Datasheet> 器件分类 > 存储> 存储> EN39SL160L-70BIP

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EN39SL160L-70BIP: 产品描述Flash, 1MX16, 70ns, PBGA48, BGA-48; 产品类别存储存储; 文件大小573KB，共52页; 制造商台湾晶豪(ESMT); 官网地址http://www.esmt.com.tw/; 标准; 晶豪科技股份有限公司 ( Elite Semiconductor Memory Technology Inc., ESMT) 为一专业 IC 设计公司，于 1998 年 6 月由赵瑚博士成立 , 总部设立于台湾之新竹科学工业园区。本公司主要业务包含 IC 产品之研究、开发、制造、销售及相关技术服务，并已于 2002 年 3 月在台湾证券交易所挂牌上市。

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EN39SL160L-70BIP概述

Flash, 1MX16, 70ns, PBGA48, BGA-48

EN39SL160L-70BIP规格参数

参数名称	属性值
是否Rohs认证	符合
厂商名称	台湾晶豪(ESMT)
包装说明	LFBGA,
Reach Compliance Code	unknown
最长访问时间	70 ns
备用内存宽度	8
启动块	BOTTOM/TOP
JESD-30 代码	R-PBGA-B48
长度	8 mm
内存密度	16777216 bit
内存集成电路类型	FLASH
内存宽度	16
功能数量	1
端子数量	48
字数	1048576 words
字数代码	1000000
工作模式	ASYNCHRONOUS
最高工作温度	85 °C
最低工作温度	-40 °C
组织	1MX16
封装主体材料	PLASTIC/EPOXY
封装代码	LFBGA
封装形状	RECTANGULAR
封装形式	GRID ARRAY, LOW PROFILE, FINE PITCH
并行/串行	PARALLEL
峰值回流温度（摄氏度）	NOT SPECIFIED
编程电压	1.8 V
座面最大高度	1.3 mm
最大供电电压 (Vsup)	1.95 V
最小供电电压 (Vsup)	1.65 V
标称供电电压 (Vsup)	1.8 V
表面贴装	YES
技术	CMOS
温度等级	INDUSTRIAL
端子形式	BALL
端子节距	0.8 mm
端子位置	BOTTOM
处于峰值回流温度下的最长时间	NOT SPECIFIED
类型	NOR TYPE
宽度	6 mm
Base Number Matches	1

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EN39SL160H/L

16 Megabit (2048K x 8-bit / 1024K x 16-bit) Flash Memory With

4Kbytes Uniform Sector, CMOS 1.8 Volt-only

FEATURES

•

Single power supply operation

- Full voltage range:1.65-1.95 volt for read and

write operations.

- Ideal for battery-powered applications.

•

High performance

- Access times as fast as 70 ns

•

Low power consumption (typical values at 5

MHz)

- 5 mA typical active read current

- 15 mA typical program/erase current

- 0.2

μA

typical standby current

•

Uniform Sector Architecture:

- 512 sectors of 4-Kbyte / 2-Kword

- 32 blocks of 64-Kbyte / 32-Kword

- Any sector or block can be erased individually

•

WP#/ACC Input pin:

- Write protect (WP#) function allows protection

the first or last blocks, regardless of block

protect status

- Acceleration (ACC) function acceleration

program timing.

•

Block protection:

- Hardware locking of blocks to prevent

program or erase operations within individual

blocks

- Additionally, temporary Block Unprotect

allows code changes in previously locked

blocks.

•

High performance program/erase speed

Byte/Word program time: 5µs/7µs typical

Sector erase time: 90ms typical

Block erase time: 400ms typical

Chip erase time: 7 s typical

•

JEDEC Standard Embedded Erase and

Program Algorithms

•

JEDEC standard DATA# polling and toggle

bits feature

•

Single Sector, Block and Chip Erase

•

Block Unprotect Mode

•

Erase Suspend / Resume modes:

Read or program another Sector/Block during

Erase Suspend Mode

•

Low Vcc write inhibit < 1.2V

•

Minimum 100K endurance cycle

•

Package Options

48-pin TSOP (Type 1)

48-ball 6mm x 8mm TFBGA

48-ball 4mm x 6mm WFBGA

•

Industrial temperature Range

GENERAL DESCRIPTION

The EN39SL160H/L is a 16-Megabit, electrically erasable, read/write non-volatile flash memory,

organized as 2,097,152 bytes or 1,048,576 words. Any byte can be programmed typically in 5µs.The

EN39SL160H/L features 1.8V voltage read and write operation, with access time as fast as 70ns to

eliminate the need for WAIT statements in high-performance microprocessor systems.

The EN39SL160H/L has separate Output Enable (OE#), Chip Enable (CE#), and Write Enable (WE#)

controls, which eliminate bus contention issues. This device is designed to allow either single Sector/Block

or full chip erase operation, where each block can be individually protected against program/erase

operations or temporarily unprotected to erase or program. The device can sustain a minimum of 100K

program/erase cycles on each sector or block.

This Data Sheet may be revised by subsequent versions

or modifications due to changes in technical specifications.

www.eonssi.com

Rev. E, Issue Date: 2009/07/13

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