Datasheet> 器件分类 > 分立半导体> 二极管> GDZ33B-34

文档预览

GDZ33B-34: 产品描述Zener Diode, 31.1V V(Z), 2.51%, 0.5W, Silicon, Unidirectional, DO-34, ROHS COMPLIANT, GLASS PACKAGE-2; 产品类别分立半导体二极管; 文件大小102KB，共5页; 制造商强茂(PANJIT); 官网地址http://www.panjit.com.tw/; 标准; PANJIT 是一家全球 IDM，提供广泛的产品组合，包括 MOSFET、肖特基二极管、SiC 器件、双极结型晶体管和电桥等。公司旨在满足客户在汽车、电源、工业、计算、消费和通信等各种应用领域的需求。他们的愿景是通过质量可靠、节能高效的产品为世界提供电源，为人们带来更绿色、更智能的未来。公司核心价值观包括创新、责任、以客户为中心、学习与成长、相互信任和协作。

下载文档详细参数全文预览

GDZ33B-34概述

Zener Diode, 31.1V V(Z), 2.51%, 0.5W, Silicon, Unidirectional, DO-34, ROHS COMPLIANT, GLASS PACKAGE-2

GDZ33B-34规格参数

参数名称	属性值
是否无铅	不含铅
是否Rohs认证	符合
厂商名称	强茂(PANJIT)
零件包装代码	DO-34
包装说明	O-LALF-W2
针数	2
Reach Compliance Code	not_compliant
ECCN代码	EAR99
外壳连接	ISOLATED
配置	SINGLE
二极管元件材料	SILICON
二极管类型	ZENER DIODE
JEDEC-95代码	DO-34
JESD-30 代码	O-LALF-W2
元件数量	1
端子数量	2
最高工作温度	175 °C
封装主体材料	GLASS
封装形状	ROUND
封装形式	LONG FORM
峰值回流温度（摄氏度）	NOT SPECIFIED
极性	UNIDIRECTIONAL
最大功率耗散	0.5 W
标称参考电压	31.1 V
表面贴装	NO
技术	ZENER
端子形式	WIRE
端子位置	AXIAL
处于峰值回流温度下的最长时间	NOT SPECIFIED
最大电压容差	2.51%
工作测试电流	5 mA
Base Number Matches	1

GDZ33B-34文档预览

下载PDF文档

全文
预览

GDZ2.0~GDZ56

AXIAL LEAD ZENER DIODES

VOLTAGE

POWER

2.0 to 56 Volts

500 mWatts

FEATURES

• Planar Die construction

• 500mW Power Dissipation

• Ideally Suited for Automated Assembly Processes

• Lead free in comply with EU RoHS 2002/95/EC directives

1.02(26.0)MIN.

0.018(0.45)

0.014(0.35)

MECHANICAL DATA

•

Case: Molded Glass DO-34

Terminals: Solderable per MIL-STD-750, Method 2026

Polarity: Color band denotes cathode end

Approx. Weight: 0.9 grams

Mounting Position: Any

Ordering information

Suffix : “ -34 ” to order DO-34 Package

• Packing information

B - 2K per Bulk box

T/R - 10K per 15" plastic Reel

T/B - 5K per horiz. tape & Ammo box

0.116(2.9)

0.092(2.3)

MAXIMUM RATINGS AND ELECTRICAL CHARACTERISTICS

Parameter

Power Dissipation on T

=25

Operating Junction Temperature Range

Storage Temperature Range

Symbol

1.02(26.0)MIN.

0.087(2.2)

0.067(1.7)

Value

500

Units

TOT

STG

175

-65 to + 175

Valid provided that leads at a distance of 10mm from case are kept at ambient perature.

Parameter

Thermal Resistance

Symbol

Min.

Typ.

Max.

0.3

Units

C/mW

ΘJA

Forward Voltage at I

=100mA

Valid provided that leads at a distance of 10mm from case are kept at ambient perature.

March 15,2012-REV.04

PAGE . 1

推荐资源

友善之臂的CMOS摄像头测试程序: %:include %:include %:include %:include %:include %:include %:include %:include %:include %:include %:include %:include class TError TError(const TEr ......; wuquan-1230 嵌入式系统

op77引脚问题: 请问运放op77的Vos trim引脚有什么作用？...; 321232 电源技术

求助杜邦线怎么选钳子、端子、线、热缩管: 前面买了几十根硅胶杜绑线，很好用，但是用着用着，不够了，有网友建议，可以自己用钳子压线。这里向各位前辈、大神求助，如何选择相应的工具。我去问了淘宝，客服没有给出答案，真心求助大家了 ......; lugl4313820 工作这点儿事

