电子工程世界电子工程世界电子工程世界

关键词

搜索

型号

搜索

1N5257-35T/B

产品描述Zener Diode, 33V V(Z), 5%, 0.5W, Silicon, Unidirectional, DO-35, ROHS COMPLIANT, GLASS PACKAGE-2
产品类别分立半导体    二极管   
文件大小87KB,共3页
制造商强茂(PANJIT)
官网地址http://www.panjit.com.tw/
标准

PANJIT 是一家全球 IDM,提供广泛的产品组合,包括 MOSFET、肖特基二极管、SiC 器件、双极结型晶体管和电桥等。公司旨在满足客户在汽车、电源、工业、计算、消费和通信等各种应用领域的需求。他们的愿景是通过质量可靠、节能高效的产品为世界提供电源,为人们带来更绿色、更智能的未来。公司核心价值观包括创新、责任、以客户为中心、学习与成长、相互信任和协作。

下载文档 详细参数 全文预览

1N5257-35T/B概述

Zener Diode, 33V V(Z), 5%, 0.5W, Silicon, Unidirectional, DO-35, ROHS COMPLIANT, GLASS PACKAGE-2

1N5257-35T/B规格参数

参数名称属性值
是否无铅不含铅
是否Rohs认证符合
零件包装代码DO-35
包装说明ROHS COMPLIANT, GLASS PACKAGE-2
针数2
Reach Compliance Code_compli
ECCN代码EAR99
外壳连接ISOLATED
配置SINGLE
二极管元件材料SILICON
二极管类型ZENER DIODE
JEDEC-95代码DO-35
JESD-30 代码O-LALF-W2
元件数量1
端子数量2
最高工作温度175 °C
封装主体材料GLASS
封装形状ROUND
封装形式LONG FORM
峰值回流温度(摄氏度)NOT SPECIFIED
极性UNIDIRECTIONAL
最大功率耗散0.5 W
认证状态Not Qualified
标称参考电压33 V
表面贴装NO
技术ZENER
端子形式WIRE
端子位置AXIAL
处于峰值回流温度下的最长时间NOT SPECIFIED
最大电压容差5%
工作测试电流3.8 mA
Base Number Matches1

1N5257-35T/B文档预览

下载PDF文档
DATA SHEET
1N5221B~1N5267B
SILICON ZENER DIODES
VOLTAGE
2.4 to 75 Volts
POWER
500 mWatts
FEATURES
• Planar Die construction
• 500mW Power Dissipation
• Ideally Suited for Automated Assembly Processes
• In compliance with EU RoHS 2002/95/EC directives
MECHANICAL DATA
• Case: Molded Glass DO-35
• Terminals: Solderable per MIL-STD-750, Method 2026
• Polarity: See Diagram Below
• Approx. Weight: 0.13 grams
• Mounting Position: Any
• Ordering information: Suffix : “ -35 ” to order DO-35 Package
• Packing information
B
- 2K per Bulk box
T/R - 10K per 13" plastic Reel
T/B - 5K per horiz. tape & Ammo box
MAXIMUM RATINGS AND ELECTRICAL CHARACTERISTICS
P ar m et r
a
e
P ow erD i si aton atTam b = 25
s p i
Juncton Tem per t r
i
aue
S t r ge Tem per t r R ange
oa
aue
Vald pr vi ed t atl ads ata di t nce of8m m fom case ar keptatam bi ntt m per t r .
i o d
h e
sa
r
e
e e
aue
O
S ym bol
Val e
u
500
175
- 5 t +175
6 o
U nis
t
mW
O
C
P
TO T
T
J
T
S
C
C
O
Parameter
Thermal Resi stance Juncti on to Ambi ent Ai r
Forward Voltage at I
F
= 200mA
Symbol
Mi n.
--
--
Typ.
Max.
0.3*
1.1
Uni ts
K/mW
V
R
θ
JA
V
F
--
--
Vali d provi ded that leads at a di stance of 10 mm from case are kept at ambi ent temperature.
STAD-NOV.08.2006
PAGE . 1
写给想学单片机的朋友们!
写给想学单片机的朋友们:   在你决定学习单片机之前,请做好如下准备工作:   一、硬件准备: 我推荐给大家的学习单片机的设备是: 计算机一台;编程器一台(与人借一下也可); 20W电烙铁; ......
huobao 单片机
ARM核心及体系结构的关系(交流贴)
在学习ARM体系架构(英文名:ARM Architecture Reference Manua)的时候,我突然产生了一个想法:ARM从诞生到现在也有这么多年了,它的体系架构也是不断发展更新的,相对应的在产品开发中针对 ......
tassadar ARM技术
基于FPGA的矩阵键盘控制
周立功老师的文档 本帖最后由 白丁 于 2013-7-18 17:52 编辑 ]...
白丁 FPGA/CPLD
两种石英晶体振荡电路的振荡频率不为晶体的频率,为什么?
如图:为两种石英晶体振荡电路,可仿真的结果无论晶体设置为多大的频率,其输出的信号周期都为40us左右 按照书上的网络资料显示:该电路可以输出几兆到几十兆的信号,仅与石英晶体的谐振频率有 ......
唯美阿德 模拟电子
买HP电脑时附送的计步器
计步控制按钮 36022 FM控制按钮 36023 显示时间 36024 秒表功能 36025...
leslie 创意市集
通过FPGA控制两组16位数据的切换输出
两组16位的数据,当其中一组发生变化时,输出就发生变化。...
wsshine FPGA/CPLD
小广播

 
EEWorld订阅号

 
EEWorld服务号

 
汽车开发圈

 
机器人开发圈

About Us 关于我们 客户服务 联系方式 器件索引 网站地图 最新更新 手机版

站点相关: 大学堂 TI培训 Datasheet 电子工程

器件索引   0 1 2 3 4 5 6 7 8 9 A B C D E F G H I J K L M N O P Q R S T U V W X Y Z

北京市海淀区中关村大街18号B座15层1530室 电话:(010)82350740 邮编:100190

电子工程世界版权所有 京B2-20211791 京ICP备10001474号-1 电信业务审批[2006]字第258号函 京公网安备 11010802033920号 Copyright © 2005-2026 EEWORLD.com.cn, Inc. All rights reserved