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71V3577SA80BQGI8

产品描述Cache SRAM
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文件大小254KB,共22页
制造商IDT (Integrated Device Technology)
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71V3577SA80BQGI8概述

Cache SRAM

71V3577SA80BQGI8规格参数

参数名称属性值
厂商名称IDT (Integrated Device Technology)
包装说明BGA,
Reach Compliance Codecompliant
最长访问时间8 ns
JESD-30 代码R-PBGA-B165
内存密度4718592 bit
内存集成电路类型CACHE SRAM
内存宽度36
功能数量1
端子数量165
字数131072 words
字数代码128000
工作模式SYNCHRONOUS
最高工作温度85 °C
最低工作温度-40 °C
组织128KX36
封装主体材料PLASTIC/EPOXY
封装代码BGA
封装形状RECTANGULAR
封装形式GRID ARRAY
并行/串行PARALLEL
最大供电电压 (Vsup)3.465 V
最小供电电压 (Vsup)3.135 V
标称供电电压 (Vsup)3.3 V
表面贴装YES
技术CMOS
温度等级INDUSTRIAL
端子形式BALL
端子位置BOTTOM
Base Number Matches1
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