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BC850C_R1_00001

产品描述Small Signal Bipolar Transistor, 0.1A I(C), NPN,
产品类别分立半导体    晶体管   
文件大小259KB,共8页
制造商强茂(PANJIT)
官网地址http://www.panjit.com.tw/
标准

PANJIT 是一家全球 IDM,提供广泛的产品组合,包括 MOSFET、肖特基二极管、SiC 器件、双极结型晶体管和电桥等。公司旨在满足客户在汽车、电源、工业、计算、消费和通信等各种应用领域的需求。他们的愿景是通过质量可靠、节能高效的产品为世界提供电源,为人们带来更绿色、更智能的未来。公司核心价值观包括创新、责任、以客户为中心、学习与成长、相互信任和协作。

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BC850C_R1_00001概述

Small Signal Bipolar Transistor, 0.1A I(C), NPN,

BC850C_R1_00001规格参数

参数名称属性值
是否Rohs认证符合
厂商名称强茂(PANJIT)
包装说明SMALL OUTLINE, R-PDSO-G3
Reach Compliance Codecompliant
ECCN代码EAR99
最大集电极电流 (IC)0.1 A
集电极-发射极最大电压45 V
配置SINGLE
最小直流电流增益 (hFE)420
JESD-30 代码R-PDSO-G3
JESD-609代码e3
元件数量1
端子数量3
最高工作温度150 °C
最低工作温度-55 °C
封装主体材料PLASTIC/EPOXY
封装形状RECTANGULAR
封装形式SMALL OUTLINE
峰值回流温度(摄氏度)NOT SPECIFIED
极性/信道类型NPN
最大功率耗散 (Abs)0.33 W
表面贴装YES
端子面层Tin (Sn)
端子形式GULL WING
端子位置DUAL
处于峰值回流温度下的最长时间NOT SPECIFIED
晶体管应用AMPLIFIER
晶体管元件材料SILICON
Base Number Matches1

BC850C_R1_00001文档预览

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BC846,BC847,BC848,BC849,BC850 SERIES
NPN GENERAL PURPOSE TRANSISTORS
VOLTAGE
FEATURES
• General purpose amplifier applications
• NPN epitaxial silicon, planar design
• Collector current IC = 100mA
• Lead free in comply with EU RoHS 2011/65/EU directives
• Green molding compound as per IEC61249 Std. .
(Halogen Free)
0.120(3.04)
0.110(2.80)
30/45/65 Volts
POWER
330 mWatts
0.006(0.15)MIN.
0.008(0.20)
0.003(0.08)
0.044(1.10)
0.035(0.90)
0.020(0.50)
0.013(0.35)
0.056(1.40)
0.047(1.20)
MECHANICAL DATA
Case: SOT-23, Plastic
Terminals: Solderable per MIL-STD-750, Method 2026
Approx. Weight: 0.008 gram
0.079(2.00)
0.070(1.80)
0.004(0.10)
0.000(0.00)
Device Marking:
BC846A=46A
BC846B=46B
BC847A=47A
BC847B=47B
BC847C=47C
BC848A=48A
BC848B=48B
BC848C=48C
BC849B=49B
BC849C=49C
BC850B=50B
BC850C=50C
ABSOLUTE RATINGS
Parameter
Collector - Emitter Voltage
BC846
BC847,BC850
BC848,BC849
BC846
BC847,BC850
BC848,BC849
BC846
BC847,BC850
BC848,BC849
Symbol
V
CEO
Value
65
45
30
80
50
30
6
6
5
100
Units
V
Collector - Base Voltage
V
CBO
V
Emitter - Base Voltage
Collector Current - Continuous
V
EBO
I
C
V
mA
THERMAL CHARACTERISTICS
Parameter
Max Power Dissipation (Note 1)
Thermal Resistance , Junction to Ambient
Operating Junction Temperature and Storage Temperature Range
Symbol
P
TOT
R
JA
T
J
,T
STG
Value
330
375
-55 to 150
Units
mW
O
C/W
O
C
Note 1: Transistor mounted on FR-4 board 8 cm .
2
August 5,2013-REV.06
PAGE . 1
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