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ER1A_04

产品描述1 A, 300 V, SILICON, SIGNAL DIODE, DO-214AA
产品类别半导体    分立半导体   
文件大小41KB,共2页
制造商强茂(PANJIT)
官网地址http://www.panjit.com.tw/

PANJIT 是一家全球 IDM,提供广泛的产品组合,包括 MOSFET、肖特基二极管、SiC 器件、双极结型晶体管和电桥等。公司旨在满足客户在汽车、电源、工业、计算、消费和通信等各种应用领域的需求。他们的愿景是通过质量可靠、节能高效的产品为世界提供电源,为人们带来更绿色、更智能的未来。公司核心价值观包括创新、责任、以客户为中心、学习与成长、相互信任和协作。

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ER1A_04概述

1 A, 300 V, SILICON, SIGNAL DIODE, DO-214AA

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DATA SHEET
ER1A~ER1J
SURFACE MOUNT SUPERFAST RECTIFIER
CURRENT
1.0 Amperes
VOLTAGE
50 to 600 Volts
FEATURES
For surface mounted applications
Low profile package
Built-in strain relief
Easy pick and place
Superfast recovery times for high efficiency.
Plastic package has Underwriters Laboratory
Flammability Classification 94V-O
• Glass passivated junction
• Both normal and Pb free product are available :
Normal : 80~95% Sn, 5~20% Pb
Pb free: 98.5% Sn above
.155(3.94)
.130(3.30)
.083(2.11)
.075(1.91)
SMB/DO-214AA
Unit: inch (mm)
.185(4.70)
.160(4.06)
.012(.305)
.006(.152)
.096(2.44)
.083(2.13)
MECHANICAL DATA
Case: JEDEC DO-214AA molded plastic
Terminals: Solder plated, solderable per MIL-STD-750,Method 2026
Polarity: Indicated by cathode band
Standard packaging: 12mm tape (EIA-481)
Weight: 0.003 ounce, 0.093 gram
.050(1.27)
.030(0.76)
.008(.203)
.002(.051)
.220(5.59)
.200(5.08)
MAXIMUM RATINGS AND ELECTRICAL CHARACTERISTICS
Ratings at 25°C ambient temperature unless otherwise specified. Single phase, half wave, 60 Hz, resistive or inductive load.
For capacitive load, derate current by 20%.
PA RA M E TE R
M a xi m um R e c ur r e nt P e a k R e ve r s e V o l t a g e
M a xi m um R M S V o l t a g e
M a xi m um D C B l o c k i ng V o l t a g e
M a xi m um A ve r a g e F o r w a r d C ur r e nt . 3 7 5 " ( 9 . 5 m m )
l e a d l e ng t h a t T
L
= 1 0 0
O
C
P e a k F o r w a r d S ur g e C ur r e nt : 8 . 3 m s s i ng l e ha l f s i ne - w a ve
s up e r i m p o s e d o n r a t e d l o a d ( J E D E C m e t ho d )
M a xi m um F o r w a r d V o l t a g e a t 1 . 0 A
M a x i m u m D C R e v e r s e C u r r e n t Ta = 2 5
O
C
a t R a t e d D C B l o c k i n g V o l t a g e Ta = 1 0 0
O
C
M a x i m u m R e v e r s e R e c o v e r y Ti m e ( N O T E 1 )
Ty p i c a l J u n c t i o n c a p a c i t a n c e ( N o t e 2 )
M a xi m um The r m a l R e s i s t a nc e ( N o t e 3 )
O p e r a t i n g J u n c t i o n a n d S t o r a g e Te m p e r a t u r e R a n g e
S YM B O L
V
RRM
V
RM S
V
DC
I
AV
I
F S M
V
F
I
R
T
RR
C
J
Rθ J L
T
J
, T
S TG
0 .9 5
5 .0
150
35
1 0 .0
34
- 5 0 TO + 1 5 0
O
E R1 A
50
35
50
E R1 B
100
70
100
E R1 C
150
105
150
E R1 D
200
140
200
1 .0
30
E R1 E
300
210
300
E R1 G
400
280
400
E R1 J
600
420
600
U N IT S
V
V
V
A
A
1 .2 5
1 .7
V
uA
ns
pF
C / W
O
C
NOTES:
1.Reverse Recovery Tset Conditions:I
F
=0.5A,I
R
=1.0A,Irr=0.25A
2.Measured at 1.0MHz and applied reverse voltage of 4.0 volts.
3.8.0mm
2
( .013mm thick ) land areas.
STAD-FEB.20.2004
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