128M EDO DRAM (16-Mword x 8-bit) 8k refresh/4k refresh
| 参数名称 | 属性值 |
| 是否Rohs认证 | 不符合 |
| 厂商名称 | Hitachi （Renesas ） |
| 零件包装代码 | TSOP2 |
| 包装说明 | 0.400 INCH, PLASTIC, TSOP2-32 |
| 针数 | 32 |
| Reach Compliance Code | unknow |
| ECCN代码 | EAR99 |
| Is Samacsys | N |
| 访问模式 | EDO PAGE |
| 最长访问时间 | 60 ns |
| 其他特性 | RAS ONLY/CAS BEFORE RAS/HIDDEN REFRESH/BATTERY BACKUP/SELF REFRESH |
| I/O 类型 | COMMON |
| JESD-30 代码 | R-PDSO-G32 |
| JESD-609代码 | e0 |
| 长度 | 20.95 mm |
| 内存密度 | 134217728 bi |
| 内存集成电路类型 | EDO DRAM |
| 内存宽度 | 8 |
| 功能数量 | 1 |
| 端口数量 | 1 |
| 端子数量 | 32 |
| 字数 | 16777216 words |
| 字数代码 | 16000000 |
| 工作模式 | ASYNCHRONOUS |
| 最高工作温度 | 70 °C |
| 最低工作温度 | |
| 组织 | 16MX8 |
| 输出特性 | 3-STATE |
| 封装主体材料 | PLASTIC/EPOXY |
| 封装代码 | TSOP2 |
| 封装等效代码 | TSOP32,.46 |
| 封装形状 | RECTANGULAR |
| 封装形式 | SMALL OUTLINE, THIN PROFILE |
| 电源 | 3.3 V |
| 认证状态 | Not Qualified |
| 刷新周期 | 8192 |
| 座面最大高度 | 1.2 mm |
| 自我刷新 | YES |
| 最大待机电流 | 0.001 A |
| 最大压摆率 | 0.2 mA |
| 最大供电电压 (Vsup) | 3.6 V |
| 最小供电电压 (Vsup) | 3 V |
| 标称供电电压 (Vsup) | 3.3 V |
| 表面贴装 | YES |
| 技术 | CMOS |
| 温度等级 | COMMERCIAL |
| 端子面层 | Tin/Lead (Sn/Pb) |
| 端子形式 | GULL WING |
| 端子节距 | 1.27 mm |
| 端子位置 | DUAL |
| 宽度 | 10.16 mm |
| Base Number Matches | 1 |
| HM5112805FLTD-6 | HM5112805F-6 | HM5112805FTD-6 | HM5113805F-6 | HM5113805FLTD-6 | HM5113805FTD-6 | |
|---|---|---|---|---|---|---|
| 描述 | 128M EDO DRAM (16-Mword x 8-bit) 8k refresh/4k refresh | 128M EDO DRAM (16-Mword x 8-bit) 8k refresh/4k refresh | 128M EDO DRAM (16-Mword x 8-bit) 8k refresh/4k refresh | 128M EDO DRAM (16-Mword x 8-bit) 8k refresh/4k refresh | 128M EDO DRAM (16-Mword x 8-bit) 8k refresh/4k refresh | 128M EDO DRAM (16-Mword x 8-bit) 8k refresh/4k refresh |
| 是否Rohs认证 | 不符合 | - | 不符合 | - | 不符合 | 不符合 |
| 厂商名称 | Hitachi （Renesas ） | - | Hitachi （Renesas ） | - | Hitachi （Renesas ） | Hitachi （Renesas ） |
| 零件包装代码 | TSOP2 | - | TSOP2 | - | TSOP2 | TSOP2 |
| 包装说明 | 0.400 INCH, PLASTIC, TSOP2-32 | - | TSOP2, TSOP32,.46 | - | TSOP2, TSOP32,.46 | TSOP2, TSOP32,.46 |
| 针数 | 32 | - | 32 | - | 32 | 32 |
| Reach Compliance Code | unknow | - | unknow | - | unknow | unknow |
| ECCN代码 | EAR99 | - | EAR99 | - | EAR99 | EAR99 |
| Is Samacsys | N | - | N | - | N | N |
| 访问模式 | EDO PAGE | - | EDO PAGE | - | EDO PAGE | EDO PAGE |
| 最长访问时间 | 60 ns | - | 60 ns | - | 60 ns | 60 ns |
| 其他特性 | RAS ONLY/CAS BEFORE RAS/HIDDEN REFRESH/BATTERY BACKUP/SELF REFRESH | - | RAS ONLY/CAS BEFORE RAS/HIDDEN REFRESH | - | RAS ONLY/CAS BEFORE RAS/HIDDEN REFRESH/BATTERY BACKUP/SELF REFRESH | RAS ONLY/CAS BEFORE RAS/HIDDEN REFRESH |
