Dual-Port SRAM, 256KX18, 15ns, CMOS, PBGA208, FINE PITCH, BGA-208
| 参数名称 | 属性值 |
| 是否无铅 | 不含铅 |
| 是否Rohs认证 | 符合 |
| 厂商名称 | IDT (Integrated Device Technology) |
| 零件包装代码 | BGA |
| 包装说明 | TFBGA, |
| 针数 | 208 |
| Reach Compliance Code | compliant |
| ECCN代码 | 3A991.B.2.A |
| 最长访问时间 | 15 ns |
| JESD-30 代码 | S-PBGA-B208 |
| JESD-609代码 | e1 |
| 长度 | 15 mm |
| 内存密度 | 4718592 bit |
| 内存集成电路类型 | DUAL-PORT SRAM |
| 内存宽度 | 18 |
| 湿度敏感等级 | 3 |
| 功能数量 | 1 |
| 端子数量 | 208 |
| 字数 | 262144 words |
| 字数代码 | 256000 |
| 工作模式 | ASYNCHRONOUS |
| 最高工作温度 | 85 °C |
| 最低工作温度 | -40 °C |
| 组织 | 256KX18 |
| 封装主体材料 | PLASTIC/EPOXY |
| 封装代码 | TFBGA |
| 封装形状 | SQUARE |
| 封装形式 | GRID ARRAY, THIN PROFILE, FINE PITCH |
| 并行/串行 | PARALLEL |
| 峰值回流温度（摄氏度） | 260 |
| 认证状态 | Not Qualified |
| 座面最大高度 | 1.2 mm |
| 最大供电电压 (Vsup) | 3.45 V |
| 最小供电电压 (Vsup) | 3.15 V |
| 标称供电电压 (Vsup) | 3.3 V |
| 表面贴装 | YES |
| 技术 | CMOS |
| 温度等级 | INDUSTRIAL |
| 端子面层 | Tin/Silver/Copper (Sn/Ag/Cu) |
| 端子形式 | BALL |
| 端子节距 | 0.8 mm |
| 端子位置 | BOTTOM |
| 处于峰值回流温度下的最长时间 | 30 |
| 宽度 | 15 mm |
| Base Number Matches | 1 |
| IDT70V631S15BFGI | IDT70V631S15PRFGI | IDT70V631S15BCGI | |
|---|---|---|---|
| 描述 | Dual-Port SRAM, 256KX18, 15ns, CMOS, PBGA208, FINE PITCH, BGA-208 | Dual-Port SRAM, 256KX18, 15ns, CMOS, PQFP128, TQFP-128 | Dual-Port SRAM, 256KX18, 15ns, CMOS, PBGA256, BGA-256 |
| 是否无铅 | 不含铅 | 不含铅 | 不含铅 |
| 是否Rohs认证 | 符合 | 符合 | 符合 |
| 厂商名称 | IDT (Integrated Device Technology) | IDT (Integrated Device Technology) | IDT (Integrated Device Technology) |
| 零件包装代码 | BGA | QFP | BGA |
| 包装说明 | TFBGA, | TQFP-128 | LBGA, |
| 针数 | 208 | 128 | 256 |
| Reach Compliance Code | compliant | compliant | compliant |
| ECCN代码 | 3A991.B.2.A | 3A991.B.2.A | 3A991.B.2.A |
| 最长访问时间 | 15 ns | 15 ns | 15 ns |
| JESD-30 代码 | S-PBGA-B208 | R-PQFP-G128 | S-PBGA-B256 |
| JESD-609代码 | e1 | e3 | e1 |
| 长度 | 15 mm | 20 mm | 17 mm |
| 内存密度 | 4718592 bit | 4718592 bit | 4718592 bit |
| 内存集成电路类型 | DUAL-PORT SRAM | DUAL-PORT SRAM | DUAL-PORT SRAM |
| 内存宽度 | 18 | 18 | 18 |
| 湿度敏感等级 | 3 | 3 | 3 |
| 功能数量 | 1 | 1 | 1 |
| 端子数量 | 208 | 128 | 256 |
| 字数 | 262144 words | 262144 words | 262144 words |
| 字数代码 | 256000 | 256000 | 256000 |
| 工作模式 | ASYNCHRONOUS | ASYNCHRONOUS | ASYNCHRONOUS |
| 最高工作温度 | 85 °C | 85 °C | 85 °C |
| 最低工作温度 | -40 °C | -40 °C | -40 °C |
| 组织 | 256KX18 | 256KX18 | 256KX18 |
| 封装主体材料 | PLASTIC/EPOXY | PLASTIC/EPOXY | PLASTIC/EPOXY |
| 封装代码 | TFBGA | LFQFP | LBGA |
| 封装形状 | SQUARE | RECTANGULAR | SQUARE |
| 封装形式 | GRID ARRAY, THIN PROFILE, FINE PITCH | FLATPACK, LOW PROFILE, FINE PITCH | GRID ARRAY, LOW PROFILE |
| 并行/串行 | PARALLEL | PARALLEL | PARALLEL |
| 峰值回流温度（摄氏度） | 260 | 260 | 260 |
| 认证状态 | Not Qualified | Not Qualified | Not Qualified |
| 座面最大高度 | 1.2 mm | 1.6 mm | 1.5 mm |
| 最大供电电压 (Vsup) | 3.45 V | 3.45 V | 3.45 V |
| 最小供电电压 (Vsup) | 3.15 V | 3.15 V | 3.15 V |
| 标称供电电压 (Vsup) | 3.3 V | 3.3 V | 3.3 V |
| 表面贴装 | YES | YES | YES |
| 技术 | CMOS | CMOS | CMOS |
| 温度等级 | INDUSTRIAL | INDUSTRIAL | INDUSTRIAL |
| 端子面层 | Tin/Silver/Copper (Sn/Ag/Cu) | Matte Tin (Sn) | Tin/Silver/Copper (Sn/Ag/Cu) |
| 端子形式 | BALL | GULL WING | BALL |
| 端子节距 | 0.8 mm | 0.5 mm | 1 mm |
| 端子位置 | BOTTOM | QUAD | BOTTOM |
| 处于峰值回流温度下的最长时间 | 30 | 30 | 30 |
| 宽度 | 15 mm | 14 mm | 17 mm |
| Base Number Matches | 1 | 1 | 1 |
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