电子工程世界电子工程世界电子工程世界

关键词

搜索

型号

搜索

GR3JB

产品描述Rectifier Diode, 1 Element, 3A, 600V V(RRM)
产品类别分立半导体    二极管   
文件大小152KB,共2页
制造商苏州固锝(Good-Ark)
标准
苏州固锝是国内半导体分立器件二极管行业完善、齐全的设计、制造、封装、销售的厂商,从前端芯片的自主开发到后端成品的各种封装技术,形成了一个完整的产业链。主要产品包括最新封装技术的无引脚集成电路产品和分立器件产品、汽车整流二极管、功率模块、整流二极管芯片、硅整流二极管、开关二极管、稳压二极管、微型桥堆、军用熔断丝、光伏旁路模块等共有50多个系列,1500多个品种。产品广泛应用在航空航天、汽车、绿色照明、IT、家用电器以及大型设备的电源装置等许多领域。设计、研发太阳能电池用银浆以及各种电子浆料,研发并规模化生产物联网领域各种新型传感器。
下载文档 详细参数 全文预览

GR3JB概述

Rectifier Diode, 1 Element, 3A, 600V V(RRM)

GR3JB规格参数

参数名称属性值
是否Rohs认证符合
Reach Compliance Codecompli
配置SINGLE
二极管类型RECTIFIER DIODE
最大正向电压 (VF)1.3 V
最大非重复峰值正向电流100 A
元件数量1
最高工作温度150 °C
最大输出电流3 A
最大重复峰值反向电压600 V
最大反向恢复时间0.25 µs
表面贴装YES
Base Number Matches1

GR3JB文档预览

下载PDF文档
GR3AB thru GR3MB
Fast Recovery Surface Mount Rectifiers
Reverse Voltage 50 to 1000 Volts Forward Current 3.0 Amperes
Features
Fast switching for high efficiency
For surface mounted applications
Glass passivated chip
Low reverse leakage current
Low forward voltage drop
High current capability
Plastic material has UL flammability classification 94V-0
Mechanical Data
Case : Molded plastic
Polarity : Indicated by cathode band
Weight : 0.003 ounce, 0.093 gram
Maximum Ratings and Electrical Characteristics
Ratings at 25
o
C ambient temperature unless otherwise specified.
Single phase, half wave, 60Hz, resistive or inductive load.
For capacitive load, derate current by 20%
Parameter
Maximum repetitive peak reverse voltage
Maximum RMS voltage
Maximum DC blocking voltage
Maximum average forward
rectified current
@ T
L
=75
o
C
Symbols
V
RRM
V
RMS
V
DC
I
(AV)
I
FSM
V
F
@T
J
=25 C
@T
J
=125
o
C
o
GR3AB
50
35
50
GR3BB
100
70
100
GR3DB
200
140
200
GR3GB
400
280
400
3.0
100.0
1.3
5.0
250
GR3JB
600
420
600
GR3KB
800
560
800
GR3MB
1000
700
1000
Units
Volts
Volts
Volts
Amps
Amps
Volts
uA
Peak forward surge current
8.3ms single half sine-wave
superimposed on rated load (JEDEC Method)
Maximum forward voltage at 3.0A DC
Maximum DC reverse current
at rated DC blocking voltage
I
R
t
rr
C
J
R
θ
JA
R
θ
JL
T
J
T
STG
150
Maximum reverse recovery time (Note 1)
Typical junction capacitance (Note 2)
Typical thermal resistance (Note 3)
Operating temperature range
Storage temperature range
250
50
50.0
10.0
-55 to +150
-55 to +150
500
nS
pF
o
C/W
o
C
C
o
Notes:
1. Reverse Recovery Test Conditions: I
F
=0.5A,I
R
=1.0A,I
RR
=0.25A
2. Measured at 1.0MHz and applied reverse voltage of 4.0V D.C.
3. Thermal Resistance Junction to Ambient and from Junction to Lead
113
「ADI模拟大学堂」集合贴
「ADI模拟大学堂」这一次的这一份材料是我在2012年收集的ADI的研讨会的资料,不知道多少人会喜欢,反正我是在论坛中以每日一贴的形式来发布,希望大家每天都可以去学习一些新的或回顾已经学习的 ......
chen8710 ADI 工业技术
C51的单片机做红外空调编码发送的问题
就是现在单片机发送的波形和空调遥控器发送的波形基本上是一样的,用示波器看过了,但是单片机发送的红外波形,空调没什么反应,是什么问题啊?求帮助:@:...
rezire199847 51单片机
运放单电源虚地,这样行不行?
本帖最后由 飞鸿浩劫 于 2016-11-29 16:45 编辑 运放用单电源供电,作同相放大,反相端接电阻再接虚地。由于同相放大器使用电流反馈运放,输出电流高达200ma,不知道用下图产生虚地是否可行 ......
飞鸿浩劫 模拟电子
STM8写EEPROM时UART接收中断为什么发生过载错误?
STM8写EEPROM时UART接收中断为什么发生过载错误?UART_SR的OR置位。 不写EEPROM时串口中断接收数据正常。...
x02004514 stm32/stm8
【TI技术文章】:KeyStone存储器架构
随着全球范围内的海量数据对无线和有线网络的强大冲击,运营商面临着严峻的挑战,他们需要不断推出既能满足当前需求也能满足未来需求的网络。因此,通信基础局端设备制造商在致力于降低每比特成 ......
德仪DSP新天地 DSP 与 ARM 处理器
阀侧移相12脉波同相逆并联整流电源
摘要:介绍单铁心阀侧移相12脉波同相逆并联晶闸管整流器主电路原理、控制电路原理、结构上的特点,以及此装置在工业现场的运行情况。 关键词:晶闸管整流器12脉波阀侧移相同相逆并联 在大功率 ......
zbz0529 电源技术
小广播

 
EEWorld订阅号

 
EEWorld服务号

 
汽车开发圈

 
机器人开发圈

About Us 关于我们 客户服务 联系方式 器件索引 网站地图 最新更新 手机版

站点相关: 大学堂 TI培训 Datasheet 电子工程

器件索引   0 1 2 3 4 5 6 7 8 9 A B C D E F G H I J K L M N O P Q R S T U V W X Y Z

北京市海淀区中关村大街18号B座15层1530室 电话:(010)82350740 邮编:100190

电子工程世界版权所有 京B2-20211791 京ICP备10001474号-1 电信业务审批[2006]字第258号函 京公网安备 11010802033920号 Copyright © 2005-2026 EEWORLD.com.cn, Inc. All rights reserved