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2CW032091JL-R

产品描述Zener Diode, 9.1V V(Z), 1.4%,
产品类别分立半导体    二极管   
文件大小61KB,共3页
制造商士兰微(Silan)
官网地址http://www.silanic.com.cn/
标准
杭州士兰微电子股份有限公司(上交所股票代码:士兰微,600460)坐落于杭州高新技术产业开发区,是专业从事集成电路芯片设计以及半导体微电子相关产品生产的高新技术企业,公司目前的主要产品是集成电路和半导体产品。
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2CW032091JL-R概述

Zener Diode, 9.1V V(Z), 1.4%,

2CW032091JL-R规格参数

参数名称属性值
是否Rohs认证符合
厂商名称士兰微(Silan)
Reach Compliance Codecompliant
ECCN代码EAR99
配置SINGLE
二极管类型ZENER DIODE
最大动态阻抗10 Ω
元件数量1
最高工作温度175 °C
标称参考电压9.1 V
表面贴装YES
最大电压容差1.4%
工作测试电流5 mA
Base Number Matches1

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2CW032XXXJL-R
2CW032XXXJL-R SERIES ZENER DIODE CHIPS FOR PLASTIC PACKAGE
WITH ASYMMETRY LIMITS
DESCRIPTION
Ø
2CW032XXXJL-R series are low-power zener diode
chips for plastic package that fabricated in silicon
epitaxial planar technology.
Ø
The series is asymmetrical regulator voltage chips, that
is the upper limit and lower limit is asymmetrical, e.g.
Vz=3.0V chips: the upper limit is 3.25V, the lower limit Is
2.95V ,the specification design is better suitable for
user’ using habit.
s
Ø
The chip thickness is 180µm or 150µm. The top
electrode material is Al, and the back-side electrode
material is Au.
2CW032XXXJL-R CHIP TOPOGRAPHY
ABSOLUTE MAXIMUM RATINGS
Characteristics
Junction Temperature
Storage Temperature
Symbol
T
j
T
stg
Test conditions
----
----
Value
175
-55~+175
Unit
°C
°C
WAFER INFORMATION
Item
Wafer Size
Gross Dies
Die Size(La)
Top Pad Size(Lb)
Wafer Thickness
Top Metal / Thickness
Back Metal / Thickness
Passivation / Thickness
Scribe Line with
description
5Inch
100,000 dice/ wafer
320µm
180µm
180±20µm or 155±20µm
Al:2µm
Au :1.5µm
SiO2 :1.0µm
40µm
HANGZHOU SILAN MICROELECTRONICS CO.,LTD
Http://www.silan.com.cn
REV:1.1
2010.03.17
Page 1 of 3
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