KRA552U,KRA552U pdf中文资料,KRA552U引脚图,KRA552U电路-Datasheet-电子工程世界

KRA552U: 产品描述EPITAXIAL PLANAR PNP TRANSISTOR (SWITCHING, INTERFACE CIRCUIT AND DRIVER CIRCUIT); 产品类别分立半导体晶体管; 文件大小107KB，共6页; 制造商KEC; 官网地址http://www.keccorp.com/

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KRA552U概述

EPITAXIAL PLANAR PNP TRANSISTOR (SWITCHING, INTERFACE CIRCUIT AND DRIVER CIRCUIT)

KRA552U规格参数

参数名称	属性值
厂商名称	KEC
包装说明	SMALL OUTLINE, R-PDSO-G5
针数	5
Reach Compliance Code	unknow
ECCN代码	EAR99
其他特性	BUILT-IN BIAS RESISTOR RATIO IS 1
最大集电极电流 (IC)	0.1 A
集电极-发射极最大电压	50 V
配置	COMMON EMITTER, 2 ELEMENTS WITH BUILT-IN RESISTOR
最小直流电流增益 (hFE)	50
JESD-30 代码	R-PDSO-G5
元件数量	2
端子数量	5
封装主体材料	PLASTIC/EPOXY
封装形状	RECTANGULAR
封装形式	SMALL OUTLINE
极性/信道类型	PNP
最大功率耗散 (Abs)	0.2 W
认证状态	Not Qualified
表面贴装	YES
端子形式	GULL WING
端子位置	DUAL
晶体管应用	SWITCHING
晶体管元件材料	SILICON
标称过渡频率 (fT)	200 MHz

KRA552U相似产品对比

	KRA552U	KRA555U	KRA556U	KRA554U	KRA553U	KRA551U
描述	EPITAXIAL PLANAR PNP TRANSISTOR (SWITCHING, INTERFACE CIRCUIT AND DRIVER CIRCUIT)	EPITAXIAL PLANAR PNP TRANSISTOR (SWITCHING, INTERFACE CIRCUIT AND DRIVER CIRCUIT)	EPITAXIAL PLANAR PNP TRANSISTOR (SWITCHING, INTERFACE CIRCUIT AND DRIVER CIRCUIT)	EPITAXIAL PLANAR PNP TRANSISTOR (SWITCHING, INTERFACE CIRCUIT AND DRIVER CIRCUIT)	EPITAXIAL PLANAR PNP TRANSISTOR (SWITCHING, INTERFACE CIRCUIT AND DRIVER CIRCUIT)	EPITAXIAL PLANAR PNP TRANSISTOR (SWITCHING, INTERFACE CIRCUIT AND DRIVER CIRCUIT)
厂商名称	KEC	KEC	KEC	KEC	KEC	KEC
包装说明	SMALL OUTLINE, R-PDSO-G5	SMALL OUTLINE, R-PDSO-G5	USV, 5 PIN	SMALL OUTLINE, R-PDSO-G5	SMALL OUTLINE, R-PDSO-G5	SMALL OUTLINE, R-PDSO-G5
针数	5	5	5	5	5	5
Reach Compliance Code	unknow	unknow	unknown	unknow	unknow	unknow
ECCN代码	EAR99	EAR99	EAR99	EAR99	EAR99	EAR99
其他特性	BUILT-IN BIAS RESISTOR RATIO IS 1	BUILT-IN BIAS RESISTOR RATIO IS 21.36	BUILT-IN BIAS RESISTOR RATIO IS 10	BUILT-IN BIAS RESISTOR RATIO IS 1	BUILT-IN BIAS RESISTOR RATIO IS 1	BUILT-IN BIAS RESISTOR RATIO IS 1
最大集电极电流 (IC)	0.1 A	0.1 A	0.1 A	0.1 A	0.1 A	0.1 A
集电极-发射极最大电压	50 V	50 V	50 V	50 V	50 V	50 V
配置	COMMON EMITTER, 2 ELEMENTS WITH BUILT-IN RESISTOR	COMMON EMITTER, 2 ELEMENTS WITH BUILT-IN RESISTOR	COMMON EMITTER, 2 ELEMENTS WITH BUILT-IN RESISTOR	COMMON EMITTER, 2 ELEMENTS WITH BUILT-IN RESISTOR	COMMON EMITTER, 2 ELEMENTS WITH BUILT-IN RESISTOR	COMMON EMITTER, 2 ELEMENTS WITH BUILT-IN RESISTOR
最小直流电流增益 (hFE)	50	80	80	80	70	30
JESD-30 代码	R-PDSO-G5	R-PDSO-G5	R-PDSO-G5	R-PDSO-G5	R-PDSO-G5	R-PDSO-G5
元件数量	2	2	2	2	2	2
端子数量	5	5	5	5	5	5
封装主体材料	PLASTIC/EPOXY	PLASTIC/EPOXY	PLASTIC/EPOXY	PLASTIC/EPOXY	PLASTIC/EPOXY	PLASTIC/EPOXY
封装形状	RECTANGULAR	RECTANGULAR	RECTANGULAR	RECTANGULAR	RECTANGULAR	RECTANGULAR
封装形式	SMALL OUTLINE	SMALL OUTLINE	SMALL OUTLINE	SMALL OUTLINE	SMALL OUTLINE	SMALL OUTLINE
极性/信道类型	PNP	PNP	PNP	PNP	PNP	PNP
最大功率耗散 (Abs)	0.2 W	0.2 W	0.2 W	0.2 W	0.2 W	0.2 W
认证状态	Not Qualified	Not Qualified	Not Qualified	Not Qualified	Not Qualified	Not Qualified
表面贴装	YES	YES	YES	YES	YES	YES
端子形式	GULL WING	GULL WING	GULL WING	GULL WING	GULL WING	GULL WING
端子位置	DUAL	DUAL	DUAL	DUAL	DUAL	DUAL
晶体管应用	SWITCHING	SWITCHING	SWITCHING	SWITCHING	SWITCHING	SWITCHING
晶体管元件材料	SILICON	SILICON	SILICON	SILICON	SILICON	SILICON
标称过渡频率 (fT)	200 MHz	200 MHz	200 MHz	200 MHz	200 MHz	200 MHz

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