电子工程世界电子工程世界电子工程世界

关键词

搜索

型号

搜索

1N5233-35B

产品描述Zener Diode, 6V V(Z), 5%, 0.5W, Silicon, Unidirectional, DO-35, ROHS COMPLIANT, GLASS PACKAGE-2
产品类别分立半导体    二极管   
文件大小87KB,共3页
制造商强茂(PANJIT)
官网地址http://www.panjit.com.tw/
标准

PANJIT 是一家全球 IDM,提供广泛的产品组合,包括 MOSFET、肖特基二极管、SiC 器件、双极结型晶体管和电桥等。公司旨在满足客户在汽车、电源、工业、计算、消费和通信等各种应用领域的需求。他们的愿景是通过质量可靠、节能高效的产品为世界提供电源,为人们带来更绿色、更智能的未来。公司核心价值观包括创新、责任、以客户为中心、学习与成长、相互信任和协作。

下载文档 详细参数 全文预览

1N5233-35B概述

Zener Diode, 6V V(Z), 5%, 0.5W, Silicon, Unidirectional, DO-35, ROHS COMPLIANT, GLASS PACKAGE-2

1N5233-35B规格参数

参数名称属性值
是否无铅不含铅
是否Rohs认证符合
零件包装代码DO-35
包装说明ROHS COMPLIANT, GLASS PACKAGE-2
针数2
Reach Compliance Code_compli
ECCN代码EAR99
外壳连接ISOLATED
配置SINGLE
二极管元件材料SILICON
二极管类型ZENER DIODE
JEDEC-95代码DO-35
JESD-30 代码O-LALF-W2
元件数量1
端子数量2
最高工作温度175 °C
封装主体材料GLASS
封装形状ROUND
封装形式LONG FORM
峰值回流温度(摄氏度)NOT SPECIFIED
极性UNIDIRECTIONAL
最大功率耗散0.5 W
认证状态Not Qualified
标称参考电压6 V
表面贴装NO
技术ZENER
端子形式WIRE
端子位置AXIAL
处于峰值回流温度下的最长时间NOT SPECIFIED
最大电压容差5%
工作测试电流20 mA
Base Number Matches1

1N5233-35B文档预览

下载PDF文档
DATA SHEET
1N5221B~1N5267B
SILICON ZENER DIODES
VOLTAGE
2.4 to 75 Volts
POWER
500 mWatts
FEATURES
• Planar Die construction
• 500mW Power Dissipation
• Ideally Suited for Automated Assembly Processes
• In compliance with EU RoHS 2002/95/EC directives
MECHANICAL DATA
• Case: Molded Glass DO-35
• Terminals: Solderable per MIL-STD-750, Method 2026
• Polarity: See Diagram Below
• Approx. Weight: 0.13 grams
• Mounting Position: Any
• Ordering information: Suffix : “ -35 ” to order DO-35 Package
• Packing information
B
- 2K per Bulk box
T/R - 10K per 13" plastic Reel
T/B - 5K per horiz. tape & Ammo box
MAXIMUM RATINGS AND ELECTRICAL CHARACTERISTICS
P ar m et r
a
e
P ow erD i si aton atTam b = 25
s p i
Juncton Tem per t r
i
aue
S t r ge Tem per t r R ange
oa
aue
Vald pr vi ed t atl ads ata di t nce of8m m fom case ar keptatam bi ntt m per t r .
i o d
h e
sa
r
e
e e
aue
O
S ym bol
Val e
u
500
175
- 5 t +175
6 o
U nis
t
mW
O
C
P
TO T
T
J
T
S
C
C
O
Parameter
Thermal Resi stance Juncti on to Ambi ent Ai r
Forward Voltage at I
F
= 200mA
Symbol
Mi n.
--
--
Typ.
Max.
0.3*
1.1
Uni ts
K/mW
V
R
θ
JA
V
F
--
--
Vali d provi ded that leads at a di stance of 10 mm from case are kept at ambi ent temperature.
STAD-NOV.08.2006
PAGE . 1
6678调试phy网络,遇到问题麻烦大神帮忙看看,谢谢。
调试程序为ti的helloWorld网络例程,使用了TI提供的网络协议库。整个程序通过加载调试没有任何问题,但是烧写到flash后启动,网络就不通了。 下面粘贴部分关键代码,然后详述现象。 (1) do ......
wainilxx7 DSP 与 ARM 处理器
Direct polar modulation has the right stuff
Driven by the need for improved efficiency and support for multiple complex standards, polar modulation solutions for cellular radios are emerging as the de facto standard modulati ......
fly 无线连接
RSL10开发板电路概览
本帖最后由 cruelfox 于 2021-4-20 23:34 编辑   上周就收到了开发板套件,分别为 RSL10-002GEVB,RSL10-SENSE-DB-GEVK,RSL10-SENSE-GEVK,RSL10-COIN-GEVB 四款。除了 RSL10-002GEVB 为 ......
cruelfox 物联网大赛方案集锦
求助,uboot
uboot改的差不多了,感觉没什么问题,几乎是照着源码改的, 把我的board文件和cpu文件加到卖家给我的uboot包里,编译出来的bin文件完全正常 加到自己在网上下载的包里,编译后只能启动uboot, ......
天雪 嵌入式系统
Windows CE下,怎么用C,C++来实现UUID
最近做项目的时候,发现要用到UUID.苦于实现UUID,对要用什么函数来实现不是很清楚! Windows CE下,怎么用C,C++来实现UUID,请高人请点! 最好能有代码,万分感谢!...
kobe0601 嵌入式系统
LED灯具智能驱动系统设计
提供一个LED灯具智能驱动系统设计的资料 107385 ...
qwqwqw2088 电源技术
小广播

 
EEWorld订阅号

 
EEWorld服务号

 
汽车开发圈

 
机器人开发圈

About Us 关于我们 客户服务 联系方式 器件索引 网站地图 最新更新 手机版

站点相关: 大学堂 TI培训 Datasheet 电子工程

器件索引   0 1 2 3 4 5 6 7 8 9 A B C D E F G H I J K L M N O P Q R S T U V W X Y Z

北京市海淀区中关村大街18号B座15层1530室 电话:(010)82350740 邮编:100190

电子工程世界版权所有 京B2-20211791 京ICP备10001474号-1 电信业务审批[2006]字第258号函 京公网安备 11010802033920号 Copyright © 2005-2026 EEWORLD.com.cn, Inc. All rights reserved