| I/O 类型 | COMMON | - | COMMON | - | COMMON | COMMON |
| JESD-30 代码 | R-PDSO-G32 | - | R-PDSO-G32 | - | R-PDSO-G32 | R-PDSO-G32 |
| JESD-609代码 | e0 | - | e0 | - | e0 | e0 |
| 长度 | 20.95 mm | - | 20.95 mm | - | 20.95 mm | 20.95 mm |
| 内存密度 | 134217728 bi | - | 134217728 bi | - | 134217728 bi | 134217728 bi |
| 内存集成电路类型 | EDO DRAM | - | EDO DRAM | - | EDO DRAM | EDO DRAM |
| 内存宽度 | 8 | - | 8 | - | 8 | 8 |
| 功能数量 | 1 | - | 1 | - | 1 | 1 |
| 端口数量 | 1 | - | 1 | - | 1 | 1 |
| 端子数量 | 32 | - | 32 | - | 32 | 32 |
| 字数 | 16777216 words | - | 16777216 words | - | 16777216 words | 16777216 words |
| 字数代码 | 16000000 | - | 16000000 | - | 16000000 | 16000000 |
| 工作模式 | ASYNCHRONOUS | - | ASYNCHRONOUS | - | ASYNCHRONOUS | ASYNCHRONOUS |
| 最高工作温度 | 70 °C | - | 70 °C | - | 70 °C | 70 °C |
| 组织 | 16MX8 | - | 16MX8 | - | 16MX8 | 16MX8 |
| 输出特性 | 3-STATE | - | 3-STATE | - | 3-STATE | 3-STATE |
| 封装主体材料 | PLASTIC/EPOXY | - | PLASTIC/EPOXY | - | PLASTIC/EPOXY | PLASTIC/EPOXY |
| 封装代码 | TSOP2 | - | TSOP2 | - | TSOP2 | TSOP2 |
| 封装等效代码 | TSOP32,.46 | - | TSOP32,.46 | - | TSOP32,.46 | TSOP32,.46 |
| 封装形状 | RECTANGULAR | - | RECTANGULAR | - | RECTANGULAR | RECTANGULAR |
| 封装形式 | SMALL OUTLINE, THIN PROFILE | - | SMALL OUTLINE, THIN PROFILE | - | SMALL OUTLINE, THIN PROFILE | SMALL OUTLINE, THIN PROFILE |
| 电源 | 3.3 V | - | 3.3 V | - | 3.3 V | 3.3 V |
| 认证状态 | Not Qualified | - | Not Qualified | - | Not Qualified | Not Qualified |
| 刷新周期 | 8192 | - | 8192 | - | 4096 | 4096 |
| 座面最大高度 | 1.2 mm | - | 1.2 mm | - | 1.2 mm | 1.2 mm |
| 自我刷新 | YES | - | NO | - | YES | NO |
| 最大待机电流 | 0.001 A | - | 0.001 A | - | 0.0005 A | 0.001 A |
| 最大压摆率 | 0.2 mA | - | 0.2 mA | - | 0.22 mA | 0.22 mA |
| 最大供电电压 (Vsup) | 3.6 V | - | 3.6 V | - | 3.6 V | 3.6 V |
| 最小供电电压 (Vsup) | 3 V | - | 3 V | - | 3 V | 3 V |
| 标称供电电压 (Vsup) | 3.3 V | - | 3.3 V | - | 3.3 V | 3.3 V |
| 表面贴装 | YES | - | YES | - | YES | YES |
| 技术 | CMOS | - | CMOS | - | CMOS | CMOS |
| 温度等级 | COMMERCIAL | - | COMMERCIAL | - | COMMERCIAL | COMMERCIAL |
| 端子面层 | Tin/Lead (Sn/Pb) | - | Tin/Lead (Sn/Pb) | - | Tin/Lead (Sn/Pb) | Tin/Lead (Sn/Pb) |
| 端子形式 | GULL WING | - | GULL WING | - | GULL WING | GULL WING |
| 端子节距 | 1.27 mm | - | 1.27 mm | - | 1.27 mm | 1.27 mm |
| 端子位置 | DUAL | - | DUAL | - | DUAL | DUAL |
| 宽度 | 10.16 mm | - | 10.16 mm | - | 10.16 mm | 10.16 mm |
| Base Number Matches | 1 | - | 1 | - | 1 | 1 |
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