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FR1GA

产品描述Rectifier Diode, 1 Element, 1A, 400V V(RRM), Silicon, DO-221AC, GREEN, PLASTIC, SMA FLAT PACKAGE-2
产品类别分立半导体    二极管   
文件大小127KB,共3页
制造商台湾光宝(LITEON)
官网地址http://optoelectronics.liteon.com/en-global/Home/index
标准
Lite-On 从 1975 年开始生产 LED 灯;公司向客户提供可见观光和红外产品解决方案,稳步成长为全球最大的光电子产品制造商之一。实践证明,商用产品和应用特定型产品的大批量生产,以及强大的研发和垂直整合能力是 Lite-On 成功的关键而与众不同的因素。
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FR1GA概述

Rectifier Diode, 1 Element, 1A, 400V V(RRM), Silicon, DO-221AC, GREEN, PLASTIC, SMA FLAT PACKAGE-2

FR1GA规格参数

参数名称属性值
是否无铅不含铅
是否Rohs认证符合
厂商名称台湾光宝(LITEON)
零件包装代码DO-221AC
包装说明GREEN, PLASTIC, SMA FLAT PACKAGE-2
针数2
Reach Compliance Codecompliant
ECCN代码EAR99
配置SINGLE
二极管元件材料SILICON
二极管类型RECTIFIER DIODE
JEDEC-95代码DO-221AC
JESD-30 代码R-PDSO-F2
湿度敏感等级1
元件数量1
端子数量2
最高工作温度150 °C
最低工作温度-55 °C
最大输出电流1 A
封装主体材料PLASTIC/EPOXY
封装形状RECTANGULAR
封装形式SMALL OUTLINE
峰值回流温度(摄氏度)255
认证状态Not Qualified
最大重复峰值反向电压400 V
最大反向恢复时间0.15 µs
表面贴装YES
端子形式FLAT
端子位置DUAL
处于峰值回流温度下的最长时间NOT SPECIFIED
Base Number Matches1

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FR1AA thru FR1MA
SURFACE MOUNT
FAST RECOVERY RECTIFIER
FEATURES
REVERSE VOLTAGE – 50 to 1000 Volts
FORWARD CURRENT – 1.0 Ampere
SMA FLAT
SMA FLAT
DIM.
A
B
C
D
E
MIN.
0.90
1.25
0.15
2.25
4.80
3.95
0.75
MAX.
1.10
1.65
0.40
2.95
5.60
4.60
1.50
Very low profile package – 0.9mm
Glass passivated chip
For surface mounted applications
Low reverse leakage current
Low forward voltage drop
High current capability
Fast switching for high efficiency
MECHANICAL DATA
E1
L
Case: JEDEC DO-221AC
Case Material: “Green” molding compound, UL
Terminals: Lead Free Plating (Matte Tin Finish.)
Reliability tested in accordance with AEC-Q101
Component in accordance to RoHs 2002/95/EC
flammability classification 94V-0, (No Br. Sb. Cl.)
Moisture Sensitivity: Level 1 per J-STD-020C
All dimension in millimeter
MAXIMUM RATINGS AND ELECTRICAL CHARACTERISTICS
Ratings at 25
°C
ambient temperature unless otherwise specified.
PARAMETER
Device marking code
Maximum Repetitive Peak Reverse Voltage
Maximum RMS Voltage
Maximum DC Blocking Voltage
Average Rectified Output Current
@T
L
=125°C
Peak Forward Surge Current 8.3ms single half
sine-wave
Operating junction temperature range
Storage temperature range
SYMBOL FR1AA
Note
V
RRM
V
RMS
V
DC
I
(AV)
I
FSM
T
J
T
STG
FR1BA
FR1BA
100
70
100
FR1DA
FR1DA
200
140
200
FR1GA
FR1GA
400
280
400
1.0
30
-55 to +150
-55 to +150
FR1JA
FR1JA
600
420
600
FR1KA
FR1KA
800
560
800
FR1MA
FR1MA
1000
700
1000
UNIT
---
V
V
V
A
A
°C
°C
FR1AA
50
35
50
PARAMETER
Forward Voltage (1)
Leakage Current (1)
TEST CONDITIONS
IF=1.0A
VR=V
DC
Tj=25°C
Tj=25°C
Tj=125°C
SYMBOL
V
F
I
R
T
RR
150
Max.
1.3
5
200
250
500
UNIT
V
uA
ns
Maximum Reverse Recovery Time (Note 2)
THERMAL CHARACTERISTIC
Typical junction capacitance (3)
Typical thermal resistance _ Junction to Case (4)
Typical thermal resistance _ Junction to Ambient (4)
Typical thermal resistance _ Junction to Lead (4)
SYMBOL
C
J
R
Θ
JC
R
Θ
JA
R
Θ
JL
Typical
15
26
85
18
UNIT
pF
°C/W
°C/W
°C/W
Note :
(1)
(2)
(3)
(4)
REV. 3, Sep-2012, KSEP01
300us Pulse width, 2% Duty cycle.
Reverse Recovery Test Conditions:I
F
=0.5A,I
R
=1.0A,I
RR
=0.25A.
Measured at 1.0MHz and applied reverse voltage of 4.0V DC.
Thermal Resistance test performed in accordance with JESD-51. Unit mounted on 0.75t glass-epoxy substrate with foot print copper
pad. R
Θ
JL
is measured at the lead
of cathode band,
R
Θ
JC
is measured at the top centre of body.
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