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1U1_05

产品描述1 A, 50 V, SILICON, SIGNAL DIODE
产品类别半导体    分立半导体   
文件大小57KB,共2页
制造商强茂(PANJIT)
官网地址http://www.panjit.com.tw/

PANJIT 是一家全球 IDM,提供广泛的产品组合,包括 MOSFET、肖特基二极管、SiC 器件、双极结型晶体管和电桥等。公司旨在满足客户在汽车、电源、工业、计算、消费和通信等各种应用领域的需求。他们的愿景是通过质量可靠、节能高效的产品为世界提供电源,为人们带来更绿色、更智能的未来。公司核心价值观包括创新、责任、以客户为中心、学习与成长、相互信任和协作。

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1U1_05概述

1 A, 50 V, SILICON, SIGNAL DIODE

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DATA SHEET
1U1 thru 1U7
ULTRAFAST RECOVERY RECTIFIERS
VOLTAGE
FEATURES
50 to 1000 Volts
CURRENT
1.0 Amperes
R-1
Unit: inch(mm)
.787(20.0)MIN.
• Plastic package has Underwriters Laboratory
Flammability Classification 94V-O utilizing
Flame Retardant Epoxy Molding Compound
• Exceeds environmental standards of MIL-S-19500/228.
• Ultra Fast switching for high efficiency.
• Pb free product are available :
99% Sn above can meet Rohs environment
substance directive request
.138(3.5)
.025(.64)
.021(.53)
MECHANICAL DATA
Case: Molded plastic, R-1
Terminals: Axial leads, solderable per MIL-STD-202G,Method 208
Polarity: Band denotes cathode
Mounting Position: Any
Weight: 0.0064 ounce,
181mg
.114(2.9)
.787(20.0)MIN.
.102(2.6)
.087(2.2)
MAXIMUM RATINGS AND ELECTRICAL CHARACTERISTICS
Ratings at 25°C ambient temperature unless otherwise specified. Resistive or inductive load, 60Hz.
PARAMETER
Maximum Recurrent Peak Reverse Voltage
Maximum RMS Voltage
Maximum DC Blocking Voltage
Maximum Average Forward Current .375"(9.5mm)
lead length at T
A
=55
O
C
Peak Forward Surge Current : 8.3ms single half sine-wave
superimposed on rated load(JEDEC method)
Maximum Forward Voltage at 1.0A
Maximum DC Reverse Current at Rated DC Blocking Voltage T
J
=25
O
C
Maximum DC Reverse Current at Rated DC Blocking Voltage T
J
=100
O
C
Typical Junction capacitance (Note 1)
Typical Thermal Resistance(Note 2)
Maximum Reverse Recovery Time (Note 3)
Operating Junction and Storage Temperature Range
SYMBOL
V
RRM
V
RMS
V
DC
I
AV
I
FSM
V
F
1.0
1U1
50
35
50
1U2
100
70
100
1U3
200
140
200
1U4
400
280
400
1.0
30
1U5
600
420
600
1U6
800
560
800
1U7
1000
700
1000
UNITS
V
V
V
A
A
1.1
10.0
500
17
65
50
-55 TO +150
1.7
V
I
R
uA
C
J
RθJA
T
RR
T
J
,T
STG
pF
O
C/W
ns
O
75
C
NOTES:
1. Measured at 1 MHz and applied reverse voltage of 4.0 VDC.
2. Thermal Resistance from Junction to Ambient and from Junction to lead length 0.375”(9.5mm) P.C.B. mounted.
3. Reverse Recovery Time I
F
=.5A ,I
R
=1A , I
rr
=.25A
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PAGE . 1
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