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MBR1020

产品描述10 A, 20 V, SILICON, RECTIFIER DIODE, TO-220AC
产品类别分立半导体    二极管   
文件大小418KB,共2页
制造商强茂(PANJIT)
官网地址http://www.panjit.com.tw/
标准

PANJIT 是一家全球 IDM,提供广泛的产品组合,包括 MOSFET、肖特基二极管、SiC 器件、双极结型晶体管和电桥等。公司旨在满足客户在汽车、电源、工业、计算、消费和通信等各种应用领域的需求。他们的愿景是通过质量可靠、节能高效的产品为世界提供电源,为人们带来更绿色、更智能的未来。公司核心价值观包括创新、责任、以客户为中心、学习与成长、相互信任和协作。

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MBR1020概述

10 A, 20 V, SILICON, RECTIFIER DIODE, TO-220AC

MBR1020规格参数

参数名称属性值
是否Rohs认证符合
厂商名称强茂(PANJIT)
包装说明R-PSFM-T2
Reach Compliance Code_compli
ECCN代码EAR99
其他特性FREE WHEELING DIODE, LOW POWER LOSS
应用EFFICIENCY
配置SINGLE
二极管元件材料SILICON
二极管类型RECTIFIER DIODE
最大正向电压 (VF)0.65 V
JEDEC-95代码TO-220AC
JESD-30 代码R-PSFM-T2
最大非重复峰值正向电流150 A
元件数量1
相数1
端子数量2
最高工作温度150 °C
最低工作温度-50 °C
最大输出电流10 A
封装主体材料PLASTIC/EPOXY
封装形状RECTANGULAR
封装形式FLANGE MOUNT
最大重复峰值反向电压20 V
最大反向电流100 µA
反向测试电压20 V
表面贴装NO
技术SCHOTTKY
端子形式THROUGH-HOLE
端子位置SINGLE

MBR1020文档预览

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MBR1020~MBR10100
10 AMPERES SCHOTTKY BARRIER RECTIFIERS
VOLTAGE
FEATURES
• Plastic package has Underwriters Laboratory
Flammability Classification 94V-O.
Flame Retardant Epoxy Molding Compound.
• Metal silicon junction, majority carrier conduction
• Low power loss, high efficiency.
• High current capability
• Guardring for overvlotage protection
• For use in low voltage,high frequency inverters
free wheeling , and polarlity protection applications.
environment substance directive request
.038(0.96)
.019(0.50)
20 to 100 Volts
CURRENT
10 Amperes
TO-220AC
Unit : inch (mm)
.419(10.66)
.387(9.85)
.139(3.55)
MIN
.196(5.00)
.163(4.16)
.054(1.39)
.045(1.15)
.269(6.85)
.226(5.75)
.624(15.87)
.50(12.7)MIN
• Pb free product are available : 99% Sn above can meet Rohs
.177(4.5)MAX
.548(13.93)
.025(0.65)MAX
MECHANICALDATA
Case: TO-220AC molded plastic
Terminals: solder plated, solderable per MIL-STD-750, Method 2026
Polarity: As marked.
Mounting Position: Any
Weight: 0.08 ounces, 2.24 grams.
.1(2.54)
.1(2.54)
MAXIMUM RATINGS AND ELECTRICAL CHARACTERISTICS
Ratings at 25°C ambient temperature unless otherwise specified. Single phase, half wave, 60 Hz, resistive or inductive load.
For capacitive load, derate current by 20%
PA RA M E TE R
M a xi m um R e c ur r e nt P e a k R e ve r s e V o l t a g e
M a xi m um R M S V o l t a g e
M a xi m um D C B l o c k i ng V o l t a g e
M a xi m um A ve r a g e F o r w a r d C ur r e nt ( S e e f i g . 1 )
P e a k F o r w a r d S ur g e C ur r e nt : 8 . 3 m s s i ng l e ha l f s i ne -
w a ve s up e r i m p o s e d o n r a t e d l o a d ( J E D E C m e t ho d )
M a xi m um F o r w a r d V o l t a g e a t 1 0 A , p e r l e g
M a x i m u m D C R e v e r s e C u r r e n t
Tc
= 2 5
O
C
a t R a t e d D C B l o c k i ng V o l t a g e T
c
= 1 2 5
O
C
Ty p i c a l T h e r m a l R e s i s t a n c e
O p e r a t i n g J u n c t i o n Te m p e r a t u r e R a n g e
S t o r a g e Te m p e r a t u r e R a n g e
S YM B O L
V
RRM
V
RMS
V
DC
I
AV
I
FSM
V
F
MB R1 0 2 0
20
14
20
MB R1 0 3 0
30
21
30
MB R1 0 4 0
40
28
40
MB R1 0 4 5
45
3 1 .5
45
10
150
MB R1 0 5 0
50
35
50
MB R1 0 6 0
60
42
60
MB R1 0 8 0
80
56
80
MB R1 0 1 0 0
100
70
100
U N IT S
V
V
V
A
A
0 .6 5
0 .1
15
2
- 5 0 TO + 1 5 0
- 5 0 TO + 1 7 5
0 .8
V
I
R
mA
RθJ C
T
J
T
STG
O
C/W
O
C
C
O
Notes :
Both Bonding and Chip structure are available.
REV.0-MAR.30.2005
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