Datasheet> 器件分类 > 分立半导体> 二极管> GMZ33BT/R7

文档预览

GMZ33BT/R7: 产品描述Zener Diode, 31.1V V(Z), 2.51%, 0.5W, Silicon, Unidirectional, ROHS COMPLIANT, GLASS, MICROMELF-2; 产品类别分立半导体二极管; 文件大小135KB，共6页; 制造商强茂(PANJIT); 官网地址http://www.panjit.com.tw/; 标准; PANJIT 是一家全球 IDM，提供广泛的产品组合，包括 MOSFET、肖特基二极管、SiC 器件、双极结型晶体管和电桥等。公司旨在满足客户在汽车、电源、工业、计算、消费和通信等各种应用领域的需求。他们的愿景是通过质量可靠、节能高效的产品为世界提供电源，为人们带来更绿色、更智能的未来。公司核心价值观包括创新、责任、以客户为中心、学习与成长、相互信任和协作。

下载文档详细参数全文预览

GMZ33BT/R7概述

Zener Diode, 31.1V V(Z), 2.51%, 0.5W, Silicon, Unidirectional, ROHS COMPLIANT, GLASS, MICROMELF-2

GMZ33BT/R7规格参数

参数名称	属性值
是否无铅	不含铅
是否Rohs认证	符合
厂商名称	强茂(PANJIT)
零件包装代码	MELF
包装说明	O-LELF-R2
针数	2
Reach Compliance Code	compliant
ECCN代码	EAR99
外壳连接	ISOLATED
配置	SINGLE
二极管元件材料	SILICON
二极管类型	ZENER DIODE
最大动态阻抗	65 Ω
JESD-30 代码	O-LELF-R2
元件数量	1
端子数量	2
最高工作温度	175 °C
封装主体材料	GLASS
封装形状	ROUND
封装形式	LONG FORM
峰值回流温度（摄氏度）	NOT SPECIFIED
极性	UNIDIRECTIONAL
最大功率耗散	0.5 W
认证状态	Not Qualified
标称参考电压	31.1 V
表面贴装	YES
技术	ZENER
端子形式	WRAP AROUND
端子位置	END
处于峰值回流温度下的最长时间	NOT SPECIFIED
最大电压容差	2.51%
工作测试电流	5 mA
Base Number Matches	1

GMZ33BT/R7文档预览

下载PDF文档

全文
预览

GMZ2.0~GMZ56

SURFACE MOUNT ZENER DIODES

VOLTAGE

2.0 to 56 Volts

POWER

500 mWatts

FEATURES

• Planar Die construction

• 500mW Power Dissipation

• Ideally Suited for Automated Assembly Processes

• Lead free in comply with EU RoHS 2002/95/EC directives

0.043(1.1)

MECHANICAL DATA

• Case: Molded Glass MICRO-MELF

• Terminals: Solderable per MIL-STD-750, Method 2026

• Approx. Weight: 0.01 grams.

• Mounting Position: Any

• Polarity : Color band denotes cathode end

• Packing information

T/R - 2.5K per 7" plastic Reel

0.008(0.2)

0.079(2.0)

0.071(1.8)

MAXIMUM RATINGS AND ELECTRICAL CHARACTERISTICS

Parameter

Power Dissipation at T

= 25

Operating Junction Temperature Range

Storage Temperature Range

Symbol

Value

500

175

-65 to + 175

Units

TOT

STG

Valid provided that leads at a distance of 10mm from case are kept at ambient temperature.

Parameter

Thermal Resistance Junction to Ambient Air

Forward Voltage at I

= 100mA

Symbol

Min.

Typ.

Max.

0.3

Units

C/mW

Valid provided that leads at a distance of 10mm from case are kept at ambient temperature.

March 21,2012-REV.03

0.048(1.2)DIA.

0.040(1.0)

PAGE . 1

推荐资源

(16bit 2MSPS)AD芯片设计: 有没有哪位大神设计过AD4001，(16bit,2MSPS) ,或者有没有设计过相同类型的芯片 ...; 萤火 ADI 工业技术

矩阵键盘程序问题: 我写了个矩阵键盘程序，有点问题，有时按下一个按键，返回两次键值，有时返回0（没有检测到按键）我调试，返回键值，通过网口发送到网络调试助手。原理图： 483675 //初始 ......; chenbingjy stm32/stm8

