电子工程世界电子工程世界电子工程世界

关键词

搜索

型号

搜索

3DD13002N8DB2

产品描述Transistor
产品类别晶体管   
文件大小1MB,共1页
制造商长电科技(JCET)
官网地址http://www.cj-elec.com/

江苏长电科技股份有限公司专注于半导体封装测试业务,为海内外客户提供芯片测试、封装设计、封装测试等全套解决方案。公司于2003年在上海主板成功上市,成为国内首家半导体封测上市公司,现已拥有国家级企业技术中心、博士后科研工作站,是国家重点高新技术企业、高密度集成电路国家工程实验室依托单位及集成电路封装技术创新战略联盟的理事长单位。

分立器件:二极管(开关二极管,肖特基二极管(肖特基整流管),稳压二极管,Pin二极管,TVS二极管,整流二极管,快恢复二极管);晶体管(达林顿管,数字晶体管,MOSFET);晶闸管:可控硅整流器,三端双向可控硅;复合管:晶体管+场效应管,双晶体管,双数字晶体管,数字晶体管+晶体管,晶体管+二极管,场效应管+二极管,双场效应管。稳压电路;节能灯充电器开关管

引线框架:TO系列(TO);SOD系列(SOD);SOT系列(TSOT,SOT);FBP系列(WBFBP);QFN系列(QFNWB,DFNWB,DFNFC,QFNFC);QFP系列(LQFP:PQFP:PLCC:TQFP);SIP系列(SIP,HSIP,FSIP);SOP系列(SOP,HSOP,SSOP,MSOP,HTSOP,TSSOP);DIP系列(DIP,FDIP,SDIP);PDFN系列;PQFN系列;MIS系列(MISFC,MISWB)

九大核心技术:硅穿孔(TSV)封装技术;SiP射频封装技术;圆片级三维再布线封装工艺技术;铜凸点互连技术;高密度FC-BGA封测技术(Flip Chip BGA);多圈阵列四边无引脚封测技术;封装体三维立体堆叠技术;50μm以下超薄芯片三维立体堆叠封装技术;MEMS多芯片封装技术;MIS封装技术(预包封互联系统);BGA封装技术等。

 

 

下载文档 详细参数 全文预览

3DD13002N8DB2概述

Transistor

3DD13002N8DB2规格参数

参数名称属性值
厂商名称长电科技(JCET)
包装说明,
Reach Compliance Codeunknown
Base Number Matches1

3DD13002N8DB2文档预览

下载PDF文档
JIANGSU CHANGJIANG ELECTRONICS TECHNOLOGY CO., LTD
TO-126 Plastic-Encapsulate Transistors
3DD13002N8D
TRANSISTOR (NPN)
FEATURES
Power switching applications
Good high temperature
Low saturation voltage
High speed switching
MAXIMUM RATINGS (T
a
=25℃ unless otherwise noted)
Symbol
V
CBO
V
CEO
V
EBO
I
C
P
C
T
j
T
stg
TO-126
1. BASE
2. COLLECTOR
3. EMITTER
Parameter
Collector-Base Voltage
Collector-Emitter Voltage
Emitter-Base Voltage
Collector Current -Continuous
Collector Power Dissipation
Junction Temperature
Storage Temperature
Value
700
400
9
1
1.25
150
-55~150
Unit
V
V
V
A
W
ELECTRICAL CHARACTERISTICS (T
a
=25℃ unless otherwise specified)
Parameter
Collector-base breakdown voltage
Collector-emitter breakdown voltage
Emitter-base breakdown voltage
Collector cut-off current
Collector cut-off current
Emitter cut-off current
DC current gain
h
FE(2)
Collector-emitter saturation voltage
Base-emitter saturation voltage
Emitter-Collector voltage
Storage time
V
CE(sat)
V
BE(sat)
V
ECF
V
CE
=10V, I
C
=0.25mA
I
C
=200mA,I
B
=40mA
I
C
=200mA,I
B
=40mA
I
C
=2A
I
C
=100mA (UI9600)
2
5
0.5
1.1
2
4
V
V
V
μs
Symbol
V
(BR)CBO
V
(BR)CEO
V
(BR)EBO
I
CBO
I
CEO
I
EBO
h
FE(1)
Test conditions
I
C
=0.1mA,I
E
=0
I
C
=1mA,I
B
=0
I
E
=0.1mA,I
C
=0
V
CB
=700V,I
E
=0
V
CE
=400V,I
B
=0
V
EB
=9V,I
C
=0
V
CE
=10V, I
C
=200mA
10
Min
700
400
9
100
100
100
40
Typ
M
ax
Unit
V
V
V
µA
µA
µA
t
S
CLASSIFICATION OF h
FE(1)
Range
10-15
15-20
20-25
25-30
30-35
35-40
CLASSIFICATION OF
t
S
Rank
Range
A1
2-2.5 (µs )
A2
2.5-3(µs )
B1
3-3.5(µs )
B2
3.5-4 (µs )
A,Dec,2010
高速运放布线的疑问
图片中蓝色背景的那句话,我的理解是,为了进一步降低负输入引脚寄生电容的影响,应该把地层在此处空出来一块,不做包地处理。总觉得很难理解,是不是我理解错了,请大神解惑。这段话出自,High ......
young2015 PCB设计
关于PLC程序设计的标准化
我从事PLC编程工作有一年时间了,感觉每遇到一个设备就要单独设计一套程序。请问大神们有没有一种通用的程序模板可以套用的?...
nysqzmc DSP 与 ARM 处理器
AD9851产生的信号 能控制相位吗? 并且怎样实现 信号正交
本帖最后由 paulhyde 于 2014-9-15 03:10 编辑 据说 今年需要正交信号,用AD9851 怎么实现呢? 请 高手 指教! ...
丨小李 电子竞赛
MEMS 压力传感器解决人机界面新痛点
压感的想象空间有多大? Will 表示,MEMS 压力传感器相对于传统的触控而言,是一种全新的交互方式补充。直观而言,“触摸”是一个动作,“施压”也是一个动作。大脑 ......
btty038 机器人开发
f2407的AD转换
我最近在做AD转换,具体是这样的:我用电位器的电压做给定,通过AD转换,转换结果作为和定时器比较寄存器比较的依据. 可是怎样看AD转换后的结果?是不是真的电位器给定的值变化,AD结果寄存器的值就 ......
yxj2046 微控制器 MCU
systick做为系统时间使用(非延时)
基本能搜到的systick 都是作为延时使用的,因为设计需求我更多实用的是系统时间判断。假如我有个LED,需要每10S闪一下,并且单片机还需要做其他的工作,用延时工作效率太低了,开个定时器又太浪 ......
虚V界 stm32/stm8
小广播

 
EEWorld订阅号

 
EEWorld服务号

 
汽车开发圈

 
机器人开发圈

About Us 关于我们 客户服务 联系方式 器件索引 网站地图 最新更新 手机版

站点相关: 大学堂 TI培训 Datasheet 电子工程

器件索引   0 1 2 3 4 5 6 7 8 9 A B C D E F G H I J K L M N O P Q R S T U V W X Y Z

北京市海淀区中关村大街18号B座15层1530室 电话:(010)82350740 邮编:100190

电子工程世界版权所有 京B2-20211791 京ICP备10001474号-1 电信业务审批[2006]字第258号函 京公网安备 11010802033920号 Copyright © 2005-2026 EEWORLD.com.cn, Inc. All rights reserved