赚分，马上结...: 0...; bayasina 嵌入式系统

STC的P3.1串口RXD可以做成普通的外部中断接收？: 看到它引脚标的是INT。尝试做成外部中断发现失败。 STC12C5A60S2 - WAKE_CLKO = 0x40; ES = 1; EA = 1; void uart_isr() interrupt 4 using 1 { if (RI) { RI = 0; ......; tangwei8802429 51单片机

DCD,SPACE问题: 代码如下： #define SVC_STACK_LENGTH 0 StackSvc DCD SvcStackSpace+(SVC_STACK_LENGTH-1)*4 AREA MyStack,DATA,NOINIT,ALIGN=2 SvcStackSpace SPACE SVC_STACK_LENGTH*4 --------- ......; evinsheng 嵌入式系统

消息称三星正为 2nm 尖端制程导入 Hyper Cell 技术

8月22日消息，韩媒Nate当地时间20日报道称，三星电子正在向其当下最先进的2nm级制程工艺中导入HyperCell技术，力图以晶体管设计上的更大灵活性提升性能与能效表现，增强工艺在AI/HPC芯片代工市场的竞争力。单元(Cell)是半导体芯片设计中最基本的单位，而传统的标准单元具有相对固定的高度尺寸和排列方式（即所谓的6T库、7.5T库）。三星的...[详细]
SK 海力士 2025 三季度营业利润达 11.38 万亿韩元同比增长 62%，创历史新高

10月29日消息，SK海力士今日发布截至2025年9月30日的2025财年第三季度财务报告。公司2025财年第三季度营业收入为24.4489万亿韩元（IT之家注：现汇率约合1209.49亿元人民币），同比增长39%，营业利润为11.3834万亿韩元（现汇率约合563.14亿元人民币），同比增长62%，净利润为12.5975万亿韩元（现汇率约合...[详细]
台积电 JASM 就在日第二晶圆厂与熊本县菊阳町签署选址协议

10月24日消息，参考《日本经济新闻》报道，台积电负责在日晶圆厂运营的子公司JASM当地时间今日与熊本县菊阳町政府就第二晶圆厂签署了选址协议。这座晶圆厂位于JASM第一晶圆厂的东侧，主要生产6nm工艺制程逻辑半导体。该晶圆厂建筑面积约为6.9万平方米，将雇佣1700名员工，投资额约为139亿美元（IT之家注：现汇率约合989.16亿元人民币），目标202...[详细]
瑞萨电子拟出售时序业务部门

据路透社报道，瑞萨电子（Renesas）正考虑出售其时序业务，交易价格接近20亿美元。摩根大通（JPMorgan）已受委托负责此次出售事宜。潜在买家包括德州仪器（TI）、英飞凌（Infineon）、精工爱普生（SeikoEpson）、日本电波工业（NihonDempaKogyo）、Rakon、微芯科技（Microchip）、Abracon、意法半导体（ST）、SiTime、Diod...[详细]
消息称美国批准三星、SK海力士向中国工厂出口芯片制造设备

北京时间12月30日，据路透社报道，知情人士称，美国政府已向三星电子、SK海力士发放了一项年度许可证，允许它们在2026年向其中国工厂出口芯片制造设备。对三星、SK海力士来说，这一许可让其暂时松了一口气。此前，美国在今年早些时候撤销了对一些科技公司的许可证豁免。知情人士称，美国已针对向中国出口芯片制造设备设立了年度审批制度。三星电子、SK海力士和台积电此前曾受益于美国对华芯片相关出口全面限制...[详细]
AMD CEO苏姿丰：对华芯片销售将向美政府缴纳15%税款 AI没泡沫

北京时间12月5日，据《连线》杂志报道，AMDCEO苏姿丰(LisaSu)周四表示，公司准备就对华芯片销售向美国政府支付15%的税款。苏姿丰周四出席了连线举行的《高端访谈》(BigInterview)会议。当被问及向中国销售芯片的问题时，苏姿丰确认，AMD计划恢复对中国的MI308芯片销售，并在这些芯片真正销售时向美国政府支付15%的税款。今年8月，美国总统特朗普表示，美国政府已与英伟...[详细]
消息称 SK 海力士进军定制 DRAM 代工制造，首位客户为韩国 Fabless 企业

12月4日消息，韩媒《文化日报》当地时间今日报道称，SK海力士在继续以IDM的形式运行自身业务的同时还将成为一家DRAM晶圆代工企业，提供存储制造服务。报道提到，SK海力士正与一家韩国Fabless无晶圆厂半导体设计企业合作，计划最早在2027年开始生产定制的专用DRAM内存，双方正就具体项目和产能进行交涉。消息指出，SK海力士考虑利用设在中国江苏无锡的晶圆厂...[详细]
美国国际贸易委员会裁定英飞凌在针对英诺赛科的一项专利侵权案中胜诉

