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JANSF2N7261U: 产品描述8 A, 100 V, 0.24 ohm, N-CHANNEL, Si, POWER, MOSFET; 产品类别分立半导体晶体管; 文件大小438KB，共12页; 制造商International Rectifier （ Infineon ）; 官网地址http://www.irf.com/

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JANSF2N7261U概述

8 A, 100 V, 0.24 ohm, N-CHANNEL, Si, POWER, MOSFET

JANSF2N7261U规格参数

参数名称	属性值
是否无铅	含铅
厂商名称	International Rectifier （ Infineon ）
零件包装代码	LCC
包装说明	CHIP CARRIER, R-CQCC-N15
针数	18
Reach Compliance Code	unknown
ECCN代码	EAR99
其他特性	HIGH RELIABILITY
雪崩能效等级（Eas）	130 mJ
外壳连接	SOURCE
配置	SINGLE WITH BUILT-IN DIODE
最小漏源击穿电压	100 V
最大漏极电流 (ID)	8 A
最大漏源导通电阻	0.24 Ω
FET 技术	METAL-OXIDE SEMICONDUCTOR
JESD-30 代码	R-CQCC-N15
元件数量	1
端子数量	15
工作模式	ENHANCEMENT MODE
封装主体材料	CERAMIC, METAL-SEALED COFIRED
封装形状	RECTANGULAR
封装形式	CHIP CARRIER
峰值回流温度（摄氏度）	NOT SPECIFIED
极性/信道类型	N-CHANNEL
最大脉冲漏极电流 (IDM)	32 A
认证状态	Not Qualified
参考标准	MIL-19500/601
表面贴装	YES
端子形式	NO LEAD
端子位置	QUAD
处于峰值回流温度下的最长时间	NOT SPECIFIED
晶体管应用	SWITCHING
晶体管元件材料	SILICON
Base Number Matches	1

