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HYS64D64020GBDL-6-C

产品描述200-Pin Small Outline Dual-In-Line Memory Modules
产品类别存储    存储   
文件大小803KB,共30页
制造商QIMONDA
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HYS64D64020GBDL-6-C概述

200-Pin Small Outline Dual-In-Line Memory Modules

HYS64D64020GBDL-6-C规格参数

参数名称属性值
是否Rohs认证不符合
厂商名称QIMONDA
零件包装代码SODIMM
包装说明DIMM, DIMM200,24
针数200
Reach Compliance Codeunknow
ECCN代码EAR99
访问模式DUAL BANK PAGE BURST
最长访问时间0.7 ns
其他特性AUTO/SELF REFRESH
最大时钟频率 (fCLK)166 MHz
I/O 类型COMMON
JESD-30 代码R-XZMA-N200
JESD-609代码e4
内存密度4294967296 bi
内存集成电路类型DDR DRAM MODULE
内存宽度64
湿度敏感等级3
功能数量1
端口数量1
端子数量200
字数67108864 words
字数代码64000000
工作模式SYNCHRONOUS
最高工作温度70 °C
最低工作温度
组织64MX64
输出特性3-STATE
封装主体材料UNSPECIFIED
封装代码DIMM
封装等效代码DIMM200,24
封装形状RECTANGULAR
封装形式MICROELECTRONIC ASSEMBLY
峰值回流温度(摄氏度)245
电源2.5 V
认证状态Not Qualified
刷新周期8192
自我刷新YES
最大压摆率2.08 mA
最大供电电压 (Vsup)2.7 V
最小供电电压 (Vsup)2.3 V
标称供电电压 (Vsup)2.5 V
表面贴装NO
技术CMOS
温度等级COMMERCIAL
端子面层Gold (Au)
端子形式NO LEAD
端子节距0.6 mm
端子位置ZIG-ZAG
处于峰值回流温度下的最长时间20

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