MSP430休眠唤醒问题: MSP430单片机，我在主函数最后一句话，另单片机进入LPM3休眠模式，又写了个中断，令按键唤醒，并点亮LED灯，但是我用按键唤醒的时候，按键第一次摁下总是感觉不太灵敏啊，第一次按完了，就恢复 ......; sch12290010 微控制器 MCU

linux内核完全剖析-基于0.12的: 这里分享一下赵炯博士的经典书籍：linux内核完全剖析-基于0.12的，其实这本书是0.11的，只是它是修订版，也到0.12了，但是却比0.12的书少很多页，看起来心里没压力呀，呵呵。由于本人是新来的， ......; wzlong2012 Linux开发

请客观比较一下stc系列和avr系列单片机: 我之前用的是c51，然后顺其自然就用了stc的片子。感觉stc的性价比比51是强了不少。对51做了不少扩展，而且指令周期也缩短了。最近发现用avr的人也不少，于是萌生了想换个芯片的想法。只是听说av ......; tianjixian 嵌入式系统

6期桑拿程序HEX代码: 6期桑拿程序HEX代码...; 呱呱单片机

业界看好AMD工厂大股东购新加坡特许半导体

据国外媒体报道，业界看好AMD制造工厂大股东阿联酋ATIC收购新加坡特许半导体大部分股份，报道指出如果与新加坡特许半导体公司(CharteredSemiconductorManufacturing)联合成功无疑能加强自身的生产能力，扩大客户群。同时新加坡特许半导体也能获得强大的财政支持。两位知情人士周一表示，尽管新加坡国有投资公司淡马锡（Temasek）希望能收到更好的报价，但淡...[详细]
科技业并购潮再起 4月份金额达200亿美元

市场研究公司The451Group的数据显示，4月份是并购交易金额最大的一年。4月份并购交易金额为200亿美元，超过了前4个月的总和——160亿美元。据国外媒体报道称，今年第二季度科技业出现了612起并购交易，金额为430亿美元，去年同期为90亿美元。其中一些并购交易将对业界格局产生深远影响，例如甲骨文收购Sun。受经济危机影响，部分公司身价大跌，对潜在买主非常有吸...[详细]
4月半导体业销售表现抢眼经济复苏脚步已近？

根据市场研究机构FutureHorizon发布的最新报告，4月份全球半导体销售额较上月份成长了15.6%，是自1955年4月以来最佳的月成长率表现；而3月份半导体销售额则是衰退了7.6%。但该报告也强调，全球性的经济衰退状况未除，此成长率表现并非直接反映终端需求的成长，纯粹是对08年第四季到09年第一季库存量锐减的回补效应。这也意味着市场显然对08年9月份的经济风暴过度反应，以...[详细]
鸿海进军笔记本代工：连接器订单或受影响

市场日前传出消息，鸿海从今年起正式进入笔记本代工市场，开始与其连接器等零组件的客户广达、仁宝等公司争抢客户。广达、仁宝等厂商近期开始将之前一直给鸿海的连接器等零组件采购订单转往他处。　　业界分析称，广达、仁宝等笔记本代工巨头减少鸿海的采购量，是这些厂商企图制衡在笔记本代工市场对他们存在极大威胁的鸿海的第一步。　　据资料显示，去年5月，鸿海集团董事长郭台铭公开对媒体表示，鸿海精密今年...[详细]
中国芯“海思”将成另一个大陆比亚迪

最近大陆市场不断传出支持本土手机晶片设计公司海思科技的声浪，并认为海思才是真正的“中国芯”。由于海思在智慧型手机、3GWCDMA等与联发科多所重叠，不禁让人联想，海思有可能会成为另一个大陆比亚迪。海思是大陆最大网通设备厂商投资成立的手机晶片公司，海思的出现，被视为大陆手机产业的一大突破。大陆产业界认为，山寨机虽为大陆手机产业带来很高的产值，但使用的手机平台大同小异，导致手机产业...[详细]
KLA-Tencor ：创新加速

自去年下半年半导体产业陷入低谷时，千方百计削减成本支出似乎成为业内同行们生存的不二法则。然而，对于有远见的公司来说，加大创新和研发的力度则更加“靠谱”。KLA-Tencor借SEMICONWest2009之际推出了两款新型的晶圆缺陷监测系统2835和Puma9550，以及一款新型的电子束再检测系统eDR-5210，以解决3Xnm/2Xnm节点的缺陷问题。“目前业界正在采用更加...[详细]
英特尔蝴蝶效应令全球经济亮起曙光

