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L3539-1CP

产品描述Standard SRAM, 256X8, 400ns, MOS, PDIP22
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文件大小267KB,共3页
制造商GTE Microcircuits
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L3539-1CP概述

Standard SRAM, 256X8, 400ns, MOS, PDIP22

L3539-1CP规格参数

参数名称属性值
是否Rohs认证不符合
包装说明DIP, DIP22,.4
Reach Compliance Codeunknown
最长访问时间400 ns
JESD-30 代码R-PDIP-T22
JESD-609代码e0
内存密度2048 bit
内存集成电路类型STANDARD SRAM
内存宽度8
端子数量22
字数256 words
字数代码256
工作模式ASYNCHRONOUS
最高工作温度70 °C
最低工作温度
组织256X8
输出特性3-STATE
封装主体材料PLASTIC/EPOXY
封装代码DIP
封装等效代码DIP22,.4
封装形状RECTANGULAR
封装形式IN-LINE
并行/串行PARALLEL
认证状态Not Qualified
表面贴装NO
技术MOS
温度等级COMMERCIAL
端子面层Tin/Lead (Sn/Pb)
端子形式THROUGH-HOLE
端子节距2.54 mm
端子位置DUAL
Base Number Matches1

L3539-1CP相似产品对比

L3539-1CP L3539-2CD 3539UCP
描述 Standard SRAM, 256X8, 400ns, MOS, PDIP22 Standard SRAM, 256X8, 500ns, MOS, CDIP22 Standard SRAM, 256X8, 650ns, MOS, PDIP22,
是否Rohs认证 不符合 不符合 不符合
包装说明 DIP, DIP22,.4 DIP, DIP22,.4 DIP, DIP22,.4
Reach Compliance Code unknown unknown unknown
最长访问时间 400 ns 500 ns 650 ns
JESD-30 代码 R-PDIP-T22 R-XDIP-T22 R-PDIP-T22
JESD-609代码 e0 e0 e0
内存密度 2048 bit 2048 bit 2048 bit
内存集成电路类型 STANDARD SRAM STANDARD SRAM STANDARD SRAM
内存宽度 8 8 8
端子数量 22 22 22
字数 256 words 256 words 256 words
字数代码 256 256 256
工作模式 ASYNCHRONOUS ASYNCHRONOUS ASYNCHRONOUS
最高工作温度 70 °C 70 °C 70 °C
组织 256X8 256X8 256X8
输出特性 3-STATE 3-STATE 3-STATE
封装主体材料 PLASTIC/EPOXY CERAMIC PLASTIC/EPOXY
封装代码 DIP DIP DIP
封装等效代码 DIP22,.4 DIP22,.4 DIP22,.4
封装形状 RECTANGULAR RECTANGULAR RECTANGULAR
封装形式 IN-LINE IN-LINE IN-LINE
并行/串行 PARALLEL PARALLEL PARALLEL
认证状态 Not Qualified Not Qualified Not Qualified
表面贴装 NO NO NO
技术 MOS MOS MOS
温度等级 COMMERCIAL COMMERCIAL COMMERCIAL
端子面层 Tin/Lead (Sn/Pb) Tin/Lead (Sn/Pb) Tin/Lead (Sn/Pb)
端子形式 THROUGH-HOLE THROUGH-HOLE THROUGH-HOLE
端子节距 2.54 mm 2.54 mm 2.54 mm
端子位置 DUAL DUAL DUAL
Base Number Matches 1 1 1

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