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ER3A

产品描述3 A, SILICON, RECTIFIER DIODE, DO-214AB
产品类别分立半导体    二极管   
文件大小46KB,共2页
制造商强茂(PANJIT)
官网地址http://www.panjit.com.tw/
标准

PANJIT 是一家全球 IDM,提供广泛的产品组合,包括 MOSFET、肖特基二极管、SiC 器件、双极结型晶体管和电桥等。公司旨在满足客户在汽车、电源、工业、计算、消费和通信等各种应用领域的需求。他们的愿景是通过质量可靠、节能高效的产品为世界提供电源,为人们带来更绿色、更智能的未来。公司核心价值观包括创新、责任、以客户为中心、学习与成长、相互信任和协作。

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ER3A概述

3 A, SILICON, RECTIFIER DIODE, DO-214AB

ER3A规格参数

参数名称属性值
是否无铅不含铅
是否Rohs认证符合
厂商名称强茂(PANJIT)
零件包装代码DO-214AB
包装说明ROHS COMPLIANT, PLASTIC, SMC, 2 PIN
针数2
Reach Compliance Code_compli
ECCN代码EAR99
其他特性METALLURGICALLY BONDED
应用GENERAL PURPOSE
配置SINGLE
二极管元件材料SILICON
二极管类型RECTIFIER DIODE
最大正向电压 (VF)0.95 V
JEDEC-95代码DO-214AB
JESD-30 代码R-PDSO-C2
最大非重复峰值正向电流100 A
元件数量1
相数1
端子数量2
最高工作温度150 °C
最低工作温度-55 °C
最大输出电流3 A
封装主体材料PLASTIC/EPOXY
封装形状RECTANGULAR
封装形式SMALL OUTLINE
峰值回流温度(摄氏度)NOT SPECIFIED
认证状态Not Qualified
最大重复峰值反向电压50 V
最大反向恢复时间0.035 µs
表面贴装YES
端子形式C BEND
端子位置DUAL
处于峰值回流温度下的最长时间NOT SPECIFIED

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DATA SHEET
ER3A~ER3J
SURFACE MOUNT RECTIFIER
VOLTAGE
FEATURES
• For surface mounted applications
.128(3.25)
.108(2.75)
.245(6.22)
.220(5.59)
50 to 600 Volts
CURRENT
3.0 Amperes
SMC/DO-214AB
Unit: inch (mm)
• High temperature metallurgically bonded-no compression
contacts as found in other diode-constructed rectifiers
• Glass passivated junction
• Built-in strain relief
• Easy pick and place
• Plastic package has Underwriters Laboratory Flammability
Classification 94V-O
Both normal and Pb free product are available :
.280(7.11)
.260(6.60)
.012(.305)
.006(.152)
Normal : 80~95% Sn, 5~20% Pb
Pb free: 98.5% Sn above
.103(2.62)
.079(2.00)
.050(1.27)
.030(0.76)
.320(8.13)
.305(7.75)
MECHANICALDATA
Case: JEDEC DO-214AB molded plastic
Terminals: Solder plated, solderable per MIL-STD-750,
Method 2026
Polarity: Indicated by cathode band
Standard packaging: 16mm tape (EIA-481)
Weight: 0.007 ounce, 0.21 gram
.008(.203)
.002(.051)
MAXIMUM RATINGS AND ELECTRICAL CHARACTERISTICS
Ratings at 25°C ambient temperature unless otherwise specified. Single phase, half wave, 60 Hz, resistive or inductive load.
For capacitive load, derate current by 20%.
P A R A M E TE R
M a xi um R e curre nt P e a k R e ve rse V o l a g e
m
t
M a xi um R M S V o l a g e
m
t
M a xi um D C B l cki g V o l a g e
m
o
n
t
M a xi um A ve ra g e F o rw a rd C urre nt . 7 5 "(9 . m m )
m
3
5
l a d l ng t a t T
L
= 7 5
O
C
e
e
h
P e a k F o rw a rd S urg e C urre nt : 8 . m s si g l ha l si e -w a ve
3
n e
f n
sup e ri p o se d o n ra t d l a d (JE D E C m e t o d )
m
e o
h
M a xi um F o rw a rd V o l a g e a t 3 . A
m
t
0
M a xi um D C R e ve rse C urre nt T
A
= 2 5
O
C
m
a t R a t d D C B l cki g V o l a g e T
A
= 1 0 0
O
C
e
o
n
t
M a xi um R e ve rse R e co ve ry Ti e (N o t 1 )
m
m
e
Typ i a l Junct o n ca p a ci a nce (N o t 2 )
c
i
t
e
M a xi um t e rm a l R e si t nce (N o t 3 )
m
h
sa
e
O p e ra t ng a nd S t ra g e Te m p e ra t re R a ng e
i
o
u
S YM B O L
V
RRM
V
RM S
V
DC
I
V
A
I
SM
F
V
F
I
R
T
R R
C
J
R
θ
JL
T
J
,
S TG
T
0. 5
9
5.
0
200
35
45
16
-5 0 T O + 1 5 0
O
E R 3A
50
35
50
E R 3B
100
70
100
E R 3C
150
105
150
E R 3D
200
140
200
3.
0
100
E R 3E
300
210
300
E R 3G
400
280
400
E R 3J
600
420
600
UNI S
T
V
V
V
A
A
1. 5
2
1.
7
V
uA
ns
pF
C /W
O
C
NOTES:1. Reverse Recovery Test Conditions: I
F
=0.5A, I
R
=1.0A, I
rr
=0.25A
2. Measured at 1 MHz and applied V
r
= 4.0 volts.
3. 8.0 mm
2
( .013mm thick ) land areas.
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