美国国际贸易委员会的最终裁定可能导致英诺赛科涉嫌侵权的产品被禁止进口至美国该裁决是又一项积极结果，彰显了英飞凌在业界领先的专利组合的价值氮化镓(GaN)在实现高性能、高能效功率系统方面发挥着关键作用【2025年12月3日,德国慕尼黑讯】美国国际贸易委员会（ITC）裁定英诺赛科侵犯了英飞凌科技股份公司拥有的一项氮化镓（GaN）技术专利。此外，在初步裁定中，美国国际贸易委员...[详细]
锐成芯微杨毅：以全栈 IP 布局赋能 AIoT 3.0 演进

电子工程世界，冀凯锐成芯微总经理杨毅在ICCAD2025期间，接受了媒体采访。杨毅表示，作为一家专注于集成电路IP领域的企业，公司致力于为芯片设计公司及系统公司提供模拟IP、存储IP、射频IP、高速接口IP等核心产品，愿景是成为卓越的集成电路IP伙伴，通过全栈式IP布局，加速国产IP替代进程。锐成芯微总经理杨毅回归本土IP行业发展趋势，杨毅指出，近两年本...[详细]
格罗方德宣布收购 AMF，将成为全球最大纯硅光子晶圆代工厂

11月18日消息，当地时间周一，格罗方德/格芯（GlobalFoundries）宣布已收购总部位于新加坡的硅光子芯片制造商AdvancedMicroFoundry（AMF），详细金额未披露。为配合此次收购，格芯还计划在新加坡建立一个硅光子学研发卓越中心（CoE）。该中心将与新加坡领先的公共部门研发机构——科技研究局（A*STAR）合作，专注于研发用于400Gbps超高速...[详细]
氮化镓产业格局生变：台积电技术授权格芯，纳微力积电联手接棒

全球氮化镓（GaN）产业正迎来历史性重构。继台积电宣布2027年前逐步退出氮化镓代工业务后，行业近期接连曝出两大关键合作：美国晶圆代工厂格芯（GF）正式获得台积电650V与80V氮化镓技术授权，同时氮化镓龙头企业纳微半导体与力积电达成战略合作，启动8英寸氮化镓产线量产。这一系列动作标志着全球氮化镓产能向格芯、力积电等企业多元承接的格局转变，将加速该技术在新能源汽车、AI数据中心...[详细]
量子计算企业 IonQ 计划以 18 亿美元收购美国最大纯晶圆代工厂 SkyWater

1月27日消息，量子计算企业IonQ与美国最大纯晶圆代工厂SkyWater当地时间昨日宣布双方已就收购交易达成最终协议：IonQ将以合计18亿美元（IT之家注：现汇率约合55.72亿元人民币）的现金和股票买下SkyWater。交易成功后SkyWater将作为IonQ的全资子公司继续以这一名称运营，继续向外部客户提供服务。正如其企业名称所暗示的，IonQ在量子...[详细]
台积电将大幅增加在美投资再建至少五座芯片工厂

据《纽约时报》报道，作为美国与中国台湾地区贸易协议的一部分，台积电将大幅增加在美投资，包括建设更多芯片工厂。知情人士称，作为协议的一部分，台积电还将承诺在亚利桑那州再建设至少五座晶圆厂，这将使其在该州的工厂数量增加近一倍。相关投资的时间表目前尚不明确。2020年以来，台积电已在亚利桑那州建成了一座工厂。第二座正在建设中，预计将于2028年投产。台积电之前已承诺在未来几年再建设四座工厂。现在，...[详细]
Gartner：英伟达2025年成为首家半导体销售年收入破1000亿美元企业

1月13日消息，研调机构Gartner在当地时间昨日的报告中表示，根据其统计分析的数据，2025年全球半导体收入达到7934.49亿美元（现汇率约合5.54万亿元人民币），同比增长21.0%。数据显示，去年全球前十大半导体供应商分别是英伟达、三星电子、SK海力士、英特尔、美高通、博通、AMD、苹果、联发科。SK海力士和美光的营收规模在2025年迅速飙升，分别超过和...[详细]
电装和罗姆就开始考虑在半导体领域建立战略合作伙伴关系事宜达成协议

株式会社电装（总部位于日本爱知县刈谷市，社长：林新之助，公司名以下简称“电装”）和ROHMCo.,Ltd.（总部位于日本京都市右京区，社长：松本功，公司名以下简称“罗姆”）宣布，双方已就在半导体领域建立战略合作伙伴关系事宜达成协议。近年来，为了实现碳中和的目标，电动汽车的开发和普及进程加速，相应地，对汽车电气化所需的电子元器件和半导体的需求也迅速增加。另外，有助于实现交通事故零死...[详细]

小广播

热搜元器件