Datasheet> 器件分类 > 分立半导体> 二极管> 1N914T/B

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1N914T/B: 产品描述Rectifier Diode, 1 Element, 0.075A, 100V V(RRM), Silicon, DO-35, ROHS COMPLIANT, GLASS PACKAGE-2; 产品类别分立半导体二极管; 文件大小123KB，共2页; 制造商强茂(PANJIT); 官网地址http://www.panjit.com.tw/; 标准; PANJIT 是一家全球 IDM，提供广泛的产品组合，包括 MOSFET、肖特基二极管、SiC 器件、双极结型晶体管和电桥等。公司旨在满足客户在汽车、电源、工业、计算、消费和通信等各种应用领域的需求。他们的愿景是通过质量可靠、节能高效的产品为世界提供电源，为人们带来更绿色、更智能的未来。公司核心价值观包括创新、责任、以客户为中心、学习与成长、相互信任和协作。

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1N914T/B概述

Rectifier Diode, 1 Element, 0.075A, 100V V(RRM), Silicon, DO-35, ROHS COMPLIANT, GLASS PACKAGE-2

1N914T/B规格参数

参数名称	属性值
是否Rohs认证	符合
零件包装代码	DO-35
包装说明	ROHS COMPLIANT, GLASS PACKAGE-2
针数	2
Reach Compliance Code	compli
ECCN代码	EAR99
外壳连接	ISOLATED
配置	SINGLE
二极管元件材料	SILICON
二极管类型	RECTIFIER DIODE
JEDEC-95代码	DO-35
JESD-30 代码	O-LALF-W2
JESD-609代码	e3
元件数量	1
端子数量	2
最高工作温度	175 °C
最低工作温度	-65 °C
最大输出电流	0.075 A
封装主体材料	GLASS
封装形状	ROUND
封装形式	LONG FORM
峰值回流温度（摄氏度）	NOT SPECIFIED
最大功率耗散	0.5 W
认证状态	Not Qualified
最大重复峰值反向电压	100 V
最大反向恢复时间	0.004 µs
表面贴装	NO
端子面层	Tin (Sn)
端子形式	WIRE
端子位置	AXIAL
处于峰值回流温度下的最长时间	NOT SPECIFIED
Base Number Matches	1

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1N914

SWITCHING DIODES

VOLTAGE

100 Volts

POWER

500 mWatts

DO-35

Unit：inch(mm)

FEATURES

• Fast switching Speed.

• Electrically ldentical to Standerd JEDEC

• High Conductance

• Axial lead Package ldeally Suited for Automatic lnsertion.

• In compliance with EU RoHS 2002/95/EC directives

1.02(26.0)MIN.

0.022(0.55)

0.018(0.45)

MECHANICAL DATA

• Case: Molded Glass DO-35

• Terminals: Solderable per MIL-STD-750, Method 2026

• Polarity: See Diagram Below

1.02(26.0)MIN.

0.141(3.6)

0.118(3.0)

• Approx. Weight: 0.012 grams

• Mounting Position: Any

• Packing information

- 2K per Bulk box

0.087(2.2)

0.063(1.6)

T/R - 10K per 15" plastic Reel

T/B - 5K per horiz. tape & Ammo box

MAXIMUM RATINGS AND ELECTRICAL CHARACTERISTICS

=25°C unless otherwise noted)

PARAMETER

Reverse Voltage

Peak Reverse Voltage

RMS Voltage

Maximum Average Forward Current at T

=25

C And f > 50Hz

Surge Forward Current at t < 1s and T

=25

Power Dissipation at Tamb= 25

SYMBOL

RMS

F(AV)

FSM

TOT

1N914

100

500

1.0

350

-65 to +175

UNITS

µA

Maximum Forward Voltage at I

=10mA

Maximum Leakage Current

at V

=20V

at V

=75V

at V

=20V ,T

= 150

Maximum Capacitance (Note 1)

Maximum Reverse Recovery Time (Note 2)

Typical Thermal Resistance

Junction Temperature and Storage Temperature Range

C/W

NOTE:

1. CJ at V

=0, f=1MHZ

2. From I

=10mA to I

=1mA, V

=6Volts, R

=100Ω

December 14,2010-REV.03

PAGE . 1

1N914

1000

FORWARD CURRENT, mA

=150

REVERSE CURRENT,uA

100

=25

1.0

=125

0.1

=85

1.0

=55

0.01

0.1

=25

0.01

1.0

2.0

0.001

FORWARD VOLTAGE, VOLTS

REVERSE VOLTAGE, VOLTS

FORWARD VOLTAGE

LEAKAGE CURRENT

POWER DISSIPATION (mW)

4.0

500

DIODE CAPACITANCE, pF

3.0

400

300

2.0

200

1.0

100

150

200

REVERSE VOLTAGE, VOLTS

AMBIENT TEMPERATURE(

POWER DERATING

TYPICAL CAPATICANCE

December 14,2010-REV.03

PAGE . 2

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