JANSF2N7261U相似产品对比

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描述	8 A, 100 V, 0.24 ohm, N-CHANNEL, Si, POWER, MOSFET	8 A, 100 V, 0.24 ohm, N-CHANNEL, Si, POWER, MOSFET	8 A, 100 V, 0.24 ohm, N-CHANNEL, Si, POWER, MOSFET	8 A, 100 V, 0.24 ohm, N-CHANNEL, Si, POWER, MOSFET	8 A, 100 V, 0.24 ohm, N-CHANNEL, Si, POWER, MOSFET	8 A, 100 V, 0.24 ohm, N-CHANNEL, Si, POWER, MOSFET	8 A, 100 V, 0.24 ohm, N-CHANNEL, Si, POWER, MOSFET	8 A, 100 V, 0.185 ohm, N-CHANNEL, Si, POWER, MOSFET
是否无铅	含铅	含铅	含铅	含铅	含铅	含铅	含铅	含铅
零件包装代码	LCC	LCC	LCC	LCC	LCC	LCC	LCC	LCC
包装说明	CHIP CARRIER, R-CQCC-N15	CHIP CARRIER, R-CQCC-N15	CHIP CARRIER, R-CQCC-N15	CHIP CARRIER, R-CQCC-N15	CHIP CARRIER, R-CQCC-N15	CHIP CARRIER, R-CQCC-N15	CHIP CARRIER, R-CQCC-N15	CHIP CARRIER, R-CQCC-N15
针数	18	18	18	18	18	18	18	18
Reach Compliance Code	unknown	unknow	unknown	compli	compli	unknow	compli	compliant
ECCN代码	EAR99	EAR99	EAR99	EAR99	EAR99	EAR99	EAR99	EAR99
其他特性	HIGH RELIABILITY	HIGH RELIABILITY	HIGH RELIABILITY	HIGH RELIABILITY	HIGH RELIABILITY	HIGH RELIABILITY	HIGH RELIABILITY	HIGH RELIABILITY
雪崩能效等级（Eas）	130 mJ	130 mJ	130 mJ	130 mJ	130 mJ	130 mJ	130 mJ	130 mJ
外壳连接	SOURCE	SOURCE	SOURCE	SOURCE	SOURCE	SOURCE	SOURCE	SOURCE
配置	SINGLE WITH BUILT-IN DIODE	SINGLE WITH BUILT-IN DIODE	SINGLE WITH BUILT-IN DIODE	SINGLE WITH BUILT-IN DIODE	SINGLE WITH BUILT-IN DIODE	SINGLE WITH BUILT-IN DIODE	SINGLE WITH BUILT-IN DIODE	SINGLE WITH BUILT-IN DIODE
最小漏源击穿电压	100 V	100 V	100 V	100 V	100 V	100 V	100 V	100 V
最大漏极电流 (ID)	8 A	8 A	8 A	8 A	8 A	8 A	8 A	8 A
最大漏源导通电阻	0.24 Ω	0.24 Ω	0.18 Ω	0.24 Ω	0.24 Ω	0.24 Ω	0.24 Ω	0.18 Ω
FET 技术	METAL-OXIDE SEMICONDUCTOR	METAL-OXIDE SEMICONDUCTOR	METAL-OXIDE SEMICONDUCTOR	METAL-OXIDE SEMICONDUCTOR	METAL-OXIDE SEMICONDUCTOR	METAL-OXIDE SEMICONDUCTOR	METAL-OXIDE SEMICONDUCTOR	METAL-OXIDE SEMICONDUCTOR
JESD-30 代码	R-CQCC-N15	R-CQCC-N15	R-CQCC-N15	R-CQCC-N15	R-CQCC-N15	R-CQCC-N15	R-CQCC-N15	R-CQCC-N15
元件数量	1	1	1	1	1	1	1	1
端子数量	15	15	15	15	15	15	15	15
工作模式	ENHANCEMENT MODE	ENHANCEMENT MODE	ENHANCEMENT MODE	ENHANCEMENT MODE	ENHANCEMENT MODE	ENHANCEMENT MODE	ENHANCEMENT MODE	ENHANCEMENT MODE
封装主体材料	CERAMIC, METAL-SEALED COFIRED	CERAMIC, METAL-SEALED COFIRED	CERAMIC, METAL-SEALED COFIRED	CERAMIC, METAL-SEALED COFIRED	CERAMIC, METAL-SEALED COFIRED	CERAMIC, METAL-SEALED COFIRED	CERAMIC, METAL-SEALED COFIRED	CERAMIC, METAL-SEALED COFIRED
封装形状	RECTANGULAR	RECTANGULAR	RECTANGULAR	RECTANGULAR	RECTANGULAR	RECTANGULAR	RECTANGULAR	RECTANGULAR
封装形式	CHIP CARRIER	CHIP CARRIER	CHIP CARRIER	CHIP CARRIER	CHIP CARRIER	CHIP CARRIER	CHIP CARRIER	CHIP CARRIER
峰值回流温度（摄氏度）	NOT SPECIFIED	NOT SPECIFIED	NOT SPECIFIED	NOT SPECIFIED	NOT SPECIFIED	NOT SPECIFIED	NOT SPECIFIED	NOT SPECIFIED
极性/信道类型	N-CHANNEL	N-CHANNEL	N-CHANNEL	N-CHANNEL	N-CHANNEL	N-CHANNEL	N-CHANNEL	N-CHANNEL
最大脉冲漏极电流 (IDM)	32 A	32 A	32 A	32 A	32 A	32 A	32 A	32 A
认证状态	Not Qualified	Not Qualified	Not Qualified	Not Qualified	Not Qualified	Not Qualified	Not Qualified	Not Qualified
表面贴装	YES	YES	YES	YES	YES	YES	YES	YES
端子形式	NO LEAD	NO LEAD	NO LEAD	NO LEAD	NO LEAD	NO LEAD	NO LEAD	NO LEAD
端子位置	QUAD	QUAD	QUAD	QUAD	QUAD	QUAD	QUAD	QUAD
处于峰值回流温度下的最长时间	NOT SPECIFIED	NOT SPECIFIED	NOT SPECIFIED	NOT SPECIFIED	NOT SPECIFIED	NOT SPECIFIED	NOT SPECIFIED	NOT SPECIFIED
晶体管应用	SWITCHING	SWITCHING	SWITCHING	SWITCHING	SWITCHING	SWITCHING	SWITCHING	SWITCHING
晶体管元件材料	SILICON	SILICON	SILICON	SILICON	SILICON	SILICON	SILICON	SILICON
厂商名称	International Rectifier （ Infineon ）	International Rectifier （ Infineon ）	International Rectifier （ Infineon ）	-	-	International Rectifier （ Infineon ）	International Rectifier （ Infineon ）	International Rectifier （ Infineon ）
Base Number Matches	1	-	1	1	1	-	-	1
最高工作温度	-	150 °C	-	150 °C	150 °C	150 °C	150 °C	-

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