27 A, 100 V, 0.033 ohm, N-CHANNEL, Si, POWER, MOSFET, TO-252AA
27 A, 100 V, 0.033 ohm, N沟道, 硅, POWER, 场效应管, TO-252AA
参数名称 | 属性值 |
是否无铅 | 不含铅 |
是否Rohs认证 | 符合 |
厂商名称 | Infineon(英飞凌) |
零件包装代码 | TO-252AA |
包装说明 | SMALL OUTLINE, R-PSSO-G2 |
针数 | 3 |
Reach Compliance Code | compli |
ECCN代码 | EAR99 |
Is Samacsys | N |
雪崩能效等级(Eas) | 47 mJ |
外壳连接 | DRAIN |
配置 | SINGLE WITH BUILT-IN DIODE |
最小漏源击穿电压 | 100 V |
最大漏极电流 (Abs) (ID) | 27 A |
最大漏极电流 (ID) | 27 A |
最大漏源导通电阻 | 0.033 Ω |
FET 技术 | METAL-OXIDE SEMICONDUCTOR |
JEDEC-95代码 | TO-252AA |
JESD-30 代码 | R-PSSO-G2 |
JESD-609代码 | e3 |
湿度敏感等级 | 3 |
元件数量 | 1 |
端子数量 | 2 |
工作模式 | ENHANCEMENT MODE |
最高工作温度 | 175 °C |
封装主体材料 | PLASTIC/EPOXY |
封装形状 | RECTANGULAR |
封装形式 | SMALL OUTLINE |
峰值回流温度(摄氏度) | 260 |
极性/信道类型 | N-CHANNEL |
最大功率耗散 (Abs) | 58 W |
最大脉冲漏极电流 (IDM) | 108 A |
认证状态 | Not Qualified |
表面贴装 | YES |
端子面层 | MATTE TIN |
端子形式 | GULL WING |
端子位置 | SINGLE |
处于峰值回流温度下的最长时间 | 40 |
晶体管应用 | SWITCHING |
晶体管元件材料 | SILICON |
Base Number Matches | 1 |
IPD33CN10NG | IPP35CN10N | IPU33CN10NG | |
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描述 | 27 A, 100 V, 0.033 ohm, N-CHANNEL, Si, POWER, MOSFET, TO-252AA | 27 A, 100 V, 0.033 ohm, N-CHANNEL, Si, POWER, MOSFET, TO-252AA | 27 A, 100 V, 0.033 ohm, N-CHANNEL, Si, POWER, MOSFET, TO-252AA |
元件数量 | 1 | 1 | 1 |
端子数量 | 2 | 2 | 3 |
表面贴装 | YES | Yes | NO |
端子形式 | GULL WING | GULL WING | THROUGH-HOLE |
端子位置 | SINGLE | SINGLE | SINGLE |
晶体管应用 | SWITCHING | SWITCHING | SWITCHING |
晶体管元件材料 | SILICON | SILICON | SILICON |
是否无铅 | 不含铅 | - | 不含铅 |
是否Rohs认证 | 符合 | - | 符合 |
厂商名称 | Infineon(英飞凌) | - | Infineon(英飞凌) |
零件包装代码 | TO-252AA | - | TO-251AA |
包装说明 | SMALL OUTLINE, R-PSSO-G2 | - | IN-LINE, R-PSIP-T3 |
针数 | 3 | - | 3 |
Reach Compliance Code | compli | - | compli |
ECCN代码 | EAR99 | - | EAR99 |
雪崩能效等级(Eas) | 47 mJ | - | 27 mJ |
配置 | SINGLE WITH BUILT-IN DIODE | - | SINGLE WITH BUILT-IN DIODE |
最小漏源击穿电压 | 100 V | - | 100 V |
最大漏极电流 (Abs) (ID) | 27 A | - | 27 A |
最大漏极电流 (ID) | 27 A | - | 27 A |
最大漏源导通电阻 | 0.033 Ω | - | 0.033 Ω |
FET 技术 | METAL-OXIDE SEMICONDUCTOR | - | METAL-OXIDE SEMICONDUCTOR |
JEDEC-95代码 | TO-252AA | - | TO-251AA |
JESD-30 代码 | R-PSSO-G2 | - | R-PSIP-T3 |
JESD-609代码 | e3 | - | e3 |
湿度敏感等级 | 3 | - | 1 |
工作模式 | ENHANCEMENT MODE | - | ENHANCEMENT MODE |
最高工作温度 | 175 °C | - | 175 °C |
封装主体材料 | PLASTIC/EPOXY | - | PLASTIC/EPOXY |
封装形状 | RECTANGULAR | - | RECTANGULAR |
封装形式 | SMALL OUTLINE | - | IN-LINE |
峰值回流温度(摄氏度) | 260 | - | NOT SPECIFIED |
极性/信道类型 | N-CHANNEL | - | N-CHANNEL |
最大功率耗散 (Abs) | 58 W | - | 58 W |
最大脉冲漏极电流 (IDM) | 108 A | - | 108 A |
认证状态 | Not Qualified | - | Not Qualified |
端子面层 | MATTE TIN | - | MATTE TIN |
处于峰值回流温度下的最长时间 | 40 | - | NOT SPECIFIED |
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