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IRF6619TR1PBF

产品描述MOSFET 20V 1 N-CH 1.65mOhm DirectFET 2.0V VGS
产品类别半导体    分立半导体   
文件大小289KB,共10页
制造商Infineon(英飞凌)
官网地址http://www.infineon.com/
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IRF6619TR1PBF概述

MOSFET 20V 1 N-CH 1.65mOhm DirectFET 2.0V VGS

IRF6619TR1PBF规格参数

参数名称属性值
Product AttributeAttribute Value
制造商
Manufacturer
Infineon(英飞凌)
产品种类
Product Category
MOSFET
RoHSDetails
技术
Technology
Si
安装风格
Mounting Style
SMD/SMT
封装 / 箱体
Package / Case
DirectFET-MX
Number of Channels1 Channel
Transistor PolarityN-Channel
Vds - Drain-Source Breakdown Voltage20 V
Id - Continuous Drain Current30 A
Rds On - Drain-Source Resistance3 mOhms
Vgs - Gate-Source Voltage20 V
Qg - Gate Charge38 nC
ConfigurationSingle
Pd-功率耗散
Pd - Power Dissipation
89 W
系列
Packaging
Cut Tape
系列
Packaging
Reel
高度
Height
0.7 mm
长度
Length
6.35 mm
Transistor Type1 N-Channel
宽度
Width
5.05 mm
Moisture SensitiveYes
NumOfPackaging2
工厂包装数量
Factory Pack Quantity
1000
单位重量
Unit Weight
0.017637 oz
.out转化为.hex
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