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HX6364/1XCHZC

产品描述Standard SRAM, 8KX8, 45ns, CMOS, CDFP36
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文件大小159KB,共2页
制造商Honeywell
官网地址http://www.ssec.honeywell.com/
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HX6364/1XCHZC概述

Standard SRAM, 8KX8, 45ns, CMOS, CDFP36

HX6364/1XCHZC规格参数

参数名称属性值
是否Rohs认证不符合
厂商名称Honeywell
包装说明DFP, FL36,.6,25
Reach Compliance Codeunknown
最长访问时间45 ns
I/O 类型COMMON
JESD-30 代码R-XDFP-F36
内存密度65536 bit
内存集成电路类型STANDARD SRAM
内存宽度8
端子数量36
字数8192 words
字数代码8000
工作模式ASYNCHRONOUS
最高工作温度125 °C
最低工作温度-55 °C
组织8KX8
输出特性3-STATE
封装主体材料CERAMIC
封装代码DFP
封装等效代码FL36,.6,25
封装形状RECTANGULAR
封装形式FLATPACK
并行/串行PARALLEL
峰值回流温度(摄氏度)NOT SPECIFIED
电源5 V
认证状态Not Qualified
最小待机电流2.5 V
最大压摆率0.008 mA
标称供电电压 (Vsup)5 V
表面贴装YES
技术CMOS
温度等级MILITARY
端子形式FLAT
端子节距0.635 mm
端子位置DUAL
处于峰值回流温度下的最长时间NOT SPECIFIED
总剂量1M Rad(Si) V
Base Number Matches1

HX6364/1XCHZC相似产品对比

HX6364/1XCHZC HX6364/1RCHZT HX6364/1XCHZT HX6364/1RCHZC
描述 Standard SRAM, 8KX8, 45ns, CMOS, CDFP36 Standard SRAM, 8KX8, 45ns, CMOS, CDIP28 Standard SRAM, 8KX8, 45ns, CMOS, CDFP36 Standard SRAM, 8KX8, 45ns, CMOS, CDIP28
是否Rohs认证 不符合 不符合 不符合 不符合
厂商名称 Honeywell Honeywell Honeywell Honeywell
包装说明 DFP, FL36,.6,25 DIP, DIP28,.6 DFP, FL36,.6,25 DIP, DIP28,.6
Reach Compliance Code unknown unknown unknown unknown
最长访问时间 45 ns 45 ns 45 ns 45 ns
I/O 类型 COMMON COMMON COMMON COMMON
JESD-30 代码 R-XDFP-F36 R-XDIP-T28 R-XDFP-F36 R-XDIP-T28
内存密度 65536 bit 65536 bit 65536 bit 65536 bit
内存集成电路类型 STANDARD SRAM STANDARD SRAM STANDARD SRAM STANDARD SRAM
内存宽度 8 8 8 8
端子数量 36 28 36 28
字数 8192 words 8192 words 8192 words 8192 words
字数代码 8000 8000 8000 8000
工作模式 ASYNCHRONOUS ASYNCHRONOUS ASYNCHRONOUS ASYNCHRONOUS
最高工作温度 125 °C 125 °C 125 °C 125 °C
最低工作温度 -55 °C -55 °C -55 °C -55 °C
组织 8KX8 8KX8 8KX8 8KX8
输出特性 3-STATE 3-STATE 3-STATE 3-STATE
封装主体材料 CERAMIC CERAMIC CERAMIC CERAMIC
封装代码 DFP DIP DFP DIP
封装等效代码 FL36,.6,25 DIP28,.6 FL36,.6,25 DIP28,.6
封装形状 RECTANGULAR RECTANGULAR RECTANGULAR RECTANGULAR
封装形式 FLATPACK IN-LINE FLATPACK IN-LINE
并行/串行 PARALLEL PARALLEL PARALLEL PARALLEL
峰值回流温度(摄氏度) NOT SPECIFIED NOT SPECIFIED NOT SPECIFIED NOT SPECIFIED
电源 5 V 5 V 5 V 5 V
认证状态 Not Qualified Not Qualified Not Qualified Not Qualified
最小待机电流 2.5 V 2.5 V 2.5 V 2.5 V
最大压摆率 0.008 mA 0.008 mA 0.008 mA 0.008 mA
标称供电电压 (Vsup) 5 V 5 V 5 V 5 V
表面贴装 YES NO YES NO
技术 CMOS CMOS CMOS CMOS
温度等级 MILITARY MILITARY MILITARY MILITARY
端子形式 FLAT THROUGH-HOLE FLAT THROUGH-HOLE
端子节距 0.635 mm 2.54 mm 0.635 mm 2.54 mm
端子位置 DUAL DUAL DUAL DUAL
处于峰值回流温度下的最长时间 NOT SPECIFIED NOT SPECIFIED NOT SPECIFIED NOT SPECIFIED
总剂量 1M Rad(Si) V 1M Rad(Si) V 1M Rad(Si) V 1M Rad(Si) V
Base Number Matches 1 1 1 1
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