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Datasheet> 器件分类 > 分立半导体> 晶体管> CLY35-00S
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CLY35-00S

产品描述RF Power Field-Effect Transistor, 1-Element, C Band, Gallium Arsenide, N-Channel, Metal Semiconductor FET, HERMETIC SEALED, MWP-35, 3 PIN
产品类别分立半导体    晶体管   
文件大小523KB，共9页
制造商Infineon(英飞凌)
官网地址http://www.infineon.com/
下载文档 详细参数 选型对比 全文预览

CLY35-00S概述

RF Power Field-Effect Transistor, 1-Element, C Band, Gallium Arsenide, N-Channel, Metal Semiconductor FET, HERMETIC SEALED, MWP-35, 3 PIN

CLY35-00S规格参数

参数名称属性值
厂商名称Infineon(英飞凌)
包装说明FLANGE MOUNT, R-CDFM-F2
针数3
Reach Compliance Codecompliant
ECCN代码EAR99
其他特性HIGH RELIABILITY
外壳连接SOURCE
配置SINGLE
最小漏源击穿电压14 V
最大漏极电流 (Abs) (ID)2.8 A
最大漏极电流 (ID)2.8 A
FET 技术METAL SEMICONDUCTOR
最高频带C BAND
JESD-30 代码R-CDFM-F2
JESD-609代码e3
元件数量1
端子数量2
工作模式DEPLETION MODE
最高工作温度175 °C
封装主体材料CERAMIC, METAL-SEALED COFIRED
封装形状RECTANGULAR
封装形式FLANGE MOUNT
极性/信道类型N-CHANNEL
功耗环境最大值18 W
认证状态Not Qualified
表面贴装YES
端子面层MATTE TIN
端子形式FLAT
端子位置DUAL
晶体管应用AMPLIFIER
晶体管元件材料GALLIUM ARSENIDE
Base Number Matches1

