Datasheet> 器件分类 > 分立半导体> 晶体管> KTA20154

文档预览

KTA20154: 产品描述Transistor; 产品类别分立半导体晶体管; 文件大小241KB，共1页; 制造商长电科技(JCET); 官网地址http://www.cj-elec.com/; 江苏长电科技股份有限公司专注于半导体封装测试业务，为海内外客户提供芯片测试、封装设计、封装测试等全套解决方案。公司于2003年在上海主板成功上市，成为国内首家半导体封测上市公司，现已拥有国家级企业技术中心、博士后科研工作站，是国家重点高新技术企业、高密度集成电路国家工程实验室依托单位及集成电路封装技术创新战略联盟的理事长单位。

分立器件：二极管（开关二极管，肖特基二极管（肖特基整流管），稳压二极管，Pin二极管，TVS二极管，整流二极管，快恢复二极管）；晶体管（达林顿管，数字晶体管，MOSFET）；晶闸管：可控硅整流器，三端双向可控硅；复合管：晶体管+场效应管，双晶体管，双数字晶体管，数字晶体管+晶体管，晶体管+二极管，场效应管+二极管，双场效应管。稳压电路；节能灯充电器开关管

引线框架：TO系列（TO）；SOD系列（SOD）；SOT系列（TSOT，SOT）；FBP系列（WBFBP）；QFN系列（QFNWB，DFNWB，DFNFC，QFNFC）；QFP系列（LQFP：PQFP：PLCC：TQFP）；SIP系列（SIP，HSIP，FSIP）；SOP系列（SOP，HSOP，SSOP，MSOP，HTSOP，TSSOP）；DIP系列（DIP，FDIP，SDIP）；PDFN系列；PQFN系列；MIS系列（MISFC，MISWB）

九大核心技术：硅穿孔（TSV）封装技术；SiP射频封装技术；圆片级三维再布线封装工艺技术；铜凸点互连技术；高密度FC-BGA封测技术（Flip Chip BGA）；多圈阵列四边无引脚封测技术；封装体三维立体堆叠技术；50μm以下超薄芯片三维立体堆叠封装技术；MEMS多芯片封装技术；MIS封装技术(预包封互联系统)；BGA封装技术等。

下载文档详细参数全文预览

KTA20154概述

Transistor

KTA20154规格参数

参数名称	属性值
厂商名称	长电科技(JCET)
包装说明	,
Reach Compliance Code	unknown
Base Number Matches	1

KTA20154文档预览

下载PDF文档

全文
预览

JIANGSU CHANGJIANG ELECTRONICS TECHNOLOGY CO., LTD

SOT-323 Plastic-Encapsulate Transistors

KTA2015

FEATURES



Excellent h

Linearity



Complementary to KTC4076

APPLICATIONS



General Purpose Switching

MAXIMUM RATINGS (T

=25℃ unless otherwise noted)

Symbol

CBO

CEO

EBO

ΘJA

stg

Parameter

Collector-Base Voltage

Collector-Emitter Voltage

Emitter-Base Voltage

Collector Current

Collector Power Dissipation

Thermal Resistance From Junction To Ambient

Junction Temperature

Storage Temperature

Value

-35

-30

-5

-500

100

1250

150

-55½+150

Unit

℃/W

℃

TRANSISTOR (PNP)

SOT–323

1. BASE

2. EMITTER

3. COLLECTOR

ELECTRICAL CHARACTERISTICS (T

=25℃ unless otherwise specified)

Parameter

Collector-base breakdown voltage

Collector-emitter breakdown voltage

Emitter-base breakdown voltage

Collector cut-off current

Emitter cut-off current

DC current gain

Collector-emitter saturation voltage

Base-emitter voltage

Transition frequency

Collector output capacitance

Symbol

(BR)CBO

(BR)CEO

(BR)EBO

CBO

EBO

FE(1)

FE(2)

CE(sat)

Test

=-100µA, I

=-1mA, I

=-100µA, I

=-35V, I

=-5V, I

=-1V, I

=-100mA

=-6V, I

=-400mA

=-100mA, I

=-10mA

=-1V, I

=-100mA

=-6V,I

=-20mA ,

=-6V, I

=0, f=1MHz

200

-0.25

-1

MHz

conditions

Min

-35

-30

-5

-0.1

240

Typ

Max

Unit

µA

CLASSIFICATION OF

FE(1)

, h

FE(2)

RANK

RANG

FE(1)

FE(2)

MARKING

O(2)

70–140

Y(4)

120–240

25Min

40Min

A,Oct,2010

推荐资源

软启动稳压电源电路之一

TWH9104节日彩灯专用集成电路

快速充电IC（MAX712／713）及其应用电路

分压电源电路

双臂晶闸管模块交流调压电路

低压灯定时闪烁电路

$test$plusargs的用法: 我买了夏宇闻老师的《Verilog数字系统设计教程》(第四版）其中第114页有一个例子，我想做这个实验，可是不成功代码为： `timescale 10ns/1ns module LAMP_vlg_tst(); // con ......; chenbingjy FPGA/CPLD

