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DTD143ES

产品描述500mA / 50V Digital transistors (with built-in resistors)
产品类别分立半导体    晶体管   
文件大小53KB,共3页
制造商ROHM(罗姆半导体)
官网地址https://www.rohm.com/
标准
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DTD143ES概述

500mA / 50V Digital transistors (with built-in resistors)

DTD143ES规格参数

参数名称属性值
是否Rohs认证符合
厂商名称ROHM(罗姆半导体)
零件包装代码SC-72
包装说明IN-LINE, R-PSIP-T3
针数3
Reach Compliance Codecompli
ECCN代码EAR99
其他特性BUILT IN BIAS RESISTOR RATIO 1
最大集电极电流 (IC)0.5 A
集电极-发射极最大电压50 V
配置SINGLE WITH BUILT-IN RESISTOR
最小直流电流增益 (hFE)47
JESD-30 代码R-PSIP-T3
JESD-609代码e1
元件数量1
端子数量3
最高工作温度150 °C
封装主体材料PLASTIC/EPOXY
封装形状RECTANGULAR
封装形式IN-LINE
峰值回流温度(摄氏度)260
极性/信道类型NPN
最大功率耗散 (Abs)0.3 W
认证状态Not Qualified
表面贴装NO
端子面层TIN SILVER COPPER
端子形式THROUGH-HOLE
端子位置SINGLE
处于峰值回流温度下的最长时间10
晶体管应用SWITCHING
晶体管元件材料SILICON
标称过渡频率 (fT)200 MHz
VCEsat-Max0.3 V

DTD143ES相似产品对比

DTD143ES DTD143EC DTD143EK_1
描述 500mA / 50V Digital transistors (with built-in resistors) 500mA / 50V Digital transistors (with built-in resistors) 500mA / 50V Digital transistors (with built-in resistors)
是否Rohs认证 符合 符合 -
厂商名称 ROHM(罗姆半导体) ROHM(罗姆半导体) -
包装说明 IN-LINE, R-PSIP-T3 SMALL OUTLINE, R-PDSO-G3 -
针数 3 3 -
Reach Compliance Code compli compli -
ECCN代码 EAR99 EAR99 -
其他特性 BUILT IN BIAS RESISTOR RATIO 1 BUILT IN BIAS RESISTOR RATIO 1 -
最大集电极电流 (IC) 0.5 A 0.5 A -
集电极-发射极最大电压 50 V 50 V -
配置 SINGLE WITH BUILT-IN RESISTOR SINGLE WITH BUILT-IN RESISTOR -
最小直流电流增益 (hFE) 47 47 -
JESD-30 代码 R-PSIP-T3 R-PDSO-G3 -
JESD-609代码 e1 e1 -
元件数量 1 1 -
端子数量 3 3 -
最高工作温度 150 °C 150 °C -
封装主体材料 PLASTIC/EPOXY PLASTIC/EPOXY -
封装形状 RECTANGULAR RECTANGULAR -
封装形式 IN-LINE SMALL OUTLINE -
峰值回流温度(摄氏度) 260 260 -
极性/信道类型 NPN NPN -
最大功率耗散 (Abs) 0.3 W 0.2 W -
认证状态 Not Qualified Not Qualified -
表面贴装 NO YES -
端子面层 TIN SILVER COPPER TIN SILVER COPPER -
端子形式 THROUGH-HOLE GULL WING -
端子位置 SINGLE DUAL -
处于峰值回流温度下的最长时间 10 10 -
晶体管应用 SWITCHING SWITCHING -
晶体管元件材料 SILICON SILICON -
标称过渡频率 (fT) 200 MHz 200 MHz -

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