Datasheet> 器件分类 > 分立半导体> 二极管> DF005

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DF005: 产品描述Bridge Rectifier Diode, 1 Phase, 1A, 50V V(RRM), Silicon, MINIATURE, PLASTIC, DF, 4 PIN; 产品类别分立半导体二极管; 文件大小160KB，共2页; 制造商苏州固锝(Good-Ark); 苏州固锝是国内半导体分立器件二极管行业完善、齐全的设计、制造、封装、销售的厂商，从前端芯片的自主开发到后端成品的各种封装技术，形成了一个完整的产业链。主要产品包括最新封装技术的无引脚集成电路产品和分立器件产品、汽车整流二极管、功率模块、整流二极管芯片、硅整流二极管、开关二极管、稳压二极管、微型桥堆、军用熔断丝、光伏旁路模块等共有50多个系列，1500多个品种。产品广泛应用在航空航天、汽车、绿色照明、IT、家用电器以及大型设备的电源装置等许多领域。设计、研发太阳能电池用银浆以及各种电子浆料，研发并规模化生产物联网领域各种新型传感器。

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DF005概述

Bridge Rectifier Diode, 1 Phase, 1A, 50V V(RRM), Silicon, MINIATURE, PLASTIC, DF, 4 PIN

DF005规格参数

参数名称	属性值
厂商名称	苏州固锝(Good-Ark)
包装说明	R-PDIP-T4
Reach Compliance Code	compliant
ECCN代码	EAR99
最小击穿电压	50 V
配置	BRIDGE, 4 ELEMENTS
二极管元件材料	SILICON
二极管类型	BRIDGE RECTIFIER DIODE
最大正向电压 (VF)	1.1 V
JESD-30 代码	R-PDIP-T4
最大非重复峰值正向电流	30 A
元件数量	4
相数	1
端子数量	4
最高工作温度	150 °C
最低工作温度	-55 °C
最大输出电流	1 A
封装主体材料	PLASTIC/EPOXY
封装形状	RECTANGULAR
封装形式	IN-LINE
最大重复峰值反向电压	50 V
表面贴装	NO
端子形式	THROUGH-HOLE
端子位置	DUAL
Base Number Matches	1

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DF005 THRU DF10

GLASS PASSIVATED CHIP SINGLE-PHASE BRIDGE RECTIFIER

Reverse Voltage -

50 to 1000 Volts

Forward Current -

1.0 Ampere

Features

Ideal for printed circuit board

Glass passivated chip junction

High temperature soldering guaranteed:

260 /10 seconds at 5 lbs tension

Mechanical Data

Terminals:

Plated leads, solderable per

MIL-STD-202, method 208

Case:

Molded with UL-94Class V-0 recognized

flame retartant epoxy

Polarity:

Polarity symbol marked on body

Mounting Position:

Any

Maximum Ratings and Electrical Characteristics

Single-phase, half-wave, 60Hz, resistive or inductive load.

Ratings at 25

unless otherwise stated.

For capacitive load, Derate current by 20%.

Characteristic

Symbols

DF005

DF01

DF02

DF04

DF06

DF08

DF10

Units

Maximum repetitive peak reverse voltage

Maximum RMS voltage

Maximum DC blocking voltage

Maximum average forward rectified current

at T

=40

Peak forward surge current

8.3mS single half sine-wave superimposed

on rated load

Maximum forward voltage at

forward current perelement 1.0A

t-rating for fusion (t<8.3mS)

Maximum DC reverse current

at rated DC blocking voltage

Typical junction capacitance (Note 1)

Typical thermal resistance (Note 2)

Operating temperature range

Storage temperature range

=25

=125

RRM

RMS

(AV)

FSM

100

200

140

200

400

280

400

1.0

50.0

1.1

10.0

500.0

25.0

40.0

-55 to +125

-55 to +150

600

420

600

800

560

800

1000

700

1000

Volts

Amp

Amps

Volts

STG

Notes:

(1) Measured at 1.0MHz and applied reverse voltage of 4.0 VDC

(2) Thermal resistance from junction to ambient on P.C. Board Mounted

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