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ER1001CT

产品描述10 A, 100 V, SILICON, RECTIFIER DIODE, TO-220AB
产品类别分立半导体    二极管   
文件大小38KB,共2页
制造商强茂(PANJIT)
官网地址http://www.panjit.com.tw/
标准

PANJIT 是一家全球 IDM,提供广泛的产品组合,包括 MOSFET、肖特基二极管、SiC 器件、双极结型晶体管和电桥等。公司旨在满足客户在汽车、电源、工业、计算、消费和通信等各种应用领域的需求。他们的愿景是通过质量可靠、节能高效的产品为世界提供电源,为人们带来更绿色、更智能的未来。公司核心价值观包括创新、责任、以客户为中心、学习与成长、相互信任和协作。

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ER1001CT概述

10 A, 100 V, SILICON, RECTIFIER DIODE, TO-220AB

ER1001CT规格参数

参数名称属性值
是否Rohs认证符合
厂商名称强茂(PANJIT)
零件包装代码TO-220AB
包装说明R-PSFM-T3
针数3
Reach Compliance Code_compli
其他特性LOW POWER LOSS
应用EFFICIENCY
配置COMMON CATHODE, 2 ELEMENTS
二极管元件材料SILICON
二极管类型RECTIFIER DIODE
最大正向电压 (VF)0.95 V
JEDEC-95代码TO-220AB
JESD-30 代码R-PSFM-T3
最大非重复峰值正向电流150 A
元件数量2
相数1
端子数量3
最高工作温度150 °C
最低工作温度-55 °C
最大输出电流10 A
封装主体材料PLASTIC/EPOXY
封装形状RECTANGULAR
封装形式FLANGE MOUNT
峰值回流温度(摄氏度)NOT SPECIFIED
认证状态Not Qualified
最大重复峰值反向电压100 V
最大反向恢复时间0.035 µs
表面贴装NO
端子形式THROUGH-HOLE
端子位置SINGLE
处于峰值回流温度下的最长时间NOT SPECIFIED

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DATA SHEET
ER1000CT~ER1004CT
SUPERFAST RECOVERY RECTIFIERS
VOLTAGE
FEATURES
50 to 400 Volts
CURRENT
10 Amperes
TO-220AB
Unit : inch (mm)
• Plastic package has Underwriters Laboratory
Flammability Classification 94V-O.
Flame Retardant Epoxy Molding Compound.
• Exceeds environmental standards of MIL-S-19500/228
• Low power loss, high efficiency.
• Low forwrd voltge, high current capability
• High surge capacity.
• Super fast recovery times, high voltage.
• Pb free product are available :
99% Sn above can meet Rohs environment
substance directive request
.419(10.66)
.387(9.85)
.139(3.55)
MIN
.196(5.00)
.163(4.16)
.054(1.39)
.045(1.15)
.269(6.85)
.226(5.75)
.624(15.87)
.50(12.7)MIN
MECHANICALDATA
Case: TO-220AB Molded plastic
Terminals: Lead solderable per MIL-STD-202G, Method 208
Polarity: As marked.
Standard packaging: Any
Weight: 0.08 ounces, 2.24grams.
.038(0.96)
.019(0.50)
.177(4.5)MAX
.548(13.93)
.025(0.65)MAX
.1(2.54)
.1(2.54)
AC
Positive CT
AC
MAXIMUM RATING AND ELECTRICAL CHARACTERISTICS
Ratings at 25°C ambient temperature unless otherwise specified. Single phase, half wave, 60 Hz, resistive or inductive load.
For capacitive load, derate current by 20%
PA RA M E TE R
M a xi m um R e c ur r e nt P e a k R e ve r s e V o l t a g e
M a xi m um R M S V o l t a g e
M a xi m um D C B l o c k i ng V o l t a g e
M a xi m um A ve r a g e F o r w a r d C ur r e nt . 3 7 5 " ( 9 . 5 m m )
l e a d l e n g t h a t Tc = 1 0 0
O
C
P e a k F o r w a r d S ur g e C ur r e nt , 8 . 3 m s s i ng l e ha l f s i ne - w a ve
s up e r i m p o s e d o n r a t e d l o a d ( J E D E C m e t ho d )
M a xi m um F o r w a r d V o l t a g e a t 5 A , p e r e l e m e nt
M a x i m u m D C R e v e r s e C u r r e n t a t TA = 2 5
O
C
R a t e d D C B l o c k i n g V o l t a g e TA = 1 0 0
O
C
M a x i m u m R e v e r s e R e c o v e r y Ti m e ( N o t e 2 )
Ty p i c a l J u n c t i o n c a p a c i t a n c e ( N o t e 1 )
M a xi m um The r m a l R e s i s t a nc e
O p e r a t i n g J u n c t i o n a n d S t o r a g e Te m p e r a t u r e R a n g e
S YM B O L E R 1 0 0 0 C T E R 1 0 0 1 C T E R 1 0 0 1 A C T E R 1 0 0 2 C T E R 1 0 0 3 C T E R 1 0 0 4 C T
V
RRM
V
RMS
V
DC
I
AV
I
F S M
V
F
I
R
T
RR
C
J
Rθ J C
T
J
, T
S TG
35
62
3 .0
- 5 0 TO + 1 5 0
0 .9 5
10
500
50
50
35
50
100
70
100
150
105
150
1 0 .0
150
1 .3 0
200
140
200
300
210
300
400
280
400
U N IT S
V
V
V
A
A
V
uA
ns
pF
O
C / W
O
C
NOTES:
1. Measured at 1 MHz and applied reverse voltage of 4.0 VDC.
2. Reverse Recovery Test Conditions: I
F
=.5A, I
R
=1A, Irr=.25A.
3. Both Bonding and Chip structure are available.
STAD-NOV.24.2004
PAGE . 1
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