
V
RMS
V
D C
I
F ( A V )
I
F S M
V
F
I
R
R
θ
J C
T
J
, T
S T G
0 .5 5
0 .1
20
1 .5
- 5 0 TO + 1 5 0
O
20
14
20
30
21
30
35
2 4 .5
35
40
28
40
45
3 1 .5
45
30
275
45
3 1 .5
45
50
35
50
60
42
60
80
56
80
100
70
100
V
V
V
A
A
0 .7 0
0 .8 0
V
mA
C/W
O
C
NOTES:
Both Bonding and Chip structure are available.
STAD-MAR.14.2006
PAGE . 1
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