Amplifier 放大器专家设计经: Audio debug tips 外部元件放置接地问题电源和去耦 PWM滤波器散热问题 I2C/ I2S通信 1.组件放置 D类放大器产生PWM脉冲， ......; alan000345 TI技术论坛

MSP MCU I2C入门指南: 这是一份介绍性指南，指导你如何用超低功耗MSP微控制器 (MCU) 开始一个与I2C通信有关的项目：简介I2C（或称为I2C，集成电路总线）是一种两线制通信形式，主要用来在短距离、电路板间的应用中， ......; maylove 微控制器 MCU

深圳2学童被撕票 6名犯罪嫌疑人被捕: 据说被撕票的是华为高管的小孩...; 凯哥聊聊、笑笑、闹闹

工作现状-求前辈指点: 我本帖最后由 sdljt007 于 2011-11-17 17:02 编辑 ]...; sdljt007 工作这点儿事

有谁做过LC谐振放大器这道题啊，电源模块是怎么设计的: 本帖最后由 paulhyde 于 2014-9-15 03:45 编辑 3.6V我们组原先是用的LM317/337搭的的电源，但是接上本题所需要的晶体管放大电路就带不动载了，3.6V最高输出只有2.2V，求有经验的一起分享下 ......; zqw930421 电子竞赛

消息称三星正为 2nm 尖端制程导入 Hyper Cell 技术

8月22日消息，韩媒Nate当地时间20日报道称，三星电子正在向其当下最先进的2nm级制程工艺中导入HyperCell技术，力图以晶体管设计上的更大灵活性提升性能与能效表现，增强工艺在AI/HPC芯片代工市场的竞争力。单元(Cell)是半导体芯片设计中最基本的单位，而传统的标准单元具有相对固定的高度尺寸和排列方式（即所谓的6T库、7.5T库）。三星的...[详细]
安森美公布2025年第二季度财报

通过股票回购返还超过100%的自由现金流2025年8月5日-安森美（onsemi，）公布其2025年第二季度财务业绩，主要亮点如下：• 第二季度收入为14.687亿美元• 第二季度公认会计原则(以下简称“GAAP”)和非GAAP毛利率均为37.6%• 第二季度GAAP营业利润率和非GAAP营业利润率分别为13.2%和17.3%• 第二季度GAAP每股摊薄收益为0.4...[详细]
奥芯明：AI驱动半导体产业迎来“异构集成”新纪元，先进封装成破局关键

在10月29日至30日于深圳举办的第四届SEMI大湾区产业峰会上ASMPT集团半导体事业部副总裁，奥芯明半导体设备技术有限公司首席商务官、先进封装研发中心负责人薛晗宸先生在开幕式上发表了题为《AI时代对半导体应用及先进封装发展的推动》的演讲，从产业趋势、技术突破、解决方案及本土化实践四大维度，深入剖析了AI如何重构半导体生态，并指出异构集成（HI）将成为后摩尔时代的核心驱动力，为大湾区乃...[详细]
恩智浦收购Kinara，加速边缘AI发展

我们正迈入一个计算新时代，智能部署到边缘——从工厂机器人到驾驶辅助、乘客娱乐功能甚至协助完成作业的智能汽车。当今的AI必须实现本地化、快速响应、高效能且安全可靠，以满足实时、设备端决策需求。为此，恩智浦迈出了重要一步。我们近期宣布，正式完成对Kinara的收购。Kinara是业界高性能、高能效独立神经处理单元(DNPU)的领导企业之一。重要意义智能系统的未来将以边缘为中心...[详细]
芯联集成董事长、总经理赵奇：公司全年营收将超80亿

10月27日，芯联集成（2025年三季报电话交流会上传出重磅信号：公司前三季度实现营业收入54.22亿元，同比增长近20%。公司董事长、总经理赵奇明确表示，受益于新能源、AI、机器人等赛道的需求增长，芯联集成全年营收将达到80亿元到83亿元，同比增幅达23%-28%，为2026年公司冲击百亿营收奠定坚实基础。“目前可以看到，公司的汽车功率模块、激光雷达和消费类MEMS传感器等产品需求...[详细]
SK 海力士 2025 三季度营业利润达 11.38 万亿韩元同比增长 62%，创历史新高

10月29日消息，SK海力士今日发布截至2025年9月30日的2025财年第三季度财务报告。公司2025财年第三季度营业收入为24.4489万亿韩元（IT之家注：现汇率约合1209.49亿元人民币），同比增长39%，营业利润为11.3834万亿韩元（现汇率约合563.14亿元人民币），同比增长62%，净利润为12.5975万亿韩元（现汇率约合...[详细]
赋能边缘人工智能：2025贸泽与你大咖说即将重磅启幕

