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GBJ8D

产品描述Bridge Rectifier Diode, 8A, 200V V(RRM),
产品类别分立半导体    二极管   
文件大小745KB,共2页
制造商苏州固锝(Good-Ark)
标准
苏州固锝是国内半导体分立器件二极管行业完善、齐全的设计、制造、封装、销售的厂商,从前端芯片的自主开发到后端成品的各种封装技术,形成了一个完整的产业链。主要产品包括最新封装技术的无引脚集成电路产品和分立器件产品、汽车整流二极管、功率模块、整流二极管芯片、硅整流二极管、开关二极管、稳压二极管、微型桥堆、军用熔断丝、光伏旁路模块等共有50多个系列,1500多个品种。产品广泛应用在航空航天、汽车、绿色照明、IT、家用电器以及大型设备的电源装置等许多领域。设计、研发太阳能电池用银浆以及各种电子浆料,研发并规模化生产物联网领域各种新型传感器。
下载文档 详细参数 全文预览

GBJ8D概述

Bridge Rectifier Diode, 8A, 200V V(RRM),

GBJ8D规格参数

参数名称属性值
是否Rohs认证符合
厂商名称苏州固锝(Good-Ark)
包装说明R-PSFM-T4
Reach Compliance Codecompliant
最小击穿电压200 V
配置BRIDGE, 4 ELEMENTS
二极管元件材料SILICON
二极管类型BRIDGE RECTIFIER DIODE
最大正向电压 (VF)1 V
JESD-30 代码R-PSFM-T4
最大非重复峰值正向电流170 A
元件数量4
相数1
端子数量4
最高工作温度150 °C
最低工作温度-55 °C
最大输出电流2.9 A
封装主体材料PLASTIC/EPOXY
封装形状RECTANGULAR
封装形式FLANGE MOUNT
最大重复峰值反向电压200 V
表面贴装NO
端子形式THROUGH-HOLE
端子位置SINGLE
Base Number Matches1

GBJ8D文档预览

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GBJ/KBJ8A thru GBJ/KBJ8M
Glass Passivated Single-Phase Bridge Rectifiers
Voltage Range 50 to 1000 Volts Forward Current 8.0 Amperes
Features
Rating to 1000V PRV
Ideal for printed circuit boards
Low forward voltage drop, high current capability
Reliable low cost construction ctilizing molded plastic technique
results in inexpensive product
The plastic material has Underwriters Laboratory Flammability
Classification 94V-0
Maximum Ratings and Electrical Characteristics
Rating at 25
o
C ambient temperature unless otherwise specified.
Single phase, half wave, 60 Hz, resistive or inductive load.
For capacitive load, derate current by 20%
Parameter
Maximum recurrent peak reverse voltage
Maximum RMS voltage
Maximum DC blocking voltage
Maximum average forward
(with heatsink Note 2)
rectified output current @T
C
=100
o
C (without heatsink)
Peak forward surge current, 8.3ms single half sine-wave
superimposed on rated load (JEDEC Method)
Max. instantaneous forward voltage drop at 4.0A DC
Maximum DC reverse current
at rated DC blocking voltage per element
Rating for fusing (t<8.3ms)
Typical junction capacitance per element (Note 1)
Typical thermal resistance (Note 2)
Operating temperature range
Storage temperature range
Notes:
@T
J
=25 C
@T
J
=125
o
C
o
Symbols
V
RRM
V
RMS
V
DC
I
F(AV)
I
FSM
V
F
I
R
I
2
t
C
J
R
θ
JC
T
J
T
STG
K B J8A
GBJ8A
50
35
50
K B J8B
GBJ8B
100
70
100
K B J8D
GBJ8D
200
140
200
K B J8G
GBJ8G
400
280
400
8.0
2.9
170.0
1.0
5.0
500.0
120
55
1.6
-55 to +150
-55 to +150
K B J8J
GBJ8J
600
420
600
K B J8K
GBJ8K
800
560
800
K B J8M
GBJ8M
1000
700
1000
Units
Volts
Volts
Volts
Amps
Amps
Volt
uA
A
2
se c
pF
o
C/W
o
C
C
o
1. Measured at 1.0MHz and applied reverse voltage of 4.0V DC
2. Device mounted on 100mm x 100mm x 1.6mm Cu plate heatsink
638
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