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IPD33CN10NG

产品描述27 A, 100 V, 0.033 ohm, N-CHANNEL, Si, POWER, MOSFET, TO-252AA
产品类别分立半导体    晶体管   
文件大小696KB,共13页
制造商Infineon(英飞凌)
官网地址http://www.infineon.com/
标准
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IPD33CN10NG概述

27 A, 100 V, 0.033 ohm, N-CHANNEL, Si, POWER, MOSFET, TO-252AA

27 A, 100 V, 0.033 ohm, N沟道, 硅, POWER, 场效应管, TO-252AA

IPD33CN10NG规格参数

参数名称属性值
是否无铅不含铅
是否Rohs认证符合
厂商名称Infineon(英飞凌)
零件包装代码TO-252AA
包装说明SMALL OUTLINE, R-PSSO-G2
针数3
Reach Compliance Codecompli
ECCN代码EAR99
Is SamacsysN
雪崩能效等级(Eas)47 mJ
外壳连接DRAIN
配置SINGLE WITH BUILT-IN DIODE
最小漏源击穿电压100 V
最大漏极电流 (Abs) (ID)27 A
最大漏极电流 (ID)27 A
最大漏源导通电阻0.033 Ω
FET 技术METAL-OXIDE SEMICONDUCTOR
JEDEC-95代码TO-252AA
JESD-30 代码R-PSSO-G2
JESD-609代码e3
湿度敏感等级3
元件数量1
端子数量2
工作模式ENHANCEMENT MODE
最高工作温度175 °C
封装主体材料PLASTIC/EPOXY
封装形状RECTANGULAR
封装形式SMALL OUTLINE
峰值回流温度(摄氏度)260
极性/信道类型N-CHANNEL
最大功率耗散 (Abs)58 W
最大脉冲漏极电流 (IDM)108 A
认证状态Not Qualified
表面贴装YES
端子面层MATTE TIN
端子形式GULL WING
端子位置SINGLE
处于峰值回流温度下的最长时间40
晶体管应用SWITCHING
晶体管元件材料SILICON
Base Number Matches1

IPD33CN10NG相似产品对比

IPD33CN10NG IPP35CN10N IPU33CN10NG
描述 27 A, 100 V, 0.033 ohm, N-CHANNEL, Si, POWER, MOSFET, TO-252AA 27 A, 100 V, 0.033 ohm, N-CHANNEL, Si, POWER, MOSFET, TO-252AA 27 A, 100 V, 0.033 ohm, N-CHANNEL, Si, POWER, MOSFET, TO-252AA
元件数量 1 1 1
端子数量 2 2 3
表面贴装 YES Yes NO
端子形式 GULL WING GULL WING THROUGH-HOLE
端子位置 SINGLE SINGLE SINGLE
晶体管应用 SWITCHING SWITCHING SWITCHING
晶体管元件材料 SILICON SILICON SILICON
是否无铅 不含铅 - 不含铅
是否Rohs认证 符合 - 符合
厂商名称 Infineon(英飞凌) - Infineon(英飞凌)
零件包装代码 TO-252AA - TO-251AA
包装说明 SMALL OUTLINE, R-PSSO-G2 - IN-LINE, R-PSIP-T3
针数 3 - 3
Reach Compliance Code compli - compli
ECCN代码 EAR99 - EAR99
雪崩能效等级(Eas) 47 mJ - 27 mJ
配置 SINGLE WITH BUILT-IN DIODE - SINGLE WITH BUILT-IN DIODE
最小漏源击穿电压 100 V - 100 V
最大漏极电流 (Abs) (ID) 27 A - 27 A
最大漏极电流 (ID) 27 A - 27 A
最大漏源导通电阻 0.033 Ω - 0.033 Ω
FET 技术 METAL-OXIDE SEMICONDUCTOR - METAL-OXIDE SEMICONDUCTOR
JEDEC-95代码 TO-252AA - TO-251AA
JESD-30 代码 R-PSSO-G2 - R-PSIP-T3
JESD-609代码 e3 - e3
湿度敏感等级 3 - 1
工作模式 ENHANCEMENT MODE - ENHANCEMENT MODE
最高工作温度 175 °C - 175 °C
封装主体材料 PLASTIC/EPOXY - PLASTIC/EPOXY
封装形状 RECTANGULAR - RECTANGULAR
封装形式 SMALL OUTLINE - IN-LINE
峰值回流温度(摄氏度) 260 - NOT SPECIFIED
极性/信道类型 N-CHANNEL - N-CHANNEL
最大功率耗散 (Abs) 58 W - 58 W
最大脉冲漏极电流 (IDM) 108 A - 108 A
认证状态 Not Qualified - Not Qualified
端子面层 MATTE TIN - MATTE TIN
处于峰值回流温度下的最长时间 40 - NOT SPECIFIED

 
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