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ES3BB

产品描述Rectifier Diode, 1 Phase, 1 Element, 3A, 100V V(RRM), Silicon, DO-214AA, SMB, 2 PIN
产品类别分立半导体    二极管   
文件大小144KB,共2页
制造商苏州固锝(Good-Ark)
标准
苏州固锝是国内半导体分立器件二极管行业完善、齐全的设计、制造、封装、销售的厂商,从前端芯片的自主开发到后端成品的各种封装技术,形成了一个完整的产业链。主要产品包括最新封装技术的无引脚集成电路产品和分立器件产品、汽车整流二极管、功率模块、整流二极管芯片、硅整流二极管、开关二极管、稳压二极管、微型桥堆、军用熔断丝、光伏旁路模块等共有50多个系列,1500多个品种。产品广泛应用在航空航天、汽车、绿色照明、IT、家用电器以及大型设备的电源装置等许多领域。设计、研发太阳能电池用银浆以及各种电子浆料,研发并规模化生产物联网领域各种新型传感器。
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ES3BB概述

Rectifier Diode, 1 Phase, 1 Element, 3A, 100V V(RRM), Silicon, DO-214AA, SMB, 2 PIN

ES3BB规格参数

参数名称属性值
是否Rohs认证符合
厂商名称苏州固锝(Good-Ark)
包装说明SMB, 2 PIN
Reach Compliance Codecompliant
应用EFFICIENCY
配置SINGLE
二极管元件材料SILICON
二极管类型RECTIFIER DIODE
最大正向电压 (VF)0.92 V
JEDEC-95代码DO-214AA
JESD-30 代码R-PDSO-C2
最大非重复峰值正向电流100 A
元件数量1
相数1
端子数量2
最高工作温度150 °C
最低工作温度-55 °C
最大输出电流3 A
封装主体材料PLASTIC/EPOXY
封装形状RECTANGULAR
封装形式SMALL OUTLINE
最大重复峰值反向电压100 V
最大反向电流10 µA
最大反向恢复时间0.035 µs
表面贴装YES
端子形式C BEND
端子位置DUAL
Base Number Matches1

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ES3AB thru ES3MB
Super Fast Surface Mount Rectifiers
Reverse Voltage 50 to 1000 Volts Forward Current 3.0 Amperes
Features
Glass passivated chip
Super fast switching for high efficiency
For surface mounted applications
Low forward voltage drop and high current capability
Low reverse leakage current
Plastic material has UL flammability classification 94V-0
Mechanical Data
Case : Molded plastic
Polarity : Color band denote cathode
Weight : 0.003 ounce, 0.093 gram
Maximum Ratings and Electrical Characteristics
Ratings at 25
o
C ambient temperature unless otherwise specified.
Single phase, half wave, 60Hz, resistive or inductive load.
For capacitive load, derate current by 20%
Parameter
Maximum repetitive peak reverse voltage
Maximum RMS voltage
Maximum DC blocking voltage
Maximum average forward
rectified current
@T
L
=100
o
C
Symbols
V
RRM
V
RMS
V
DC
I
(AV)
I
FSM
V
F
o
ES
3AB
50
35
50
ES
3B B
100
70
100
ES
3C B
150
105
150
ES
3D B
200
140
200
ES
3F B
300
210
300
3.0
ES
3GB
400
280
400
ES
3JB
600
420
600
ES
3K B
800
560
800
ES
3MB
1000
700
1000
Units
Volts
Volts
Volts
Amps
Peak forward surge current
8.3ms single half sine-wave
superimposed on rated load (JEDEC Method)
Maximum forward voltage @ 3.0A DC
Maximum DC reverse current
at rated DC blocking voltage
@ T
J
=25 C
@ T
J
=125
o
C
100.0
0.92
10.0
500
25
45
10
50
-55 to +150
-55 to +150
1.25
1.7
Amps
Volts
uA
uA
nS
pF
o
I
R
t
rr
C
J
R
θ
JL
R
θ
JA
T
J
T
STG
Maximum reverse recovery time (Note 1)
Typical junction capacitance (Note 2)
Typical thermal resistance (Note 3)
(Note 4)
Operating junction temperature range
Storage temperature range
Notes:
C/W
o
C
C
o
1. Reverse Recovery Test Conditions: I
F
=0.5A, I
R
=1.0A, I
RR
=0.25A
2. Measured at 1.0MHz and applied reverse voltage of 4.0V DC.
3. Thermal Resistance junction to Lead.
4. Thermal Resistance junction to Ambient.
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