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IDT71V256SA12PZI

产品描述Cache SRAM, 32KX8, 12ns, CMOS, PDSO28, 0.300 INCH, TSOP1-28
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文件大小87KB,共8页
制造商IDT (Integrated Device Technology)
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IDT71V256SA12PZI概述

Cache SRAM, 32KX8, 12ns, CMOS, PDSO28, 0.300 INCH, TSOP1-28

IDT71V256SA12PZI规格参数

参数名称属性值
是否Rohs认证不符合
厂商名称IDT (Integrated Device Technology)
零件包装代码TSOP
包装说明TSOP1,
针数28
Reach Compliance Codecompliant
ECCN代码EAR99
最长访问时间12 ns
JESD-30 代码R-PDSO-G28
JESD-609代码e0
长度11.8 mm
内存密度262144 bit
内存集成电路类型CACHE SRAM
内存宽度8
湿度敏感等级3
功能数量1
端子数量28
字数32768 words
字数代码32000
工作模式ASYNCHRONOUS
最高工作温度85 °C
最低工作温度-40 °C
组织32KX8
封装主体材料PLASTIC/EPOXY
封装代码TSOP1
封装形状RECTANGULAR
封装形式SMALL OUTLINE, THIN PROFILE
并行/串行PARALLEL
峰值回流温度(摄氏度)240
认证状态Not Qualified
座面最大高度1.2 mm
最大供电电压 (Vsup)3.6 V
最小供电电压 (Vsup)3 V
标称供电电压 (Vsup)3.3 V
表面贴装YES
技术CMOS
温度等级INDUSTRIAL
端子面层TIN LEAD
端子形式GULL WING
端子节距0.55 mm
端子位置DUAL
处于峰值回流温度下的最长时间20
宽度8 mm
Base Number Matches1

IDT71V256SA12PZI相似产品对比

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描述 Cache SRAM, 32KX8, 12ns, CMOS, PDSO28, 0.300 INCH, TSOP1-28 Cache SRAM, 32KX8, 12ns, CMOS, PDSO28, 0.300 INCH, SOJ-28 Cache SRAM, 32KX8, 15ns, CMOS, PDSO28, 0.300 INCH, TSOP1-28 Cache SRAM, 32KX8, 10ns, CMOS, PDSO28, 0.300 INCH, SOJ-28 Cache SRAM, 32KX8, 20ns, CMOS, PDSO28, 0.300 INCH, SOJ-28 Cache SRAM, 32KX8, 10ns, CMOS, PDSO28, 0.300 INCH, TSOP1-28
是否Rohs认证 不符合 不符合 不符合 不符合 不符合 不符合
厂商名称 IDT (Integrated Device Technology) IDT (Integrated Device Technology) IDT (Integrated Device Technology) IDT (Integrated Device Technology) IDT (Integrated Device Technology) IDT (Integrated Device Technology)
零件包装代码 TSOP SOJ TSOP SOJ SOJ TSOP
包装说明 TSOP1, SOJ, 0.300 INCH, TSOP1-28 SOJ, SOJ, TSOP1,
针数 28 28 28 28 28 28
Reach Compliance Code compliant compliant not_compliant compliant compliant compliant
ECCN代码 EAR99 EAR99 EAR99 EAR99 EAR99 EAR99
最长访问时间 12 ns 12 ns 15 ns 10 ns 20 ns 10 ns
JESD-30 代码 R-PDSO-G28 R-PDSO-J28 R-PDSO-G28 R-PDSO-J28 R-PDSO-J28 R-PDSO-G28
JESD-609代码 e0 e0 e0 e0 e0 e0
长度 11.8 mm 17.9324 mm 11.8 mm 17.9324 mm 17.9324 mm 11.8 mm
内存密度 262144 bit 262144 bit 262144 bit 262144 bit 262144 bit 262144 bit
内存集成电路类型 CACHE SRAM CACHE SRAM CACHE SRAM CACHE SRAM CACHE SRAM CACHE SRAM
内存宽度 8 8 8 8 8 8
功能数量 1 1 1 1 1 1
端子数量 28 28 28 28 28 28
字数 32768 words 32768 words 32768 words 32768 words 32768 words 32768 words
字数代码 32000 32000 32000 32000 32000 32000
工作模式 ASYNCHRONOUS ASYNCHRONOUS ASYNCHRONOUS ASYNCHRONOUS ASYNCHRONOUS ASYNCHRONOUS
最高工作温度 85 °C 85 °C 70 °C 85 °C 85 °C 85 °C
最低工作温度 -40 °C -40 °C - -40 °C -40 °C -40 °C
组织 32KX8 32KX8 32KX8 32KX8 32KX8 32KX8
封装主体材料 PLASTIC/EPOXY PLASTIC/EPOXY PLASTIC/EPOXY PLASTIC/EPOXY PLASTIC/EPOXY PLASTIC/EPOXY
封装代码 TSOP1 SOJ TSOP1 SOJ SOJ TSOP1
封装形状 RECTANGULAR RECTANGULAR RECTANGULAR RECTANGULAR RECTANGULAR RECTANGULAR
封装形式 SMALL OUTLINE, THIN PROFILE SMALL OUTLINE SMALL OUTLINE, THIN PROFILE SMALL OUTLINE SMALL OUTLINE SMALL OUTLINE, THIN PROFILE
并行/串行 PARALLEL PARALLEL PARALLEL PARALLEL PARALLEL PARALLEL
峰值回流温度(摄氏度) 240 225 240 225 225 240
认证状态 Not Qualified Not Qualified Not Qualified Not Qualified Not Qualified Not Qualified
座面最大高度 1.2 mm 3.556 mm 1.2 mm 3.556 mm 3.556 mm 1.2 mm
最大供电电压 (Vsup) 3.6 V 3.6 V 3.6 V 3.6 V 3.6 V 3.6 V
最小供电电压 (Vsup) 3 V 3 V 3 V 3 V 3 V 3 V
标称供电电压 (Vsup) 3.3 V 3.3 V 3.3 V 3.3 V 3.3 V 3.3 V
表面贴装 YES YES YES YES YES YES
技术 CMOS CMOS CMOS CMOS CMOS CMOS
温度等级 INDUSTRIAL INDUSTRIAL COMMERCIAL INDUSTRIAL INDUSTRIAL INDUSTRIAL
端子面层 TIN LEAD TIN LEAD Tin/Lead (Sn85Pb15) TIN LEAD TIN LEAD TIN LEAD
端子形式 GULL WING J BEND GULL WING J BEND J BEND GULL WING
端子节距 0.55 mm 1.27 mm 0.55 mm 1.27 mm 1.27 mm 0.55 mm
端子位置 DUAL DUAL DUAL DUAL DUAL DUAL
处于峰值回流温度下的最长时间 20 30 20 30 30 20
宽度 8 mm 7.5184 mm 8 mm 7.5184 mm 7.5184 mm 8 mm
Base Number Matches 1 1 1 1 - -
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