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BAT82S

产品描述Rectifier Diode, Schottky, 1 Element, 0.03A, 50V V(RRM), Silicon, DO-35, GLASS PACKAGE-2
产品类别分立半导体    二极管   
文件大小284KB,共4页
制造商优先(苏州)半导体
官网地址http://www.excel-semi.com/
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BAT82S概述

Rectifier Diode, Schottky, 1 Element, 0.03A, 50V V(RRM), Silicon, DO-35, GLASS PACKAGE-2

BAT82S规格参数

参数名称属性值
厂商名称优先(苏州)半导体
包装说明O-LALF-W2
Reach Compliance Codeunknown
ECCN代码EAR99
其他特性HIGH RELIABILITY
外壳连接ISOLATED
配置SINGLE
二极管元件材料SILICON
二极管类型RECTIFIER DIODE
JEDEC-95代码DO-35
JESD-30 代码O-LALF-W2
元件数量1
端子数量2
最高工作温度125 °C
最大输出电流0.03 A
封装主体材料GLASS
封装形状ROUND
封装形式LONG FORM
最大重复峰值反向电压50 V
表面贴装NO
技术SCHOTTKY
端子形式WIRE
端子位置AXIAL
Base Number Matches1

BAT82S文档预览

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BAT81S/BAT82S/BAT83S
Schottky Barrier Diode
Features
1. Very low switching time
2. High reliability
3. Low leakage current
4. low forward voltage drop
5. Low capacitance
Applications
Diode for low currents with a low supply voltage
Small battery charger
HF-Detector
Protection circuit
DC/DC converter for notebooks
Protection circuit ……
Absolute Maximum Ratings
T
j
=25℃
Parameter
Reverse voltage
Test Conditions
Type
BAT81S
BAT82S
BAT83S
Repetitive peak forward current
Peak forward surge current
Forward current
Junction temperature
Storage temperature range
t
p
=1 s
Symbol
V
RRM
V
RRM
V
RRM
I
FRM
I
FSM
I
F
T
j
T
stg
Value
40
50
60
150
500
30
125
-65~+150
Unit
V
V
V
mA
mA
mA
Stresses exceeding maximum ratings may damage the device. Maximum ratings are stress ratings only. Functional operation above the
recommended operating conditions is not implied. Extended exposure to stresses above the recommended operating conditions may
affect device reliability.
Excel Semiconductor
www.excel-semi.com
FaxBack +86-512-67606917
Rev. 3g, 1-Sep-2009
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