就像亚马逊河海流的蝴蝶展翅，居然掀起了一阵飓风一般，这回英特尔公布第二季财报，竟然成为全球经济的多空重要转捩点，这是令人难以想像的事。七月十四日，英特尔一反过去两季不公布财测的作法，公布二ＯＯ九年第二季营收，季成长一二％，到达八十．二亿美元，创下二十一年来最大成长纪录。英特尔第二季营收在欧洲较去年同期减少三四％，在美洲减少一四％，亚太区减少六．二％，为四十四．一亿美元，但季成长达...[详细]
海力士41纳米通过认证　切入苹果供应链

海力士(Hynix)NANDFlash产业之路命运多舛，之前48纳米制程量产不顺，加上减产之故，几乎是半退出NANDFlash产业，直到近期新制程41纳米制程量产顺利，才开始活跃起来，日前更打入苹果(Apple)iPhone3GS供应链，获得认证通过，可以一起和东芝(Toshiba)、美光(Micron)等NANDFlash大厂一起「吃苹果」！海力士2008年下半开始，...[详细]
飞索半导体09年二季度净销售额3.76亿美元

飞索半导体(Spansion)发布了截止至2009年7月28日的选择性的第二季度财务结果，以示其在重组过程中不断取得的成果。SpansionJapanLimited(Spansion的子公司)于2009年3月3日在日本开始其公司重组程序。由此，根据美国GAAP，Spansion的财报将不再包括SpansionJapanLimited的财务结果。在此提交的财务信息仅代表Sp...[详细]
WLAN商卓纪思投WAPI: 年前推出双模产品

卓纪思网络已成立专门团队研发WAPI技术及应用，将在今年年底前推出支持WAPI的产品。　　卓纪思在无线领域拥有超过50项以上专利技术、同时也是目前唯一一家在中国研发无线产品的美国WLAN厂商。其投入WAPI研发，对于完善这一我国自主知识产权的无线局域网标准的产品链具有积极意义。　　卓纪思投入WAPI研发，年底前推出双模产品　　卓纪思已经成立一支团队专门进行WAPI技术的...[详细]
Cadence推出TLM驱动式设计与验证解决方案

该解决方案整合了RTL/TLM设计与高阶综合、TLM/RTL混合功能验证与等效性检查、方法学和客户适用服务Cadence设计系统公司（NASDAQ:CDNS）今天推出首个TLM驱动式协同设计与验证解决方案和方法学，使SoC设计师们可以尽享事务级建模（TLM）的好处。这一Cadence®解决方案包含集成了新式存储器编译器并支持C/C++的C-to-SiliconCompiler...[详细]
二季度IC厂商排名剧烈动荡，AMD跌出前十

据市场调研公司ICInsights，第二季度芯片销售反弹，导致整体IC厂商排名出现重大变化。据ICInsights，按第二季度销售额，IC销售额排名上升的厂商包括海力士半导体、联发科与台积电。排名下降的厂商包括AMD、飞思卡尔与富士通。英特尔(Intel)仍然是头号IC供应商，下面依次是三星电子(Samsung)、东芝(Toshiba)与德州仪器(TI)。台积电(T...[详细]
飞兆半导体推出具有业界最低RDS(ON)MOSFET

飞兆半导体公司(FairchildSemiconductor)为便携应用的设计人员带来具有业界最低RDS(ON)的20V2mmx2mmx0.55mm薄型MicroFETMOSFET器件。FDMA6023PZT是采用紧凑、薄型封装的双P沟道MOSFET，能够满足便携设计的严苛要求，采用延长电池寿命的技术，实现更薄、更小的应用。FDMA6023PZT采用超薄的微型引线框架的...[详细]
2008年工业用半导体收入达221亿美元

根据SemicastResearch公司的数据，2008年工业用半导体收入为221亿美元，较2007年的200亿美元增长11%，并超过汽车用半导体收入。工业用半导体市占率前十的公司如下：1Infineon8%2STMicroelectronics7%3TexasInstruments6%4RenesasTechnology6%...[详细]
IBM苏黎世实验室教授Bednorz:让梦想成真

随意的穿着、矮胖的身材、慈祥的微笑……谁也不会想到眼前的这位长者竟是1987年诺贝尔物理学奖获得者、现任瑞士IBM苏黎世实验室教授J.GeorgBednorz。因发现陶瓷材料中的超导电性所作的重大突破，Bednorz和瑞士物理学家KarlAlexanderMüller共同获得了1987年的诺贝尔物理学奖。他们取得的这一重大突破，曾引起了以美国、日本和中国为中心的全球性的“超导热”。...[详细]

小广播

热搜元器件