Datasheet> 器件分类 > 分立半导体> 二极管> 1N4448-35T/B

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1N4448-35T/B: 产品描述Rectifier Diode, 1 Element, 0.15A, 100V V(RRM), Silicon, DO-35, ROHS COMPLIANT, GLASS PACKAGE-2; 产品类别分立半导体二极管; 文件大小94KB，共2页; 制造商强茂(PANJIT); 官网地址http://www.panjit.com.tw/; 标准; PANJIT 是一家全球 IDM，提供广泛的产品组合，包括 MOSFET、肖特基二极管、SiC 器件、双极结型晶体管和电桥等。公司旨在满足客户在汽车、电源、工业、计算、消费和通信等各种应用领域的需求。他们的愿景是通过质量可靠、节能高效的产品为世界提供电源，为人们带来更绿色、更智能的未来。公司核心价值观包括创新、责任、以客户为中心、学习与成长、相互信任和协作。

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1N4448-35T/B概述

Rectifier Diode, 1 Element, 0.15A, 100V V(RRM), Silicon, DO-35, ROHS COMPLIANT, GLASS PACKAGE-2

1N4448-35T/B规格参数

参数名称	属性值
是否无铅	不含铅
是否Rohs认证	符合
零件包装代码	DO-35
包装说明	ROHS COMPLIANT, GLASS PACKAGE-2
针数	2
Reach Compliance Code	compli
ECCN代码	EAR99
外壳连接	ISOLATED
配置	SINGLE
二极管元件材料	SILICON
二极管类型	RECTIFIER DIODE
JEDEC-95代码	DO-35
JESD-30 代码	O-LALF-W2
元件数量	1
端子数量	2
最高工作温度	175 °C
最低工作温度	-65 °C
最大输出电流	0.15 A
封装主体材料	GLASS
封装形状	ROUND
封装形式	LONG FORM
峰值回流温度（摄氏度）	NOT SPECIFIED
最大功率耗散	0.5 W
认证状态	Not Qualified
最大重复峰值反向电压	100 V
最大反向恢复时间	0.004 µs
表面贴装	NO
端子形式	WIRE
端子位置	AXIAL
处于峰值回流温度下的最长时间	NOT SPECIFIED
Base Number Matches	1

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1N4448

FAST SWITCHING SURFACE MOUNT DIODES

VOLTAGE

100 Volts

POWER

500 mW

DO-35

Unit：inch(mm)

FEATURES

• Fast switching Speed.

• Surface Mount Package Ideally Suited For Automatic Insertion.

• Silicon Epitaxal Planar Construction.

• In compliance with EU RoHS 2002/95/EC directives

1.02(26.0)MIN.

0.022(0.55)

0.018(0.45)

MECHANICAL DATA

• Case: Molded Glass DO-35

• Terminals: Solderable per MIL-STD-750, Method 2026

• Polarity: See Diagram Below

• Approx. Weight: 0.13 grams

1.02(26.0)MIN.

0.141(3.6)

0.118(3.0)

• Mounting Position: Any

• Ordering information: Suffix : “ -35 ” to order DO-35 Package

• Packing information

- 2K per Bulk box

T/R - 10K per 15" plastic Reel

T/B - 5K per horiz. tape & Ammo box

0.087(2.2)

0.063(1.6)

MAXIMUM RATINGS AND ELECTRICAL CHARACTERISTICS

=25°C unless otherwise noted)

PARAMETER

Peak Reverse Voltage

Maximum DC Blocking Voltage

Maximum Average Forward Current at Ta=25

Surge Forward Current at t < 1s and Tj= =25

Power Dissipation at Tamb= 25

SYMBOL

C And f >50Hz

FSM

TOT

J A

1N4448

100

150

500

1.0

350

-65 to +175

UNITS

µA

Maximum Forward Voltage at I

=100mA

Maximum Leakage Current

at V

=20V

at V

=20V ,T

= 150

Maximum Capacitance at V

Maximum Reverse Recovery Time From

=-I

=10mA to I

R R

=-1mA ,V

=6V R

=100

Ω

Typical Maximum Thermal Resistance

Junction Temperature and Storage Temperature Range

C/W

NOTE:

1. CJ at V

=0, f=1MHZ

2. From I

=10mA to I

=1mA, V

=6Volts, R

=100Ω

December 14,2010-REV.03

PAGE . 1

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