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MMBTA05-AU_R2_000A1

产品描述Small Signal Bipolar Transistor,
产品类别分立半导体    晶体管   
文件大小244KB,共7页
制造商强茂(PANJIT)
官网地址http://www.panjit.com.tw/
标准

PANJIT 是一家全球 IDM,提供广泛的产品组合,包括 MOSFET、肖特基二极管、SiC 器件、双极结型晶体管和电桥等。公司旨在满足客户在汽车、电源、工业、计算、消费和通信等各种应用领域的需求。他们的愿景是通过质量可靠、节能高效的产品为世界提供电源,为人们带来更绿色、更智能的未来。公司核心价值观包括创新、责任、以客户为中心、学习与成长、相互信任和协作。

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MMBTA05-AU_R2_000A1概述

Small Signal Bipolar Transistor,

MMBTA05-AU_R2_000A1规格参数

参数名称属性值
是否Rohs认证符合
厂商名称强茂(PANJIT)
包装说明SMALL OUTLINE, R-PDSO-G3
Reach Compliance Codecompliant
最大集电极电流 (IC)0.5 A
集电极-发射极最大电压60 V
配置SINGLE
最小直流电流增益 (hFE)100
JESD-30 代码R-PDSO-G3
元件数量1
端子数量3
最高工作温度150 °C
最低工作温度-55 °C
封装主体材料PLASTIC/EPOXY
封装形状RECTANGULAR
封装形式SMALL OUTLINE
峰值回流温度(摄氏度)NOT SPECIFIED
极性/信道类型NPN
参考标准AEC-Q101
表面贴装YES
端子形式GULL WING
端子位置DUAL
处于峰值回流温度下的最长时间NOT SPECIFIED
晶体管元件材料SILICON
标称过渡频率 (fT)100 MHz
Base Number Matches1

MMBTA05-AU_R2_000A1文档预览

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MMBTA05-AU,MMBTA06-AU,MMBTA55-AU,MMBTA56-AU
NPN AND PNP HIGH VOLTAGE TRANSISTOR
VOLTAGE
60~80 Volts
FEATURES
• NPN and PNP silicon, planar design
• Collector current I
C
= 500mA
Acqire quality system certificate : TS16949
• Lead free in comply with EU RoHS 2002/95/EC directives.
• Green molding compound as per IEC61249 Std. . (Halogen Free)
0.056(1.40)
0.047(1.20)
0.120(3.04)
0.110(2.80)
POWER
225 mWatts
SOT-23
Unit
inch(mm)
MECHANICAL DATA
• Case: SOT-23, Plastic
• Terminals: Solderable per MIL-STD-750, Method 2026
• Approx. Weight: 0.0003 ounces, 0.0084 grams
• Marking :
M MB TA 0 5 -A U=B 0 5
MM B TA 0 6 -A U=B 0 6
M M B TA 5 5 -A U= B 5 5
MM B TA 5 6 -A U=B 5 6
0.079(2.00)
0.070(1.80)
0.008(0.20)
0.003(0.08)
0.004(0.10)
0.000(0.00)
0.020(0.50)
0.013(0.35)
0.044(1.10)
0.035(0.90)
MAXIMUM RATINGS
PA RA ME TE R
C o llec to r-E mi tte r Volta ge
C o llec to r-B as e Vo ltage
E mi tte r-B as e Volta ge
C o llec to r C urrent- C o nti nuous
C i rc ui t F i g ure
SYMB O-
MMB TA 05-A U MM BTA 55- AU M MB TA 0 6-A U MM BTA 56- AU UNITS
L
V
CEO
V
CBO
V
EB O
I
C
NP N
P NP
60
60
4 .0
500
NP N
P NP
80
80
V
V
V
mA
THERMAL CHARACTERISTICS
CHARACTERISTIC
Total Device Dissipation FR-5 Board (Note 1)T
A
=25
O
C
Derate above 25
O
C
Thermal Resistance , Junction to Ambient
Total Device Dissipation Alumina Substrate (Note 2)T
A
=25
O
C
Derate above 25
O
C
Thermal Resistance , Junction to Ambient
Junction and Storage Temperature
SYMBOL
P
D
JA
P
D
JA
T
J
,T
STG
MAX
225
1.8
556
300
2.4
417
-55 to 150
PNP
UNIT
mW
mW/
O
C
O
C/W
mW
mW/
O
C
O
C
C
NPN
O
1.FR-4=70 x
60
x
1mm.
2.Alumina=0.4 x 0.3 x 0.024 in. 99.5 alumina
STAD-NOV.30.2005
PAGE . 1
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