CLY35-00S相似产品对比

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描述 RF Power Field-Effect Transistor, 1-Element, C Band, Gallium Arsenide, N-Channel, Metal Semiconductor FET, HERMETIC SEALED, MWP-35, 3 PIN RF Power Field-Effect Transistor, 1-Element, C Band, Gallium Arsenide, N-Channel, Metal Semiconductor FET, HERMETIC SEALED, MWP-35, 3 PIN RF Power Field-Effect Transistor, 1-Element, C Band, Gallium Arsenide, N-Channel, Metal Semiconductor FET, HERMETIC SEALED, MWP-35, 3 PIN RF Power Field-Effect Transistor, 1-Element, C Band, Gallium Arsenide, N-Channel, Metal Semiconductor FET, HERMETIC SEALED, MWP-35, 3 PIN RF Power Field-Effect Transistor, 1-Element, C Band, Gallium Arsenide, N-Channel, Metal Semiconductor FET, HERMETIC SEALED, MWP-35, 3 PIN RF Power Field-Effect Transistor, 1-Element, C Band, Gallium Arsenide, N-Channel, Metal Semiconductor FET, HERMETIC SEALED, MWP-35, 3 PIN RF Power Field-Effect Transistor, 1-Element, C Band, Gallium Arsenide, N-Channel, Metal Semiconductor FET, HERMETIC SEALED, MWP-35, 3 PIN RF Power Field-Effect Transistor, 1-Element, C Band, Gallium Arsenide, N-Channel, Metal Semiconductor FET, HERMETIC SEALED, MWP-35, 3 PIN RF Power Field-Effect Transistor, 1-Element, C Band, Gallium Arsenide, N-Channel, Metal Semiconductor FET, HERMETIC SEALED, MWP-35, 3 PIN
厂商名称 Infineon(英飞凌) Infineon(英飞凌) Infineon(英飞凌) Infineon(英飞凌) Infineon(英飞凌) Infineon(英飞凌) Infineon(英飞凌) Infineon(英飞凌) Infineon(英飞凌)
包装说明 FLANGE MOUNT, R-CDFM-F2 FLANGE MOUNT, R-CDFM-F2 FLANGE MOUNT, R-CDFM-F2 FLANGE MOUNT, R-CDFM-F2 FLANGE MOUNT, R-CDFM-F2 FLANGE MOUNT, R-CDFM-F2 FLANGE MOUNT, R-CDFM-F2 FLANGE MOUNT, R-CDFM-F2 FLANGE MOUNT, R-CDFM-F2
针数 3 3 3 3 3 3 3 3 3
Reach Compliance Code compliant compliant compliant compliant compliant compliant compliant compliant compliant
ECCN代码 EAR99 EAR99 EAR99 EAR99 EAR99 EAR99 EAR99 EAR99 EAR99
其他特性 HIGH RELIABILITY HIGH RELIABILITY HIGH RELIABILITY HIGH RELIABILITY HIGH RELIABILITY HIGH RELIABILITY HIGH RELIABILITY HIGH RELIABILITY HIGH RELIABILITY
外壳连接 SOURCE SOURCE SOURCE SOURCE SOURCE SOURCE SOURCE SOURCE SOURCE
配置 SINGLE SINGLE SINGLE SINGLE SINGLE SINGLE SINGLE SINGLE SINGLE
最小漏源击穿电压 14 V 14 V 14 V 14 V 14 V 14 V 14 V 14 V 14 V
最大漏极电流 (Abs) (ID) 2.8 A 2.8 A 2.8 A 2.8 A 2.8 A 2.8 A 2.8 A 2.8 A 2.8 A
最大漏极电流 (ID) 2.8 A 2.8 A 2.8 A 2.8 A 2.8 A 2.8 A 2.8 A 2.8 A 2.8 A
FET 技术 METAL SEMICONDUCTOR METAL SEMICONDUCTOR METAL SEMICONDUCTOR METAL SEMICONDUCTOR METAL SEMICONDUCTOR METAL SEMICONDUCTOR METAL SEMICONDUCTOR METAL SEMICONDUCTOR METAL SEMICONDUCTOR
最高频带 C BAND C BAND C BAND C BAND C BAND C BAND C BAND C BAND C BAND
JESD-30 代码 R-CDFM-F2 R-CDFM-F2 R-CDFM-F2 R-CDFM-F2 R-CDFM-F2 R-CDFM-F2 R-CDFM-F2 R-CDFM-F2 R-CDFM-F2
JESD-609代码 e3 e3 e3 e3 e3 e3 e3 e3 e3
元件数量 1 1 1 1 1 1 1 1 1
端子数量 2 2 2 2 2 2 2 2 2
工作模式 DEPLETION MODE DEPLETION MODE DEPLETION MODE DEPLETION MODE DEPLETION MODE DEPLETION MODE DEPLETION MODE DEPLETION MODE DEPLETION MODE
最高工作温度 175 °C 175 °C 175 °C 175 °C 175 °C 175 °C 175 °C 175 °C 175 °C
封装主体材料 CERAMIC, METAL-SEALED COFIRED CERAMIC, METAL-SEALED COFIRED CERAMIC, METAL-SEALED COFIRED CERAMIC, METAL-SEALED COFIRED CERAMIC, METAL-SEALED COFIRED CERAMIC, METAL-SEALED COFIRED CERAMIC, METAL-SEALED COFIRED CERAMIC, METAL-SEALED COFIRED CERAMIC, METAL-SEALED COFIRED
封装形状 RECTANGULAR RECTANGULAR RECTANGULAR RECTANGULAR RECTANGULAR RECTANGULAR RECTANGULAR RECTANGULAR RECTANGULAR
封装形式 FLANGE MOUNT FLANGE MOUNT FLANGE MOUNT FLANGE MOUNT FLANGE MOUNT FLANGE MOUNT FLANGE MOUNT FLANGE MOUNT FLANGE MOUNT
极性/信道类型 N-CHANNEL N-CHANNEL N-CHANNEL N-CHANNEL N-CHANNEL N-CHANNEL N-CHANNEL N-CHANNEL N-CHANNEL
功耗环境最大值 18 W 18 W 18 W 18 W 18 W 18 W 18 W 18 W 18 W
认证状态 Not Qualified Not Qualified Not Qualified Not Qualified Not Qualified Not Qualified Not Qualified Not Qualified Not Qualified
表面贴装 YES YES YES YES YES YES YES YES YES
端子面层 MATTE TIN MATTE TIN MATTE TIN MATTE TIN MATTE TIN MATTE TIN MATTE TIN MATTE TIN MATTE TIN
端子形式 FLAT FLAT FLAT FLAT FLAT FLAT FLAT FLAT FLAT
端子位置 DUAL DUAL DUAL DUAL DUAL DUAL DUAL DUAL DUAL
晶体管应用 AMPLIFIER AMPLIFIER AMPLIFIER AMPLIFIER AMPLIFIER AMPLIFIER AMPLIFIER AMPLIFIER AMPLIFIER
晶体管元件材料 GALLIUM ARSENIDE GALLIUM ARSENIDE GALLIUM ARSENIDE GALLIUM ARSENIDE GALLIUM ARSENIDE GALLIUM ARSENIDE GALLIUM ARSENIDE GALLIUM ARSENIDE GALLIUM ARSENIDE
Base Number Matches 1 1 1 1 1 1 - - -

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