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DN2535N3-G

产品描述MOSFET 350V 25Ohm
产品类别分立半导体    晶体管   
文件大小729KB,共6页
制造商Microchip(微芯科技)
官网地址https://www.microchip.com
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DN2535N3-G概述

MOSFET 350V 25Ohm

DN2535N3-G规格参数

参数名称属性值
是否Rohs认证符合
包装说明CYLINDRICAL, O-PBCY-T3
Reach Compliance Codecompliant
ECCN代码EAR99
Factory Lead Time13 weeks
其他特性HIGH INPUT IMPEDANCE
配置SINGLE WITH BUILT-IN DIODE
最小漏源击穿电压350 V
最大漏极电流 (ID)0.12 A
最大漏源导通电阻25 Ω
FET 技术METAL-OXIDE SEMICONDUCTOR
最大反馈电容 (Crss)5 pF
JEDEC-95代码TO-92
JESD-30 代码O-PBCY-T3
JESD-609代码e3
元件数量1
端子数量3
工作模式DEPLETION MODE
最高工作温度150 °C
封装主体材料PLASTIC/EPOXY
封装形状ROUND
封装形式CYLINDRICAL
峰值回流温度(摄氏度)NOT APPLICABLE
极性/信道类型N-CHANNEL
最大功率耗散 (Abs)1 W
认证状态Not Qualified
表面贴装NO
端子面层Matte Tin (Sn)
端子形式THROUGH-HOLE
端子位置BOTTOM
处于峰值回流温度下的最长时间NOT APPLICABLE
晶体管应用SWITCHING
晶体管元件材料SILICON
Base Number Matches1

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