2025年10月27日–提供超丰富半导体和电子元器件™的业界知名新品引入(NPI)代理商贸泽电子(MouserElectronics)宣布，2025年“贸泽与你大咖说”系列技术活动将于11月1日14:00-17:00在线举办。本期贸泽电子将联袂半导体巨头恩智浦和电子元器件领导企业国巨，汇聚多位资深技术专家，以“边缘AI破晓，技术变革驱动产业新生”为主题，共同探讨边缘智能时代的关...[详细]
盘点国内半导体行业中那些在2025年被终止的并购

行业观察盘点国内半导体行业中那些在2025年被终止的并购终止潮背后：IPO重启、估值体系错位、不确定性的三重博弈2025年岁末，正当行业人士可以借圣诞元旦稍事休息之际，大洋彼岸却传来了英伟达200亿美元现金收购推理芯片企业Groq的大消息，它成为上年度全球半导体行业最后一个颇具规模的并购案例，为全球半导体行业在2025年的收并购事件画下了一个巨大的句号。中国半导体产业近年...[详细]
拍出硬核创意｜第四届贸泽电子短视频大赛震撼开启

2026年1月5日–提供超丰富半导体和电子元器件™的业界知名新品引入(NPI)代理商贸泽电子(MouserElectronics)宣布，第四届贸泽电子短视频大赛已于近日正式拉开帷幕，为期3个月，大赛面向工程师、硬件开发者、创客等电子技术爱好者全面开放，以短视频形式呈现技术创意，分享设计经验，展示创新实力。贸泽电子亚太区市场及商务拓展副总裁田吉平表示：“电子设计的魅...[详细]
电动汽车充电桩市场系统趋势及技术解决方案分析

在全球脱碳进程加速推进的背景下，电动汽车产业迎来蓬勃发展，作为核心配套设施的充电桩市场也随之进入高速增长期。本文将从市场驱动因素、产业链格局、技术分类与特点、系统设计趋势及功率半导体解决方案等维度，对电动汽车充电桩市场的发展现状与未来方向进行客观分析。市场驱动因素与增长态势全球范围内的脱碳行动是推动电动汽车充电桩市场发展的核心驱动力。在国际能源署（IEA）净零排放目标的指引下，能源供...[详细]
Digi-Key创下月度纪录

当前全球电子元器件分销行业活跃度十足。尽管全球关税政策频繁调整，经济预测也不乏悲观论调，但Digi-Key全球数字业务负责人TimCarroll依旧保持乐观态度。“尽管存在所谓的经济预警信号，但Digi-Key在10月迎来了网站访问量和数据手册下载量的双纪录，”他向《电子周刊》（ElectronicsWeekly）表示。该公司本月录得3000万次网站访问量和...[详细]
e络盟与 Fulham 宣布建立全球分销合作伙伴关系

新协议将扩大高级LED驱动器、应急照明和智能控制解决方案的全球供应范围中国上海，2026年2月6日—安富利旗下全球电子元器件产品与解决方案分销商e络盟近日宣布与Fulham建立新的全球分销合作伙伴关系，扩大高级LED驱动器、应急照明和智能控制解决方案对欧洲、中东、非洲及亚太地区客户的供应覆盖范围。该协议强化了e络盟在该区域的照明产品组合，为商业、工业及建筑照明领域的工...[详细]
因应 HBM 等 AI 内存需求，SK 海力士宣布投资 19 万亿韩元建设清州先进封装工厂 P&T7

1月13日消息，SK海力士当地时间今日宣布该企业将在其忠清北道清州市生产基地投资19万亿韩元（现汇率约合909.91亿元人民币），建设面向HBM等AI内存的需求的先进封装后端晶圆厂P&T7（P&T即封装与测试）。清州P&T7后端工厂占地面积7万坪（约合23.14万平方米），计划于2026年4月开工建设，预计于2027年底竣工。其将与SK...[详细]
光刻机巨头阿斯麦闪崩股价暴跌16%：销售疲软订单暴降50%+

10月16日消息，一夜之间，光刻机巨头阿斯麦股价闪崩，还是因为公司业绩出现了巨大问题。截至收盘，阿斯麦跌16.26%，报730.43美元，市值2873.7亿美元。据统计这是该公司自1998年以来最大的单日跌幅。该公司表示，9月份季度的净预订量为26亿欧元（28.3亿美元），远低于LSEG预期的56亿欧元。然而，净销售额超过预期，达到75亿欧元。诸多分析师表示，阿斯麦的悲观前景“显然令人失望...[详细]
先进制程订单寥寥，消息称三星关闭平泽 P2、P3 工厂三成 4 \ 5 \ 7 nm 产线

9月30日消息，韩媒ChosunBiz当地时间27日报道称，三星电子大幅度调整其先进制程商业战略，缩减相关运营规模，关闭韩国平泽P2、P3工厂30%的现有457nm先进制程产线。三星此前为追赶台积电在晶圆代工市场的份额，采取了“先建设晶圆厂再接订单”的厂房优先战略，但最终因为自身工艺在能效、良率等方面的劣势，仅从大型无厂设计企业处赢得了个别先进制程代工订单。这造...[详细]

小广播

热搜元器件