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IRF7509

产品描述Power MOSFET(Vdss=+-30V)
产品类别分立半导体    晶体管   
文件大小241KB,共8页
制造商International Rectifier ( Infineon )
官网地址http://www.irf.com/
下载文档 详细参数 选型对比 全文预览

IRF7509概述

Power MOSFET(Vdss=+-30V)

IRF7509规格参数

参数名称属性值
是否Rohs认证不符合
厂商名称International Rectifier ( Infineon )
包装说明SMALL OUTLINE, R-PDSO-G8
针数8
Reach Compliance Codecompliant
ECCN代码EAR99
其他特性LOGIC LEVEL COMPATIBLE
配置SEPARATE, 2 ELEMENTS WITH BUILT-IN DIODE
最小漏源击穿电压30 V
最大漏极电流 (Abs) (ID)1.3 A
最大漏极电流 (ID)2.7 A
最大漏源导通电阻0.11 Ω
FET 技术METAL-OXIDE SEMICONDUCTOR
JESD-30 代码R-PDSO-G8
JESD-609代码e0
湿度敏感等级2
元件数量2
端子数量8
工作模式ENHANCEMENT MODE
最高工作温度150 °C
封装主体材料PLASTIC/EPOXY
封装形状RECTANGULAR
封装形式SMALL OUTLINE
峰值回流温度(摄氏度)245
极性/信道类型N-CHANNEL AND P-CHANNEL
最大功率耗散 (Abs)0.39 W
最大脉冲漏极电流 (IDM)21 A
认证状态Not Qualified
表面贴装YES
端子面层Tin/Lead (Sn/Pb)
端子形式GULL WING
端子位置DUAL
处于峰值回流温度下的最长时间30
晶体管应用SWITCHING
晶体管元件材料SILICON
Base Number Matches1

IRF7509相似产品对比

IRF7509
描述 Power MOSFET(Vdss=+-30V)
是否Rohs认证 不符合
厂商名称 International Rectifier ( Infineon )
包装说明 SMALL OUTLINE, R-PDSO-G8
针数 8
Reach Compliance Code compliant
ECCN代码 EAR99
其他特性 LOGIC LEVEL COMPATIBLE
配置 SEPARATE, 2 ELEMENTS WITH BUILT-IN DIODE
最小漏源击穿电压 30 V
最大漏极电流 (Abs) (ID) 1.3 A
最大漏极电流 (ID) 2.7 A
最大漏源导通电阻 0.11 Ω
FET 技术 METAL-OXIDE SEMICONDUCTOR
JESD-30 代码 R-PDSO-G8
JESD-609代码 e0
湿度敏感等级 2
元件数量 2
端子数量 8
工作模式 ENHANCEMENT MODE
最高工作温度 150 °C
封装主体材料 PLASTIC/EPOXY
封装形状 RECTANGULAR
封装形式 SMALL OUTLINE
峰值回流温度(摄氏度) 245
极性/信道类型 N-CHANNEL AND P-CHANNEL
最大功率耗散 (Abs) 0.39 W
最大脉冲漏极电流 (IDM) 21 A
认证状态 Not Qualified
表面贴装 YES
端子面层 Tin/Lead (Sn/Pb)
端子形式 GULL WING
端子位置 DUAL
处于峰值回流温度下的最长时间 30
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