电子工程世界电子工程世界电子工程世界

关键词

搜索

型号

搜索

1N5231A-35T/R

产品描述Zener Diode, 5.1V V(Z), 3%, 0.5W, Silicon, Unidirectional, DO-35, ROHS COMPLIANT, GLASS PACKAGE-2
产品类别分立半导体    二极管   
文件大小80KB,共3页
制造商强茂(PANJIT)
官网地址http://www.panjit.com.tw/
标准

PANJIT 是一家全球 IDM,提供广泛的产品组合,包括 MOSFET、肖特基二极管、SiC 器件、双极结型晶体管和电桥等。公司旨在满足客户在汽车、电源、工业、计算、消费和通信等各种应用领域的需求。他们的愿景是通过质量可靠、节能高效的产品为世界提供电源,为人们带来更绿色、更智能的未来。公司核心价值观包括创新、责任、以客户为中心、学习与成长、相互信任和协作。

下载文档 详细参数 全文预览

1N5231A-35T/R概述

Zener Diode, 5.1V V(Z), 3%, 0.5W, Silicon, Unidirectional, DO-35, ROHS COMPLIANT, GLASS PACKAGE-2

1N5231A-35T/R规格参数

参数名称属性值
是否无铅不含铅
是否Rohs认证符合
零件包装代码DO-35
包装说明ROHS COMPLIANT, GLASS PACKAGE-2
针数2
Reach Compliance Codecompli
ECCN代码EAR99
外壳连接ISOLATED
配置SINGLE
二极管元件材料SILICON
二极管类型ZENER DIODE
最大动态阻抗17 Ω
JEDEC-95代码DO-35
JESD-30 代码O-LALF-W2
元件数量1
端子数量2
最高工作温度175 °C
封装主体材料GLASS
封装形状ROUND
封装形式LONG FORM
峰值回流温度(摄氏度)NOT SPECIFIED
极性UNIDIRECTIONAL
最大功率耗散0.5 W
认证状态Not Qualified
标称参考电压5.1 V
表面贴装NO
技术ZENER
端子形式WIRE
端子位置AXIAL
处于峰值回流温度下的最长时间NOT SPECIFIED
最大电压容差3%
工作测试电流20 mA
Base Number Matches1

1N5231A-35T/R文档预览

下载PDF文档
DATA SHEET
1N5221B~1N5267B
SILICON ZENER DIODES
VOLTAGE
2.4 to 75 Volts
POWER
500 mWatts
FEATURES
• Planar Die construction
• 500mW Power Dissipation
• Ideally Suited for Automated Assembly Processes
Lead free in comply with EU RoHS 2002/95/EC directives
MECHANICAL DATA
• Case: Molded Glass DO-35
• Terminals: Solderable per MIL-STD-750, Method 2026
• Polarity: See Diagram Below
• Approx. Weight: 0.13 grams
• Mounting Position: Any
• Ordering information: Suffix : “ -35 ” to order DO-35 Package
• Packing information
B
- 2K per Bulk box
T/R - 10K per 15" plastic Reel
T/B - 5K per horiz. tape & Ammo box
MAXIMUM RATINGS AND ELECTRICAL CHARACTERISTICS
P ar m et r
a
e
P ow erD i si aton atTam b = 25
s p i
Juncton Tem per t r
i
aue
S t r ge Tem per t r R ange
oa
aue
Vald pr vi ed t atl ads ata di t nce of8m m fom case ar keptatam bi ntt m per t r .
i o d
h e
sa
r
e
e e
aue
O
S ym bol
Val e
u
500
175
- 5 t +175
6 o
U nis
t
mW
O
C
P
TO T
T
J
T
S
C
C
O
Parameter
Thermal Resi stance Juncti on to Ambi ent Ai r
Forward Voltage at I
F
= 200mA
Symbol
Mi n.
--
--
Typ.
Max.
0.3*
1.1
Uni ts
K/mW
V
R
θ
JA
V
F
--
--
Vali d provi ded that leads at a di stance of 10 mm from case are kept at ambi ent temperature.
STAD-NOV.08.2006
PAGE . 1
【一起做FPGA】专题——内容架构安排
本次专题主要针对Altera Fpga专题适用对象: FPGA菜鸟 or FPGA初学者专题的目的:熟悉FPGA开发流程,熟悉和掌握FPGA开发中的常用工具;使初学者能够入门,使菜鸟有所提高!一. 硬件设计1. FPGA ......
chenzhufly FPGA/CPLD
信号发生器
本帖最后由 paulhyde 于 2014-9-15 04:21 编辑 信号发生器...
onlytime417 电子竞赛
外观和树莓派zero一样的ESP32开发板
ATMegaZero ESP32-S2是一个外观和树莓派zero一样的ESP32开发板,这意味着形状和 40 针 GPIO 接口与 Pi Zero 相同,可以使用相同的配件。 538495 https://groupgets.com/campaigns/936 ......
dcexpert MicroPython开源版块
ESD设计时放置位置最好放置在PCB的什么地方?
本帖最后由 we36147 于 2022-9-26 01:25 编辑 ESD设计时放置位置最好放置在PCB的什么地方? ...
we36147 模拟与混合信号
长期供应网络分析仪E8357A/E5062A/E5071B/E5070B/8757D
一、 综合测试仪 R&S CMU200(可测GSM900/1800);Agilent8960 E5515B(可测GSM900/1800/1900/GPRS);Agilnet8960 E5515C(OPT:002、003,可测GSM、CDMA);R&S CMD55(可测900/1800) ......
sean4444 测试/测量
【Arrow体验奖品秀】可以手摇发电的LED灯!做工超级精致小巧!
艾睿照明设计工具体验活动正在进行中。。。 活动链接:https://www.eeworld.com.cn/huodong/201208_Arrow_Lighting/ 活动时间:即日起-2012年09月23日(本活动仅限在职工程师参与) ......
EEWORLD社区 LED专区
小广播

 
EEWorld订阅号

 
EEWorld服务号

 
汽车开发圈

 
机器人开发圈

About Us 关于我们 客户服务 联系方式 器件索引 网站地图 最新更新 手机版

站点相关: 大学堂 TI培训 Datasheet 电子工程

器件索引   0 1 2 3 4 5 6 7 8 9 A B C D E F G H I J K L M N O P Q R S T U V W X Y Z

北京市海淀区中关村大街18号B座15层1530室 电话:(010)82350740 邮编:100190

电子工程世界版权所有 京B2-20211791 京ICP备10001474号-1 电信业务审批[2006]字第258号函 京公网安备 11010802033920号 Copyright © 2005-2026 EEWORLD.com.cn, Inc. All rights reserved