Datasheet> 器件分类 > 存储> 存储> M12L16161A-7T

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M12L16161A-7T: 产品描述Synchronous DRAM, 1MX16, 6ns, CMOS, PDSO50, 0.400 X 0.825 INCH, 0.80 MM PITCH, TSOP2-50; 产品类别存储存储; 文件大小608KB，共29页; 制造商台湾晶豪(ESMT); 官网地址http://www.esmt.com.tw/; 晶豪科技股份有限公司 ( Elite Semiconductor Memory Technology Inc., ESMT) 为一专业 IC 设计公司，于 1998 年 6 月由赵瑚博士成立 , 总部设立于台湾之新竹科学工业园区。本公司主要业务包含 IC 产品之研究、开发、制造、销售及相关技术服务，并已于 2002 年 3 月在台湾证券交易所挂牌上市。

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M12L16161A-7T概述

Synchronous DRAM, 1MX16, 6ns, CMOS, PDSO50, 0.400 X 0.825 INCH, 0.80 MM PITCH, TSOP2-50

M12L16161A-7T规格参数

参数名称	属性值
零件包装代码	TSOP2
包装说明	TSOP2, TSOP50,.46,32
针数	50
Reach Compliance Code	unknown
ECCN代码	EAR99
访问模式	DUAL BANK PAGE BURST
最长访问时间	6 ns
其他特性	AUTO/SELF REFRESH
最大时钟频率 (fCLK)	143 MHz
I/O 类型	COMMON
交错的突发长度	1,2,4,8
JESD-30 代码	R-PDSO-G50
长度	20.95 mm
内存密度	16777216 bit
内存集成电路类型	SYNCHRONOUS DRAM
内存宽度	16
功能数量	1
端口数量	1
端子数量	50
字数	1048576 words
字数代码	1000000
工作模式	SYNCHRONOUS
最高工作温度	70 °C
最低工作温度
组织	1MX16
输出特性	3-STATE
封装主体材料	PLASTIC/EPOXY
封装代码	TSOP2
封装等效代码	TSOP50,.46,32
封装形状	RECTANGULAR
封装形式	SMALL OUTLINE, THIN PROFILE
电源	3.3 V
认证状态	Not Qualified
刷新周期	2048
座面最大高度	1.2 mm
自我刷新	YES
连续突发长度	1,2,4,8,FP
最大待机电流	0.002 A
最大压摆率	0.14 mA
最大供电电压 (Vsup)	3.6 V
最小供电电压 (Vsup)	3 V
标称供电电压 (Vsup)	3.3 V
表面贴装	YES
技术	CMOS
温度等级	COMMERCIAL
端子形式	GULL WING
端子节距	0.8 mm
端子位置	DUAL
宽度	10.16 mm
Base Number Matches	1

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ESMT

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Elite Semiconductor Memory Technology Inc.

Publication Date

Mar. 2002

Revision

1.7

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