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HB52RD168GB-B6FL

产品描述Synchronous DRAM Module, 16MX64, 8ns, CMOS, MICRO, DIMM-144
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文件大小109KB,共22页
制造商ELPIDA
官网地址http://www.elpida.com/en
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HB52RD168GB-B6FL概述

Synchronous DRAM Module, 16MX64, 8ns, CMOS, MICRO, DIMM-144

HB52RD168GB-B6FL规格参数

参数名称属性值
是否Rohs认证不符合
零件包装代码DIMM
包装说明DIMM, DIMM144,20
针数144
Reach Compliance Codeunknown
ECCN代码EAR99
访问模式SINGLE BANK PAGE BURST
最长访问时间8 ns
其他特性AUTO/SELF REFRESH
最大时钟频率 (fCLK)100 MHz
I/O 类型COMMON
JESD-30 代码R-XDMA-N144
内存密度1073741824 bit
内存集成电路类型SYNCHRONOUS DRAM MODULE
内存宽度64
湿度敏感等级1
功能数量1
端口数量1
端子数量144
字数16777216 words
字数代码16000000
工作模式SYNCHRONOUS
最高工作温度65 °C
最低工作温度
组织16MX64
输出特性3-STATE
封装主体材料UNSPECIFIED
封装代码DIMM
封装等效代码DIMM144,20
封装形状RECTANGULAR
封装形式MICROELECTRONIC ASSEMBLY
峰值回流温度(摄氏度)225
电源3.3 V
认证状态Not Qualified
刷新周期4096
自我刷新YES
最大待机电流0.016 A
最大压摆率1.76 mA
最大供电电压 (Vsup)3.6 V
最小供电电压 (Vsup)3 V
标称供电电压 (Vsup)3.3 V
表面贴装NO
技术CMOS
温度等级COMMERCIAL
端子形式NO LEAD
端子节距0.5 mm
端子位置DUAL
处于峰值回流温度下的最长时间NOT SPECIFIED
Base Number Matches1

HB52RD168GB-B6FL相似产品对比

HB52RD168GB-B6FL HB52RD168GB-A6F
描述 Synchronous DRAM Module, 16MX64, 8ns, CMOS, MICRO, DIMM-144 Synchronous DRAM Module, 16MX64, 6ns, CMOS, MICRO, DIMM-144
是否Rohs认证 不符合 不符合
零件包装代码 DIMM DIMM
包装说明 DIMM, DIMM144,20 DIMM, DIMM144,20
针数 144 144
Reach Compliance Code unknown unknown
ECCN代码 EAR99 EAR99
访问模式 SINGLE BANK PAGE BURST SINGLE BANK PAGE BURST
最长访问时间 8 ns 6 ns
其他特性 AUTO/SELF REFRESH AUTO/SELF REFRESH
最大时钟频率 (fCLK) 100 MHz 100 MHz
I/O 类型 COMMON COMMON
JESD-30 代码 R-XDMA-N144 R-XDMA-N144
内存密度 1073741824 bit 1073741824 bit
内存集成电路类型 SYNCHRONOUS DRAM MODULE SYNCHRONOUS DRAM MODULE
内存宽度 64 64
湿度敏感等级 1 1
功能数量 1 1
端口数量 1 1
端子数量 144 144
字数 16777216 words 16777216 words
字数代码 16000000 16000000
工作模式 SYNCHRONOUS SYNCHRONOUS
最高工作温度 65 °C 65 °C
组织 16MX64 16MX64
输出特性 3-STATE 3-STATE
封装主体材料 UNSPECIFIED UNSPECIFIED
封装代码 DIMM DIMM
封装等效代码 DIMM144,20 DIMM144,20
封装形状 RECTANGULAR RECTANGULAR
封装形式 MICROELECTRONIC ASSEMBLY MICROELECTRONIC ASSEMBLY
峰值回流温度(摄氏度) 225 225
电源 3.3 V 3.3 V
认证状态 Not Qualified Not Qualified
刷新周期 4096 4096
自我刷新 YES YES
最大待机电流 0.016 A 0.016 A
最大压摆率 1.76 mA 1.76 mA
最大供电电压 (Vsup) 3.6 V 3.6 V
最小供电电压 (Vsup) 3 V 3 V
标称供电电压 (Vsup) 3.3 V 3.3 V
表面贴装 NO NO
技术 CMOS CMOS
温度等级 COMMERCIAL COMMERCIAL
端子形式 NO LEAD NO LEAD
端子节距 0.5 mm 0.5 mm
端子位置 DUAL DUAL
处于峰值回流温度下的最长时间 NOT SPECIFIED NOT SPECIFIED
Base Number Matches 1 1
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